半导体封装及其制造方法技术

一种半导体封装及其制造方法。作为一非限制性的例子，此揭露内容的各种特点是提供一种半导体封装以及一种制造其之方法，其包括一第一半导体晶粒、在所述第一半导体晶粒上的复数个和彼此间隔开的黏着剂区域、以及一黏着至所述复数个黏着剂区域的第二半导体晶粒。

Semiconductor package and its manufacturing method

A semiconductor package and its manufacturing method. As a non limiting example, the various characteristics of disclosure is to provide a semiconductor package and a manufacturing method thereof, which comprises a first semiconductor die, on the first semiconductor die on a plurality of spaced apart and adhesive area, and an adhesive to the plurality of adhesive the second semiconductor die.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装及其制造方法
本专利技术关于半导体装置及其制造方法。
技术介绍
现有的半导体装置以及用于制造半导体装置的方法存在不足，例如灵敏度过低、成本过高、降低可靠度、或是封装尺寸过大。习知及传统的方式的进一步限制及缺点对于具有此项技术的技能者而言，通过此种方式与如同在本申请案的其余部分中参考图式所阐述的本揭露内容的比较将会变成是明显的。
技术实现思路
本
技术实现思路
的各种特点是提供一种半导体封装以及一种制造一半导体封装之方法。作为一非限制性的例子，此揭露内容的各种特点是提供一种半导体封装以及一种制造其的方法，其包括一第一半导体晶粒、在所述第一半导体晶粒上的复数个和彼此间隔开的黏着剂区域、以及一黏着至所述复数个黏着剂区域的第二半导体晶粒。附图说明图1A及1B是根据本揭露内容的各种特点的一种具有高灵敏度的半导体装置的横截面图以及一部分切去的平面图。图2A至2F是描绘在根据本揭露内容的各种特点的一种具有高灵敏度的半导体装置中的各种黏着剂配发区域的平面图。图3是根据本揭露内容的另一实施例的一种具有高灵敏度的半导体装置的横截面图。图4A至4I是描绘根据本揭露内容的各种特点的一种制造一具有高灵敏度的半导体装置的方法的横截面图。具体实施方式以下的讨论是通过提供本揭露内容的例子来呈现本揭露内容的各种特点。此种例子并非限制性的，并且因此本揭露内容的各种特点的范畴不应该是必然受限于所提供的例子之任何特定的特征。在以下的讨论中，所述措辞"例如"、"譬如"以及"范例的"并非限制性的，并且大致与"举例且非限制性的"、"例如且非限制性的"、及类似者为同义的。如同在此所利用的，"及/或"是表示在表列中通过"及/或"所加入的项目中的任一个或多个。举例而言，"x及/或y"是表示三个元素的集合{(x)、(y)、(x,y)}中的任一元素。换言之，"x及/或y"是表示"x及y中的一或两者"。作为另一例子的是，"x、y及/或z"是表示七个元素的集合{(x)、(y)、(z)、(x,y)、(x,z)、(y,z)、(x,y,z)}中的任一元素。换言之，"x、y及/或z"是表示"x、y及z中的一或多个"。在此所用的术语只是为了描述特定例子之目的而已，因而并不欲限制本揭露内容。如同在此所用的，单数形是欲亦包含复数形，除非上下文另有清楚相反的指出。进一步将会理解到的是，当所述术语"包括"、"包含"、"具有"、与类似者用在此说明书时，其指明所述特点、整数、步骤、操作、组件及/或构件的存在，但是并不排除一或多个其它特点、整数、步骤、操作、组件、构件及/或其之群组的存在或是添加。将会了解到的是，尽管所述术语第一、第二、等等在此可被使用以描述各种的组件，但是这些组件不应该受限于这些术语。这些术语只是被用来区别一组件与另一组件而已。因此，例如在以下论述的一第一组件、一第一构件或是一第一区段可被称为一第二组件、一第二构件或是一第二区段，而不脱离本揭露内容的教示。类似地，各种例如是"上方的"、"在…之上"、"下方的"、"在…之下"、"侧边"、"横向的"、"水平的"、"垂直的"、与类似者的空间的术语可以用一种相对的方式而被用在区别一组件与另一组件。然而，应该了解的是构件可以用不同的方式来加以定向，例如一半导体装置可被转向侧边，因而其"顶"表面是水平朝向的，并且其"侧"表面是垂直朝向的，而不脱离本揭露内容的教示。同样将会理解到的是，除非另有明确相反地指出，否则耦合、连接、附接、与类似者的术语是包含直接及间接(例如，具有一介于中间的组件)的耦合、连接、附接、等等。例如，若组件A耦合至组件B，则组件A可以是通过一中间的信号分布结构来间接耦合至组件B、组件A可以是直接耦合至组件B(例如，直接黏着至、直接焊接至、通过直接的金属到金属的接合来附接、等等)、等等。在图式中，结构、层、区域、等等的尺寸(例如，绝对及/或相对的尺寸)可能会为了清楚起见而被夸大。尽管此种尺寸大致是指出一种范例实施方式，但是它们并非限制性的。例如，若结构A被描绘为大于区域B，则此大致是指出一种范例实施方式，但是除非另有指出，否则结构A一般并不需要是大于结构B。此外，在图式中，相同的组件符号可以是指整个讨论中的相似的组件。所述揭露内容的某些实施例是有关于一种具有高灵敏度的半导体装置以及一种其制造(或是制作)方法。一般而言，一种微机电系统(MEMS)封装是表示一种具有许多被整合在相同的芯片上的电子电路及机械构件的系统。用于制造所述MEMS封装的技术是源自于用在制造半导体芯片的硅制程技术。所述MEMS封装是以一种三维的结构来加以制造，其具有被整合在一硅基板上的微加工构件，其例如是包含一阀、一马达、一泵、一齿轮及/或一振膜。尽管一MEMS封装可被利于在此提出的各种例子中，但是本揭露内容的范畴并不限于MEMS封装。根据本揭露内容的一特点，其提供有一种半导体装置，所述半导体装置包含一电路板；一第一半导体晶粒，其电连接至所述电路板；在所述第一半导体晶粒上的复数个和彼此间隔开的黏着剂区域；一第二半导体晶粒，其是黏着至所述复数个黏着剂区域并且电连接至所述电路板；以及一外壳，其是黏着至所述电路板，同时覆盖所述第一半导体晶粒、所述黏着剂区域以及所述第二半导体晶粒。根据本揭露内容的另一特点，其提供有一种半导体装置，所述半导体装置包含一第一半导体晶粒；在所述第一半导体晶粒上的复数个和彼此间隔开的黏着剂区域；以及一黏着至所述复数个黏着剂区域的第二半导体晶粒。根据本揭露内容的又一特点，其提供有一种制造一半导体装置的方法，所述制造方法包含制备一电路板；将一第一半导体晶粒电连接至所述电路板；在所述第一半导体晶粒上形成复数个和彼此间隔开的黏着剂区域；将一第二半导体晶粒附着至所述复数个黏着剂区域，并且将所述第二半导体晶粒电连接至所述电路板；以及将一外壳附着至所述电路板以覆盖所述第一半导体晶粒、所述黏着剂区域以及所述第二半导体晶粒。参照图1A及1B，根据本揭露内容的各种特点的一种具有高灵敏度的半导体装置的横截面图以及部分切去的平面图被描绘。如同在图1A及1B中所绘，根据本揭露内容的各种特点的具有高灵敏度的半导体装置100包含一电路板110、一第一半导体晶粒120、复数个黏着剂区域130、一第二半导体晶粒140、以及一外壳150。在此，所述第一半导体晶粒120可以通过例如是导电凸块121来电连接至所述电路板110，并且所述第二半导体晶粒140可以通过例如是导线143来电连接至所述电路板110。所述电路板110例如可包含一绝缘层111(或是介电层)，其具有一实质平面的第一表面111a以及一与所述第一表面111a相对的实质平面的第二表面111b；第一电路图案112a，其被形成在所述绝缘层111的第一表面111a上；第二电路图案112b，其被形成在所述绝缘层111的第二表面111b上；以及导电贯孔113，其是将所述第一电路图案112a以及所述第二电路图案112b彼此连接。注意到的是，所述电路板110仅仅是一例子而已，并且各种基板结构的任一种都可被利用(例如，有核心及无核心的基板、中介体结构、单层或是多层的重布线结构、等等)。在此，所述绝缘层111的第一表面111a以及所述第一电路图案112a可以被例如是一第一保护层114a(或介电层)所覆盖，并且所述绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其包括：基板；第一半导体晶粒，其具有顶端第一晶粒表面以及底部第一晶粒表面，其中所述底部第一晶粒表面是耦合至所述基板，并且所述第一半导体晶粒是电连接至所述基板；复数个彼此间隔开的黏着剂区域，其是在所述顶端第一晶粒表面上；以及第二半导体晶粒，其具有顶端第二晶粒表面以及底部第二晶粒表面，其中所述底部第二晶粒表面是黏着至所述复数个黏着剂区域，并且所述第二半导体晶粒是电连接至所述基板。

