一种浅沟槽隔离有源区的方法技术
A method of isolating active region with shallow trench
The invention discloses a method for shallow trench isolation of the active region, the method comprises: providing a substrate; forming a shallow trench structure preset shape on the substrate; forming an isolation oxide layer on the surface of the shallow trench isolation structure; one side of the oxide layer on the deviation of the shallow trench structure form a barrier in the deposition layer; a shallow trench structure within the thin films, and annealing treatment. By setting up the isolation oxide layer and barrier structure, the chemical reaction between the deposited film and the substrate is eliminated during the annealing process, which effectively protects the size of the substrate and avoids the loss of the active area.
【技术实现步骤摘要】
一种浅沟槽隔离有源区的方法
本专利技术涉及半导体工艺
，更具体地说，尤其涉及一种浅沟槽隔离有源区的方法。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，半导体器件的特征尺寸正逐步减小，现有的多步的沉积-刻蚀虽然能够改善HDP(High-Density-Plasma，高密度等离子体化学气相沉积)的填充能力，但是会使得工艺极为复杂，且沉积速度较慢，随着循环次数的增加，刻蚀对衬底的损坏会更加严重。HARP(High-Aspect-Ratio-Process，高深宽比工艺)采用TEOSRampup技术在保证填充能力的条件下，获得较快的生长速率，使得HARP逐渐替代HDP工艺成为了市场了主流的填充技术。但是，在现有技术中，衬底的浅沟槽形成之后，填充的薄膜材料在退火处理过程中，会与衬底之间发生化学反应，有效减小了衬底的尺寸，造成了有源区面积的损失。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种浅沟槽隔离有源区的方法，该方法保护有源区面积不会造成损失。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种浅沟槽隔离有源区的方法，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成预设形状的浅沟槽结...
【技术保护点】
一种浅沟槽隔离有源区的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成预设形状的浅沟槽结构；在所述浅沟槽结构的表面形成隔离氧化层；在所述隔离氧化层背离所述浅沟槽结构的一侧形成阻挡层；在所述浅沟槽结构内沉积薄膜，并进行退火处理。
【技术特征摘要】
1.一种浅沟槽隔离有源区的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成预设形状的浅沟槽结构；在所述浅沟槽结构的表面形成隔离氧化层；在所述隔离氧化层背离所述浅沟槽结构的一侧形成阻挡层；在所述浅沟槽结构内沉积薄膜，并进行退火处理。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离氧化层的厚度为40A-50A。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离氧化层为二氧化硅层。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述隔离氧化层背离所述浅沟槽结构的一侧形成阻挡层包括：在形成所述隔离氧化层的浅沟槽结构中，通过离子注入的方式掺杂氮离子；所述氮离子与所述二氧化硅层发生化学反应，在所述隔离氧化层背离所述浅沟槽结构的一侧形成氮氧化硅层。6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：余德钦，周文斌，张磊，高永辉，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42
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