半导体芯片的封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体芯片的封装结构，封装结构包括：第一介质层，具有第一图形窗口，第一图形窗口贯穿于第一介质层的第一面及相对的第二面；第二介质层，第二介质层具有第二图形窗口，第二图形窗口显露第一图形窗口；图形线路层，形成于第一图形窗口及第二图形窗口中，图形线路层藉由第一图形窗口及第二图形窗口定义；半导体芯片，电性接合于图形线路层上；封装材料，包覆于半导体芯片；以及金属凸块，形成于第一介质层的第二面上，并与图形线路层电性连接。本实用新型专利技术结合了前端重新布线层和后端重新布线层的制造工艺，可以获得细间距的重新布线层，与传统的大马士革工艺相比，可以大大节约工艺成本。

【技术实现步骤摘要】
半导体芯片的封装结构
本技术属于半导体封装领域，特别是涉及一种半导体芯片的封装结构及封装方法。
技术介绍
随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高，以及新型的集成电路出现，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。同时，随着集成电路特征尺寸达到纳米级，晶体管向更高密度、更高的时钟频率发展，封装也向更高密度的方向发展。由于扇出晶圆级封装(fowlp)技术由于具有小型化、低成本和高集成度等优点，以及具有更好的性能和更高的能源效率，扇出晶圆级封装(fowlp)技术已成为高要求的移动/无线网络等电子设备的重要的封装方法，是目前最具发展前景的封装技术之一。随着芯片尺寸的减小而I/O数量的增加，封装结构要求更高的封装密度，因此，细间距重新布线层(RDL)已成为后端封装行业所需的技术。目前由于封装材料通常是通过旋涂工艺形成，其表面结构粗糙，从而造成后端封装技术难以形成细间距RDL(RDLLW<＝2μm)。前端集成电路制造工艺可以形成多层金属线堆栈结构，金属线是由通过化学气相沉积(CVD)所形成的介电材料保护，这种金属线的形成过程本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：第一介质层，具有第一图形窗口，所述第一图形窗口贯穿于所述第一介质层的第一面及相对的第二面；第二介质层，形成于所述第一介质层的所述第一面上，所述第二介质层具有第二图形窗口，所述第二图形窗口显露所述第一图形窗口；图形线路层，形成于所述第一图形窗口及所述第二图形窗口中，所述图形线路层藉由所述第一图形窗口及所述第二图形窗口定义；半导体芯片，电性接合于所述图形线路层上；封装材料，包覆于所述半导体芯片；以及金属凸块，形成于所述第一介质层的所述第二面上，并与所述图形线路层电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：第一介质层，具有第一图形窗口，所述第一图形窗口贯穿于所述第一介质层的第一面及相对的第二面；第二介质层，形成于所述第一介质层的所述第一面上，所述第二介质层具有第二图形窗口，所述第二图形窗口显露所述第一图形窗口；图形线路层，形成于所述第一图形窗口及所述第二图形窗口中，所述图形线路层藉由所述第一图形窗口及所述第二图形窗口定义；半导体芯片，电性接合于所述图形线路层上；封装材料，包覆于所述半导体芯片；以及金属凸块，形成于所述第一介质层的所述第二面上，并与所述图形线路层电性连接。2.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装结构，其特征在于：所述第一图形窗口之间的最小间距不大于2μm，以使得由所述第一介质层的所述第二面显露的所述图形线路层之间的最小间距不大于2μm。3.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装结构，其特征在于：所述第一介质层、所述第二介质层及所述图形线路层形成布线单元，所述封装结构还包括若干个所述布线单元，以形成包含层叠的多层介质层与互连的多层所述图形线路层的细间距重新布线层，所述细间距重新布线层通过图形窗口的设计实现所需的互连功能。4.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装结构，其特征在于：所述第二图形窗口显露一个或多个所述第一图形窗口。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：仇月东，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32