半导体器件制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体器件。所述半导体器件包括：具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体层；耦接在所述第二侧的一个或多个导电焊盘；一个或多个电绝缘层，其耦接在所述第二侧并且具有一个或多个开口，这些开口提供通向所述一个或多个导电焊盘的入口；耦接在所述半导体层的第一侧上的导电层；耦接在所述导电层上的一个或多个背金属层；耦接在所述一个或多个导电焊盘上方的一个或多个焊盘上金属化(OPM)层，所述一个或多个OPM层包括镍层，以及；耦接在所述一个或多个OPM层上方的扩散阻挡层；其中所述半导体器件包括绝缘栅双极晶体管和/或二极管。本实用新型专利技术解决的一个技术问题是防止镍扩散到焊料中，实现的一个技术效果是提供一种改进的半导体器件。

semiconductor device

The utility model relates to a semiconductor device. The semiconductor device includes a semiconductor layer having a first side and a second side opposite the first side; coupling one or a plurality of conductive pads connected to the second side; one or more electrically insulating layer, the coupled at the second side and has one or more openings. These openings provide entrance to the one or a plurality of conductive pads; the conductive layer is coupled to the semiconductor layer on the first side; coupled with the conductive layer on one or more metal layers; coupled with one or more metal pads the one or a plurality of conductive pads of the upper layer (OPM), one or more of the OPM layer comprises a nickel layer, as well as; coupled at the top of one or more OPM layer diffusion barrier layer; wherein the semiconductor device includes an insulated gate bipolar transistor and / or diode. A technical problem solved by the utility model is to prevent the diffusion of nickel into the solder, and a technical effect is achieved by providing an improved semiconductor device.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
技术介绍
1.
本文档的各方面整体涉及半导体器件。2.
技术介绍
半导体制造工艺可涉及许多步骤。在一些工艺中，晶圆接纳一个或多个层，例如导电层。导电层可用于提供从晶圆切割的各个半导体器件的电接触区域。导电层可包括位于晶圆背面的一个或多个背金属(BM)层和位于晶圆正面的一个或多个焊盘上金属化(OPM)层。
技术实现思路
本技术解决的一个技术问题是防止镍扩散到焊料中。半导体器件的实施方式可包括：具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体层；耦接在所述第二侧的一个或多个导电焊盘；一个或多个电绝缘层，其耦接在所述第二侧并且具有一个或多个开口，这些开口提供通向所述一个或多个导电焊盘的入口；耦接在所述半导体层的第一侧上的导电层；耦接在所述导电层上的一个或多个背金属(BM)层；耦接在所述一个或多个导电焊盘上方的一个或多个焊盘上金属化(OPM)层，所述一个或多个OPM层包括镍层，以及；耦接在所述一个或多个OPM层上方的扩散阻挡层；其中所述半导体器件包括绝缘栅双极晶体管(IGBT)和/或二极管。半导体器件的实施方式可包括以下各项中的一者、全部或任一者：所述一个或多个BM层可包括镍层。所述一个或多个BM层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于包括：半导体层，所述半导体层具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；耦接在所述第二侧的一个或多个导电焊盘；一个或多个电绝缘层，所述电绝缘层耦接在所述第二侧并且具有一个或多个开口，所述开口提供通向所述一个或多个导电焊盘的入口；耦接在所述半导体层的所述第一侧上的导电层；耦接在所述导电层上的一个或多个背金属层；耦接在所述一个或多个导电焊盘上方的一个或多个焊盘上金属化层，所述一个或多个焊盘上金属化层包括镍层，以及耦接在所述一个或多个焊盘上金属化层上方的扩散阻挡层；其中所述半导体器件包括绝缘栅双极晶体管和二极管中的一者。

【技术特征摘要】
2016.06.30 US 15/198,8591.一种半导体器件，其特征在于包括：半导体层，所述半导体层具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；耦接在所述第二侧的一个或多个导电焊盘；一个或多个电绝缘层，所述电绝缘层耦接在所述第二侧并且具有一个或多个开口，所述开口提供通向所述一个或多个导电焊盘的入口；耦接在所述半导体层的所述第一侧上的导电层；耦接在所述导电层上的一个或多个背金属层；耦接在所述一个或多个导电焊盘上方的一个或多个焊盘上金...

【专利技术属性】
技术研发人员：林育圣，野间崇，石部真三，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国,US