焊球、其制造方法以及半导体元件技术

本发明专利技术提供一种焊球、其制造方法以及半导体元件，其中焊球，包括：银球体结构以及外层结构。外层结构包覆银球体结构的表面，其中外层结构的材料至少包括锡。本发明专利技术的焊球在与其他元件接合时可以维持稳定的高度，不致于塌陷。

Solder ball, its manufacturing method and semiconductor element

The invention provides a solder ball, its manufacturing method and semiconductor device, which comprises: silver solder ball, body structure and outer structure. The outer surface of the structure is coated with a silver sphere, in which the outer layer contains at least tin. The solder ball of the present invention can maintain a stable height without causing collapse when engaged with other elements.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种焊球、其制造方法以及半导体元件，尤其涉及一种具有银球体结构的焊球、其制造方法以及半导体元件。
技术介绍
随着科技的进步，各类电子产品皆朝向高速、高效能以及轻薄短小的趋势发展，而在这趋势之下，半导体封装的微型化也随之应运而生。近年来，芯片倒装焊接技术(FlipChipBondingTechnology，简称FC)已然成为半导体封装的重要方向。覆晶接合技术是一种将芯片连接至载体的封装技术，其主要是将多个焊垫配置于芯片的主动面上，并在焊垫上形成凸块(bump)，接着将芯片倒装(flip)之后，再经由这些凸块，将芯片上的焊垫分别电性连接至载体上的接点(contact)，使得芯片可经由凸块而电性连接至载体，再经由载体的内部线路而电性连接至外界的电子装置。一般而言，常以锡当作凸块或焊球的材料。然而，在进行回焊之后，低熔点的含锡凸块或焊球容易产生塌陷(collapse)的现象，使得芯片与载体之间的间距缩短或不稳定。更甚者，当塌陷的程度过大，彼此相邻的凸块或焊球容易发生桥接而形成短路(short)现象，进而影响封装良率。
技术实现思路
本专利技术提供一种焊球、其制造方法以及半导体元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种焊球，其特征在于，包括：银球体结构；外层结构，包覆所述银球体结构的表面，其中所述外层结构的材料至少包括锡。

【技术特征摘要】
2016.04.29 TW 1051133851.一种焊球，其特征在于，包括：银球体结构；外层结构，包覆所述银球体结构的表面，其中所述外层结构的材料至少包括锡。2.根据权利要求1所述的焊球，其特征在于，所述外层结构的材料包括锡或锡银合金，且银的含量为2.5％。3.根据权利要求1所述的焊球，其特征在于，所述银球体结构的直径介于30微米至100微米之间，所述外层结构的厚度介于10微米至30微米之间，所述银球体结构的直径与所述外层结构的厚度的总和介于50微米至160微米之间。4.根据权利要求1所述的焊球，其特征在于，所述银球体结构的熔点高于所述外层结构的熔点。5.根据权利要求1所述的焊球，其特征在于，所述银球体结构的硬度大于所述外层结构的硬度。6.一种焊球的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢东宝，徐子涵，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71