The invention discloses a DBC structure which can improve the welding quality, which comprises a middle ceramic insulating layer, a lower copper layer and an upper copper layer arranged on both sides of the middle ceramic insulating layer, and a plurality of bulges distributed on the welding surface of the lower copper layer. The invention adopts DBC structure in welding DBC and bottom plate, DBC copper layer and the upper surface of the bottom plate between the solder melting DBC by self gravity and assembly weight until the next fall, the copper layer contact with a ridge on the upper face of the bottom plate, at the cuboid space volume and volume of solder by DBC welding copper layer face, bulge height and floor surface composition is basically the same, will solder is evenly distributed in the space, so as to effectively improve the DBC copper layer and the upper surface of the bottom plate is welded between the layer thickness uniformity, and ultimately improve the reliability of the whole process of the rate of finished products and finished products.
【技术实现步骤摘要】
一种可提高焊接质量的DBC结构
本专利技术属于IGBT
,涉及一种DBC结构,尤其是一种可提高焊接质量的DBC结构。
技术介绍
DBC(铜直接键合)作为IGBT(绝缘栅双极晶体管)器件的关键配件,通常由上铜层、中陶瓷绝缘层及下铜层组成,其主要作用包括实现多芯片以不同拓扑结构互联、实现器件的电气隔离、作为器件的主要散热通道等。其中,DBC下铜层通常通过焊料被焊接在IGBT底板上,主要用于实现DBC与底板间的连接。因为底板与DBC下铜层连接的面为一平面,为了实现较为平整的焊接,现有DBC下铜层表面通常也被设计制造为一个平面,具体如图1所示。焊接过程中,DBC下铜层与底板上表面间的焊料要经过固-液-固相变,由于焊接参数、工装结构、配件结构等的差异,很难保证焊接层的厚度均匀性,而焊料的厚度不一致又极有可能产生堆焊(焊料在DBC周边某些区域堆积)等现象,影响器件成品率,同时也增加了键合工艺失效的风险。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术的缺点,提供一种可提高焊接质量的DBC结构。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的:这种可提高焊接质量的DBC结构,包 ...
【技术保护点】
一种可提高焊接质量的DBC结构,包括中陶瓷绝缘层(2)以及设置在中陶瓷绝缘层两侧的下铜层(1)和上铜层(3),其特征在于,在下铜层(1)的焊接面上分布有若干凸起(4)。
【技术特征摘要】
1.一种可提高焊接质量的DBC结构,包括中陶瓷绝缘层(2)以及设置在中陶瓷绝缘层两侧的下铜层(1)和上铜层(3),其特征在于,在下铜层(1)的焊接面上分布有若干凸起(4)。2.根据权利要求1所述的可提高焊接质量的DBC结构,其特征在于,所述凸起(4)与下铜层(1)为一体。3.根据权利要求1所述的可提高焊接质量的DBC结构,其特征在于,所述凸起(4)的高度与焊片厚度...
【专利技术属性】
技术研发人员:于凯,
申请(专利权)人:西安中车永电电气有限公司,
类型:发明
国别省市:陕西,61
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