掩膜版及其制作方法、半导体器件的形成方法技术

一种掩膜版及其制作方法、半导体器件的形成方法，其中掩膜版包括：基板；位于基板上的挡光层，所述挡光层中具有开口组，所述开口组包括若干两两相邻的开口，各开口贯穿所述挡光层且暴露出基板表面，所述挡光层中还具有贯穿所述挡光层的相移槽口，所述相移槽口与各开口相互分立且被所述开口组中若干开口包围；位于所述相移槽口底部基板表面的相移层。所述掩膜版的性能得到提高。

【技术实现步骤摘要】
掩膜版及其制作方法、半导体器件的形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种掩膜版及其制作方法、半导体器件的形成方法。
技术介绍
光掩膜基板是制作微细光掩膜图形的理想感光性空白板，通过光刻制板工艺可以获得所需的掩膜版。掩膜版的应用十分广泛，在涉及光刻工艺的领域都需要使用掩膜版，如IC(IntegratedCircuit，集成电路)、FPD(FlatPanelDisplay，平板显示器、PCB(PrintedCircuitBoards，印刷电路板、MEMS(MicroElectroMechanicalSystems，微机电系统)等。然而，现有的掩膜版的性能有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种掩膜版及其制作方法、半导体器件的形成方法，以提高掩膜版的性能。为解决上述问题，本专利技术提供一种掩膜版，包括：基板；位于基板上的挡光层，所述挡光层中具有开口组，所述开口组包括若干两两相邻的开口，各开口贯穿所述挡光层且暴露出基板表面，所述挡光层中还具有贯穿所述挡光层的相移槽口，所述相移槽口与各开口相互分立且被所述开口组中若干开口包围；位于所述相移槽口底部基板表面的相移层。可选的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：基板；位于基板上的挡光层，所述挡光层中具有开口组，所述开口组包括若干两两相邻的开口，各开口贯穿所述挡光层且暴露出基板表面，所述挡光层中还具有贯穿所述挡光层的相移槽口，所述相移槽口与各开口相互分立且被所述开口组中若干开口包围；位于所述相移槽口底部基板表面的相移层。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：基板；位于基板上的挡光层，所述挡光层中具有开口组，所述开口组包括若干两两相邻的开口，各开口贯穿所述挡光层且暴露出基板表面，所述挡光层中还具有贯穿所述挡光层的相移槽口，所述相移槽口与各开口相互分立且被所述开口组中若干开口包围；位于所述相移槽口底部基板表面的相移层。2.根据权利要求1述的掩膜版，其特征在于，所述相移层的材料包括硅化钼。3.根据权利要求1述的掩膜版，其特征在于，所述相移层的厚度为67纳米～68纳米。4.根据权利要求1述的掩膜版，其特征在于，所述相移层的透光率为5％～7％。5.根据权利要求1述的掩膜版，其特征在于，光通过所述相移层可发生180度的相位移动。6.根据权利要求1的掩膜版，其特征在于，所述相移层还位于所述开口周围且位于挡光层和所述基板之间。7.根据权利要求1的掩膜版，其特征在于，所述相移槽口底部的相移层的中心与所述开口组所包围的区域的中心重合。8.根据权利要求1的掩膜版，其特征在于，所述开口组中开口的数量为四个，四个开口排列成矩阵形。9.根据权利要求1的掩膜版，其特征在于，一个所述开口组中若干开口包围一个相移槽口。10.根据权利要求1的掩膜版，其特征在于，所述基板的材料为透光石英玻璃。11.一种掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板上形成挡光层和相移层，所述挡光层中具有开口组，所述开口组包括若干两两相邻的开口...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯士权，夏睿，梁凤云，徐一建，王婷，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32