半导体芯片的封装结构及封装方法技术

本发明专利技术提供一种半导体芯片的封装结构及封装方法，所述封装结构包括：半导体芯片以及包覆于所述半导体芯片的封装材料层，所述封装材料层具有相对的第一平面与第二平面，所述半导体芯片的电引出结构显露于所述封装材料层的所述第一平面。本发明专利技术通过采用将支撑基底的表面设计呈弧面弯曲，可以有效减小由所述支撑基底与所述封装材料的热膨胀系数的不匹配而引起的所述封装材料的翘曲，分离后的封装材料层表面平整无翘曲，可有利于后续工艺的进行，如重新布线层的制作及金属凸块的制作等，提高封装工艺的稳定性和良率。本发明专利技术与现有的封装工艺兼容，不需要额外调整工艺步骤或增加制程设备，可有效降低工艺成本。

【技术实现步骤摘要】
半导体芯片的封装结构及封装方法
本专利技术属于半导体封装领域，特别是涉及一种半导体芯片的封装结构及封装方法。
技术介绍
随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高，以及新型的集成电路出现，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。同时，随着集成电路特征尺寸达到纳米级，晶体管向更高密度、更高的时钟频率发展，封装也向更高密度的方向发展。由于扇出晶圆级封装(fowlp)技术由于具有小型化、低成本和高集成度等优点，以及具有更好的性能和更高的能源效率，扇出晶圆级封装(fowlp)技术已成为高要求的移动/无线网络等电子设备的重要的封装方法，是目前最具发展前景的封装技术之一。现有的扇出晶圆级封装过程中，由于封装材料与载体材料之间的热膨胀系数不匹配，往往会导致封装芯片的翘曲现象的发生，当封装芯片的翘曲过大时(翘曲＞3.5mm)，现有的工艺设备便难以对该翘曲的封装芯片进行有效的修复，从而导致生产良率大大降低。现有的几种解决复合芯片翘曲问题方法包括；1)挑选合适的热膨胀系数的载体材料与封装材料，然而，需要挑选匹配热膨胀系数的载体材料与封装材料，并且能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体芯片的封装方法，其特征在于，包括步骤：1)提供一支撑基底，所述支撑基底具有第一面及与所述第一面相对的第二面，于所述支撑基底衬底的所述第一面形成分离层；2)提供半导体芯片，将所述半导体芯片粘附于所述分离层上，其中，所述半导体芯片具有电引出结构的一面朝向所述分离层；3)采用封装材料对所述半导体芯片进行封装；以及4)基于所述分离层分离所述封装材料与所述支撑衬底，使得所述半导体芯片具有电引出结构的一面与所述封装材料的下表面处于同一平面；其中，所述支撑基底的第一面呈弧面弯曲，以减小由所述支撑基底与所述封装材料的热膨胀系数的不匹配而引起的所述封装材料的翘曲。

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片的封装方法，其特征在于，包括步骤：1)提供一支撑基底，所述支撑基底具有第一面及与所述第一面相对的第二面，于所述支撑基底衬底的所述第一面形成分离层；2)提供半导体芯片，将所述半导体芯片粘附于所述分离层上，其中，所述半导体芯片具有电引出结构的一面朝向所述分离层；3)采用封装材料对所述半导体芯片进行封装；以及4)基于所述分离层分离所述封装材料与所述支撑衬底，使得所述半导体芯片具有电引出结构的一面与所述封装材料的下表面处于同一平面；其中，所述支撑基底的第一面呈弧面弯曲，以减小由所述支撑基底与所述封装材料的热膨胀系数的不匹配而引起的所述封装材料的翘曲。2.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装方法，其特征在于：所述支撑基底的热膨胀系数大于所述封装材料的热膨胀系数，所述支撑基底的第一面呈相对水平面凹陷弯曲的弧面。3.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装方法，其特征在于：所述支撑基底的热膨胀系数小于所述封装材料的热膨胀系数，所述支撑基底的第一面呈相对水平面凸起弯曲的弧面。4.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装方法，其特征在于：所述支撑衬底包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：仇月东，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32