具有天线组件的半导体封装结构制造技术

本实用新型专利技术具有天线组件的半导体封装结构，包括：基板，具有第一表面及第二表面，至少一个贯穿的激光通孔；重新布线层，位于基板的第一表面上；金属凸块，位于重新布线层远离基板的一侧并与重新布线层电连接；半导体芯片，位于重新布线层远离基板一侧的表面，并与重新布线层电连接；导电柱，填充于激光通孔内，并上下贯穿基板；及天线组件，位于基板的第二表面上，依次经由导电柱以及重新布线层与金属凸块电连接，通过上述方案，本实用新型专利技术的天线组件的布局及天线组件通过基板内的导电柱、重新布线层及金属凸块的电连接设计，有利于合理的封装设计；选择石英玻璃作为基板，解决热效应的问题；由于石英片无翘曲，保证在后续工艺中芯片不易翘曲。

【技术实现步骤摘要】
具有天线组件的半导体封装结构
本技术属于半导体封装
，特别是涉及一种具有天线组件的半导体封装结构。
技术介绍
随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高，以及新型的集成电路出现，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。同时，随着集成电路特征尺寸达到纳米级，晶体管向更高密度、更高的时钟频率发展，封装也向更高密度的方向发展。由于扇出晶圆级封装(fowlp)技术由于具有小型化、低成本和高集成度等优点，以及具有更好的性能和更高的能源效率，扇出晶圆级封装(fowlp)技术已成为高要求的移动/无线网络等电子设备的重要的封装方法，是目前最具发展前景的封装技术之一。另外，出于通信效果的考虑，射频芯片在使用时都会设置天线。但是，现有射频天线都是开发者在对射频功能模块进行layout设计时，直接在PCB板上layout天线或留出外接天线的接口，现有射频天线大多直接在PCB板上layout天线，而此种方法要保证天线增益，就必须以牺牲PCB面积为代价，从而使得PCB板的面积及整个封装结构的面积变大，并且采用塑封等工艺的扇出型晶圆级封装在翘曲等方面控制困难，翘曲现象难以得到缓解，并且封装过程中材料的涨缩等可能引起滑移以及错位等问题，也难以得到控制，热传导性差，引起热效应的问题等。因此，如何提供一种具有天线的低成本的半导体封装结构以解决现有技术中容易发生翘曲以及热传导差导致的热效应问题以及合理配置天线结构设计实属必要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种具有天线组件的半导体封装结构，用于解决现有技术中易发生翘曲以及热传导差导致的热效应问题以及天线合理配置设计等问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种具有天线组件的半导体封装结构，包括：基板，具有相对的第一表面及第二表面，且所述基板内形成有至少一个贯穿所述第一表面及所述第二表面的激光通孔；重新布线层，位于所述基板的第一表面上；金属凸块，位于所述重新布线层远离所述基板的一侧并与所述重新布线层电连接；半导体芯片，位于所述重新布线层远离所述基板一侧的表面，并与所述重新布线层电连接，且所述半导体芯片与所述金属凸块之间具有间距；导电柱，填充于所述激光通孔内，并上下贯穿所述基板；以及天线组件，位于所述基板的第二表面上，所述天线组件依次经由所述导电柱以及所述重新布线层与所述金属凸块电连接。作为本技术的一种优选方案，所述半导体封装结构还包括底部填充层，所述底部填充层填充满所述半导体芯片与所述重新布线层之间的间隙。作为本技术的一种优选方案，所述基板包括石英玻璃基板或蓝宝石基板。作为本技术的一种优选方案，所述重新布线层的结构具体包括：介质层，接合于所述基板的第一表面上；至少一层金属线层，所述金属线层位于所述介质层的内部；凸块下金属层，位于所述介质层远离所述基板一侧的表面，并延伸至所述介质层的内部与所述金属线层电连接，其中，所述金属凸块设置于所述凸块下金属层上。作为本技术的一种优选方案，所述金属凸块的结构包括：铜柱、位于所述铜柱上表面的镍层以及位于所述镍层上的焊料凸点。作为本技术的一种优选方案，所述天线组件包括若干个天线单元，每个所述天线单元具有相同的形状，相邻所述天线单元之间具有间距。作为本技术的一种优选方案，所述天线单元包括中心部以及环绕所述中心部的外围部，且所述外围部与所述中心部之间具有间距，其中，所述中心部依次经由所述导电柱以及所述重新布线层与所述金属凸块电连接。作为本技术的一种优选方案，所述中心部的外缘形状包括圆形，所述外围部的外缘形状包括方形，所述外围部靠近所述中心部一侧的边缘的形状包括圆形。作为本技术的一种优选方案，各所述天线单元于所述基板的第二表面上且呈阵列排布、环形排布或无规则间隔排布。作为本技术的一种优选方案，所述天线组件包括至少两层天线组件单元层，每一层所述天线组件单元层至少包括一个所述天线单元。如上所述，本技术的具有天线组件的半导体封装结构，具有以下有益效果：本技术的具有天线组件的半导体结构通过将天线组件与重新布线层设置于基板的两个相对的表面，并基于天线组件与半导体芯片通过基板内的导电柱、重新布线层及金属凸块之间的电连接特性设计，从而可以有利于进行合理的封装布局设计；本技术选择石英玻璃等作为基板，其热传导性良好，比封装材料好了近十到百倍，解决了热效应的问题；同时，由于石英片无翘曲问题，也进一步保证在后续工艺中芯片不易翘曲以及断裂等，且容易制造，良率提高；本技术的结构简便，成本低，适于批量生产。附图说明图1显示为本技术的半导体封装结构制备中提供基板的结构示意图。图2显示为本技术的半导体封装结构制备中形成重新布线后的结构示意图。图3显示为本技术的半导体封装结构制备中形成金属凸块的结构示意图。图4显示为本技术的半导体封装结构制备中形成半导体芯片的结构示意图。图5显示为本技术的半导体封装结构制备中形成底部填充层的结构示意图。图6显示为本技术的半导体封装结构制备中形成激光通孔的结构示意图。图7显示为本技术的半导体封装结构制备中形成导电柱的结构示意图。图8显示为本技术的半导体封装结构制备中形成天线组件的结构示意图。图9显示为图8虚线框中天线组件的俯视示意图。图10显示为本技术的半导体封装结构制备中进行切割的示意图。元件标号说明11基板111第一表面112第二表面21重新布线层211凸块下金属层212介质层213金属线层31金属凸块41半导体芯片51底部填充层61激光通孔71导电柱81天线单元811中心部812外围部91粘合层92固定环具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。请参阅图1至图10。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。如图1～10所示，本技术提供一种具有天线组件的半导体封装结构，包括：基板11，具有相对的第一表面111及第二表面112，且所述基板11内形成有至少一个贯穿所述第一表面及所述第二表面的激光通孔61；重新布线层21，位于所述基板的第一表面111上；金属凸块31，位于所述重新布线层21远离所述基板11的一侧并与所述重新布线层21电连接；半导体芯片41，位于所述重新布线层21远离所述基板11一侧的表面，并与所述重新布线层21电连接，且所述半导体芯片41与所述金属凸块31之间具有间距；导电柱71，填充于所述激光通孔61内，并上下贯穿所述基板11；以及天线组件，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有天线组件的半导体封装结构，其特征在于，包括：基板，具有相对的第一表面及第二表面，且所述基板内形成有至少一个贯穿所述第一表面及所述第二表面的激光通孔；重新布线层，位于所述基板的第一表面上；金属凸块，位于所述重新布线层远离所述基板的一侧并与所述重新布线层电连接；半导体芯片，位于所述重新布线层远离所述基板一侧的表面，并与所述重新布线层电连接，且所述半导体芯片与所述金属凸块之间具有间距；导电柱，填充于所述激光通孔内，并上下贯穿所述基板；以及天线组件，位于所述基板的第二表面上，所述天线组件依次经由所述导电柱以及所述重新布线层与所述金属凸块电连接。

