半导体元件制造技术

一种半导体元件，包含第一鳍、第二鳍、隔离栅极及虚设介电栅极。第一及第二鳍沿第一方向延伸。隔离栅极沿第二方向延伸且与第一鳍交叉。隔离栅极包含导电材料。虚设介电栅极自隔离栅极的一端起沿第二方向延伸，且与第二鳍重叠。

Semiconductor components

A semiconductor element comprises a first fin, a second fin, an isolation gate and a virtual dielectric gate. The first and second fins extend in the first direction. The isolation gate extends in the second direction and intersects with the first fin. The isolation grid contains conductive materials. The imaginary dielectric gate extends in the second direction from one end of the isolation gate and overlaps with the second fin.

【技术实现步骤摘要】
半导体元件
本揭露是关于半导体元件。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit；IC)产业已经历指数发展。集成电路材料及设计的技术进展已产生多代集成电路，每一代皆别前代具有更小及更复杂的电路。在集成电路进化过程中，功能密度(亦即，单位晶片面积的互连元件数目)大致已增大，而几何形状尺寸(亦即，可通过使用制作制程产生的最小组件(或线路))已减小。此按比例缩小制程一般通过提高生产效率及降低相关成本而提供益处。
技术实现思路
在部分实施例中，半导体元件包含第一鳍、第二鳍、隔离栅极及虚设介电栅极。第一及第二鳍沿第一方向延伸。隔离栅极沿第二方向延伸，且与第一鳍交叉。隔离栅极包含导电材料。虚设介电栅极自隔离栅极的一端起沿第二方向上延伸，且与第二鳍重叠。附图说明本揭露的态样在结合附图阅读以下详细说明时得以最清晰地理解。应注意，依据产业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，各种特征的尺寸可任意增大或减小，以便于论述明晰。图1是一示例性鳍式场效晶体管元件的一立体图；图2绘示一互补式金氧半导体配置中的鳍式场效晶体管的剖面图；图3绘示本揭露的部分实施例中的一标准(standard；S本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：一第一鳍，沿一第一方向延伸；一第二鳍，沿该第一方向延伸；一隔离栅极，沿一第二方向延伸且与该第一鳍交叉，其中该隔离栅极包含一导电材料；以及一虚设介电栅极，自该隔离栅极的一端沿该第二方向延伸，并与该第二鳍重叠。

【技术特征摘要】
2017.11.30 US 62/593,103;2018.09.05 US 16/122,7721.一种半导体元件，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71