三维存储器及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种三维存储器及其形成方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供衬底，衬底包括外围区和核心区；在核心区上形成台阶结构，并在外围区和台阶区上形成掩盖层；刻蚀掩盖层形成第一接触孔凹槽；形成覆盖掩盖层的上表面及第一接触孔凹槽的侧壁和底部的保护层；刻蚀掩盖层和保护层形成第二接触孔凹槽；去除掩盖层上的保护层及第一接触孔凹槽底部的保护层，并对当前的第一接触孔凹槽进行清洗；在清洗后的第一接触孔凹槽和第二接触孔凹槽中沉积金属形成第一接触孔和第二接触孔。本发明专利技术中的方法，有效的防止了第一接触孔的侧壁在清洗过程中受到损坏，从而提高了三维存储器成品的质量。

Three dimensional memory and its formation method

The invention discloses a three-dimensional memory and a forming method thereof, belonging to the semiconductor technology field. The methods include providing a substrate, a substrate including a peripheral area and a core area, forming a step structure on the core area, forming a cover layer on the periphery and the step area, forming a first contact hole groove, forming the upper surface of the cover layer and the protection layer on the side wall and the bottom of the first contact Kong Ao slot; The cover layer and protective layer form a second contact hole groove; the protection layer on the cover layer and the protection layer at the bottom of the first contact hole groove are removed, and the current first contact hole grooves are cleaned, and the first contact hole and the second contact hole groove after cleaning are deposited into the first contact hole and the second contact hole. The method in the invention effectively prevents the side wall of the first contact hole from being damaged during the cleaning process, thereby improving the quality of the finished product of the three-dimensional memory.

【技术实现步骤摘要】
三维存储器及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种三维存储器及其形成方法。
技术介绍
随着集成电路的快速发展，以及人们对存储容量需求的提升，三维存储器走进了人们的生活。现有的三维存储器的形成方法，如图1至图3所示的结构变化示意图，主要包括：1)提供含有外围区(包括栅极结构、左侧P阱、N阱)和核心区(包括右侧P阱)的衬底，在核心区上形成台阶结构，并在台阶结构和外围区上形成氧化物掩盖层；2)刻蚀掩盖层以在台阶结构上形成第一接触孔凹槽；3)在掩盖层上沉积碳(图中未示出)和氮氧化硅(SION)层(图中未示出)后，刻蚀掩盖层以在外围区上形成第二接触孔凹槽；4)去除碳和氮氧化硅层，并对第一接触孔凹槽进行清洗；5)在清洗后的第一接触孔凹槽和第二接触孔凹槽中沉积钨后进行平坦化处理，形成对应的第一接触孔和第二接触孔。其中，由于步骤4)之前，并未在第一接触孔凹槽中形成任何保护层来保护第一接触孔的氧化物侧壁，使得在步骤4)清洗的过程中，第一接触孔的氧化物侧壁容易受到清洗溶液的损坏，使得在后续沉积钨时，钨会进入到损坏的区域，如图5所示的通过专业设备拍摄的第一接触孔的照片，其不仅会使最终形成的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维存储器形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括外围区和核心区；在所述核心区上形成台阶结构，并在所述外围区和所述台阶区上形成掩盖层；刻蚀所述台阶结构对应的掩盖层，形成第一接触孔凹槽；形成覆盖掩盖层的上表面及所述第一接触孔凹槽的侧壁和底部的保护层；刻蚀所述外围区对应的掩盖层及保护层，形成第二接触孔凹槽；去除掩盖层上的保护层及所述第一接触孔凹槽底部的保护层后，对当前的第一接触孔凹槽进行清洗；在清洗后的第一接触孔凹槽和第二接触孔凹槽中沉积金属并进行平坦化处理，形成对应的第一接触孔和第二接触孔。

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括外围区和核心区；在所述核心区上形成台阶结构，并在所述外围区和所述台阶区上形成掩盖层；刻蚀所述台阶结构对应的掩盖层，形成第一接触孔凹槽；形成覆盖掩盖层的上表面及所述第一接触孔凹槽的侧壁和底部的保护层；刻蚀所述外围区对应的掩盖层及保护层，形成第二接触孔凹槽；去除掩盖层上的保护层及所述第一接触孔凹槽底部的保护层后，对当前的第一接触孔凹槽进行清洗；在清洗后的第一接触孔凹槽和第二接触孔凹槽中沉积金属并进行平坦化处理，形成对应的第一接触孔和第二接触孔。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述核心区上形成台阶结构，具体包括：在所述核心区上形成叠层结构，所述叠层结构包括多层交错沉积的氮化物层和氧化物层，氮化物层形成于相邻的氧化物层之间；刻蚀所述叠层结构形成台阶结构。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述外围区和所述台阶区上形成掩盖层，具体为：将四乙氧基硅烷作为前驱反应物，采用低压化学气相沉积或者等离子体化学气象沉积的方法，在所述外围区和所述台阶区上沉积二氧化硅形成掩盖层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用原子层沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：何欢，高晶，高倩，黄攀，杨川，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42