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本发明公开了一种三维存储器及其形成方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供衬底，衬底包括外围区和核心区；在核心区上形成台阶结构，并在外围区和台阶区上形成掩盖层；刻蚀掩盖层形成第一接触孔凹槽；形成覆盖掩盖层的上表面及第一接触孔凹槽的侧壁和...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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