【技术特征摘要】
2016.05.09 US 15/149,6691.一种半导体装置，其包括：基板；第一半导体晶粒，其具有顶端第一晶粒表面以及底部第一晶粒表面，其中所述底部第一晶粒表面是耦合至所述基板，并且所述第一半导体晶粒是电连接至所述基板；复数个彼此间隔开的黏着剂区域，其是在所述顶端第一晶粒表面上；以及第二半导体晶粒，其具有顶端第二晶粒表面以及底部第二晶粒表面，其中所述底部第二晶粒表面是黏着至所述复数个黏着剂区域，并且所述第二半导体晶粒是电连接至所述基板。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述基板是电路板。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中直接介于所述第一半导体晶粒与所述第二半导体晶粒之间的容积只包括所述复数个黏着剂区域以及空气。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述复数个黏着剂区域的至少一部分是被设置在所述第一半导体晶粒及/或所述第二半导体晶粒的角落处。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述复数个黏着剂区域的至少一部分是沿着所述第一半导体晶粒及/或所述第二半导体晶粒的侧边来加以设置。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述复数个黏着剂区域中的至少一个是被形成在所述第一半导体晶粒及/或所述第二半导体晶粒的中心处。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述复数个黏着剂区域的每一个具有在10μm到50μm的范围内的垂直的厚度。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述黏着剂区域是由以下的至少一种所做成的：塑性体、弹性体、热塑性弹性体、热固的树脂以及光可固化树脂。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述复数个黏着剂区域的每一个包括：第一黏着剂区域，其是在所述顶端第一晶粒表面上，并且黏着至所述顶端第一晶粒表面；以及第二黏着剂区域，其是在所述顶端第一晶粒表面以及所述第一黏着剂区域上，并且黏着至所述顶端第一晶粒表面以及所述第一黏着剂区域，并且黏着至所述底部第二晶粒表面。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述第一黏着剂区域包括第一黏着剂，并且所述第二黏着剂区域包括不同于所述第一黏着剂的第二黏着剂。11.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李杰恩，金本吉，金阳锡，崔旭，俞升宰，李英宇，邱彦纳拉，班东和，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US