【技术特征摘要】
1.一种具有天线组件的半导体封装结构，其特征在于，包括：基板，具有相对的第一表面及第二表面，且所述基板内形成有至少一个贯穿所述第一表面及所述第二表面的激光通孔；重新布线层，位于所述基板的第一表面上；金属凸块，位于所述重新布线层远离所述基板的一侧并与所述重新布线层电连接；半导体芯片，位于所述重新布线层远离所述基板一侧的表面，并与所述重新布线层电连接，且所述半导体芯片与所述金属凸块之间具有间距；导电柱，填充于所述激光通孔内，并上下贯穿所述基板；以及天线组件，位于所述基板的第二表面上，所述天线组件依次经由所述导电柱以及所述重新布线层与所述金属凸块电连接。2.根据权利要求1所述的具有天线组件的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括底部填充层，所述底部填充层填充满所述半导体芯片与所述重新布线层之间的间隙。3.根据权利要求1所述的具有天线组件的半导体封装结构，其特征在于，所述基板包括石英玻璃基板或蓝宝石基板。4.根据权利要求1所述的具有天线组件的半导体封装结构，其特征在于，所述重新布线层的结构具体包括：介质层，接合于所述基板的第一表面上；至少一层金属线层，所述金属线层位于所述介质层的内部；凸块下金属层，位于所述介质层远离所述基板一侧的表面，并延伸至所述介质层的内部与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦亨，吴政达，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32