温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种浅沟槽隔离有源区的方法，该方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成预设形状的浅沟槽结构；在所述浅沟槽结构的表面形成隔离氧化层；在所述隔离氧化层背离所述浅沟槽结构的一侧形成阻挡层；在所述浅沟槽结构内沉积薄膜，并进行退火处理。该方...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。