半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

半导体装置及其制造方法。一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。作为非限制性实例，本发明专利技术的各种方面提供一种半导体装置及一种其制造方法，所述半导体装置包括：衬底，其包含介电层；至少一个导电迹线和导电凸块衬垫，其形成于所述介电层的一个表面上；和保护层，其覆盖所述至少一个导电迹线和导电凸块衬垫，所述至少一个导电凸块衬垫具有通过所述保护层暴露的一端；和半导体裸片，其电连接到所述衬底的所述导电凸块衬垫。

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Semiconductor device and manufacturing method thereof. A semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device. As a non limiting example, various aspects of the present invention provides a semiconductor device and a manufacturing method thereof, wherein the semiconductor device includes a substrate comprising a dielectric layer; at least one of the conductive traces and the conductive bump pad, a surface formed on the dielectric layer; and protection the cover layer, the at least one of the conductive traces and the conductive bump pad, wherein at least one of the conductive bump pad has through the end of the protective layer exposed; and a semiconductor die, which is electrically connected to the substrate of the conductive bump pad.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
目前半导体装置和用于制造半导体装置的方法是不适当的，例如，导致过低的敏感度、过多的成本、降低的可靠性或过大的封装大小。通过比较常规和传统方法与如在本申请的其余部分中参看图式阐述的本专利技术，此类方法的另外的限制和劣势将对所属领域的技术人员变得显而易见。
技术实现思路
本专利技术的各种方面提供一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。作为非限制性实例，本专利技术的各种方面提供一种半导体装置及一种其制造方法，所述半导体装置包括：衬底，其包含介电层；至少一个导电迹线和导电凸块衬垫，其形成于所述介电层的一个表面上；和保护层，其覆盖所述至少一个导电迹线和导电凸块衬垫，所述至少一个导电凸块衬垫具有通过所述保护层暴露的一端；和半导体裸片，其电连接到所述衬底的所述导电凸块衬垫。附图说明图1为根据本专利技术的各种实施例的半导体装置的横截面图。图2A和2B为根据本专利技术的各种实施例的半导体装置中的衬底的一些区域的平面图。图3A和3B为根据本专利技术的各种实施例的半导体装置中的衬底的横截面图。图4A到4H为根据本专利技术的各种实施例的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其包括：衬底，其具有顶部衬底侧和底部衬底侧；导电迹线，其具有顶部迹线侧、在所述顶部衬底侧上的底部迹线侧和在所述顶部迹线侧与所述底部迹线侧之间的侧向迹线侧；导电凸块衬垫，其具有顶部衬垫侧、在所述顶部衬底侧上的底部衬垫侧和在所述顶部衬垫侧与所述底部衬垫侧之间的侧向衬垫侧；以及介电层，其至少覆盖所述顶部迹线侧、所述侧向迹线侧和所述侧向衬垫侧的下部部分；其中所述顶部衬垫侧从所述介电层暴露，且所述导电凸块衬垫在垂直上比所述导电迹线厚。

【技术特征摘要】
2016.05.09 US 15/150,3421.一种半导体装置，其包括：衬底，其具有顶部衬底侧和底部衬底侧；导电迹线，其具有顶部迹线侧、在所述顶部衬底侧上的底部迹线侧和在所述顶部迹线侧与所述底部迹线侧之间的侧向迹线侧；导电凸块衬垫，其具有顶部衬垫侧、在所述顶部衬底侧上的底部衬垫侧和在所述顶部衬垫侧与所述底部衬垫侧之间的侧向衬垫侧；以及介电层，其至少覆盖所述顶部迹线侧、所述侧向迹线侧和所述侧向衬垫侧的下部部分；其中所述顶部衬垫侧从所述介电层暴露，且所述导电凸块衬垫在垂直上比所述导电迹线厚。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述顶部衬垫侧和所述侧向衬垫侧的上部部分从所述介电层突出。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述导电迹线与所述导电凸块衬垫之间的侧向距离小于10μm。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述介电层包括开口，所述导电凸块衬垫通过所述开口被暴露，且所述开口的宽度等于所述导电凸块衬垫的宽度。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述侧向衬垫侧包括从其延伸的多个突出。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其包括附着到所述导电凸块衬垫的半导体裸片，且其中所述半导体裸片包括用覆盖所述侧向衬垫侧的至少一部分的焊料连接到所述导电凸块衬垫的导电凸块。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述焊料接触所述介电层。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其包括附着到所述导电凸块衬垫的半导体裸片，且其中：所述顶部衬垫侧为凹的或凸的；且所述半导体裸片包括通过直接金属到金属结合连接到所述顶部衬垫侧的导电凸块。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其包括第一电镀传导层，所述第一电镀传导层包括所述导电迹线和所述导电凸块衬垫的下部部分。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其包括第二电镀传导层，所述第二电镀传导层包括所述导电凸块衬垫的上部部分。11.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李琼延，李泰勇，新闵哲，欧瑟门，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US