存储器及其形成方法、半导体器件技术

本发明专利技术提供了一种存储器及其形成方法、半导体器件。利用自对准地覆盖字线的第一隔离线作为第一隔离屏障，以及利用自对准地覆盖位线的第二隔离线，使其与位线结合用于构成第二隔离屏障，从而通过第一隔离屏障和第二隔离屏障相交而界定出对应第二接触区的接触窗。即，不需要利用光刻工艺，即可界定出对应存储节点接触的接触窗，不仅可节省制备成本，并且还可减少多道光刻工艺之间的对准偏差，有利于改善后续所形成的存储节点接触和第二接触区之间的接触电阻。

Memory and its forming method and semiconductor device

The present invention provides a memory and its forming method and semiconductor device. The first line of separation self alignment covering the word line as the first isolation barrier, and the use of second separate line self alignment cover line, combine it with a line used to form second isolation barrier, and through the window of the first and second contact isolation barrier isolation barrier intersect and define the corresponding second contact zone. That is, do not need to use the lithography process, to define the contact window corresponding to the storage node contact, not only can save the cost of preparation, and also can reduce the misalignment between multi-channel lithography process, a contact resistance between the storage node contact and the second contact area to improve the subsequent formation of the.

【技术实现步骤摘要】
存储器及其形成方法、半导体器件
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种存储器及其形成方法，以及半导体器件。
技术介绍
存储器通常包括存储电容器以及连接到所述存储元件的存储晶体管，所述存储电容器用来存储代表存储信息的电荷。所述存储晶体管中形成有源区、漏区和栅极，所述栅极用于控制所述源区和漏区之间的电流流动，并连接至字线导体，所述源区用于构成位线接触区，以连接至位线，所述漏区用于构成存储节点接触区，以连接至存储电容器。在传统的存储器的制备方法中，通常包括定义有源区(ActiveArea，AA)、定义字线导体(WordLine，WL)、定义位线接触窗、定义位线(BitLine，BL)以及定义存储节点接触窗等至少5道光刻工艺。因此，在制备过程中，需相应的提供对应该5道光刻工艺的5道光罩，例如，定义有源区的光罩可以为岛状光罩，定义字线导体和位线的光罩可以为线状光罩，以及定义位线接触窗和存储节点接触窗的光罩可以为接触孔光罩。随着存储器尺寸的不断缩减，存储器中的各个组件的特征尺寸(例如，字线导体和位线的线宽、接触窗的开口尺寸等)也随之缩小，而这对于目前的光刻工艺而言，将是一项极大的挑战。并且，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底中定义有多个相对于第一方向倾斜延伸的有源区，所述有源区上定义有一用于形成第一接触区的第一区域和多个用于形成第二接触区的第二区域，多个所述第二区域延伸在所述有源区的延伸方向上且位于所述第一区域的两侧；形成一字线掩膜在所述衬底上，所述字线掩膜中形成有多个对应字线导体且沿所述第一方向延伸的开口；形成多条字线导体在对应所述开口的所述衬底中，在所述字线导体的两侧分布有多个沿所述第一方向排布的所述第二区域；对准所述字线导体形成一第一隔离线在所述衬底上，所述第一隔离线填充所述开口以覆盖所述字线导体，所述第一隔离线沿着所述第一方向延伸，用于构成一在所...

【技术特征摘要】
1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底中定义有多个相对于第一方向倾斜延伸的有源区，所述有源区上定义有一用于形成第一接触区的第一区域和多个用于形成第二接触区的第二区域，多个所述第二区域延伸在所述有源区的延伸方向上且位于所述第一区域的两侧；形成一字线掩膜在所述衬底上，所述字线掩膜中形成有多个对应字线导体且沿所述第一方向延伸的开口；形成多条字线导体在对应所述开口的所述衬底中，在所述字线导体的两侧分布有多个沿所述第一方向排布的所述第二区域；对准所述字线导体形成一第一隔离线在所述衬底上，所述第一隔离线填充所述开口以覆盖所述字线导体，所述第一隔离线沿着所述第一方向延伸，用于构成一在所述字线掩膜中的第一隔离屏障；形成多个对应位线的位线沟槽在所述衬底上的所述字线掩膜中，所述位线沟槽交错地穿越所述第一隔离线；形成多条位线在所述位线沟槽中，所述位线的表面低于所述位线沟槽的顶表面，所述位线与相应的有源区相交，以使所述相应的有源区中的所述第一接触区连接至所述位线上，其中，分布在所述字线导体的同一侧的多个所述第二区域中，两个相邻的所述第二区域分别位于所述位线的两侧；对准所述位线形成一第二隔离线在所述衬底上，所述第二隔离线填充所述位线沟槽以覆盖所述位线，所述第二隔离线沿着所述第二方向延伸，并与所述位线共同用于构成一在所述字线掩膜中的第二隔离屏障；以所述第一隔离屏障和所述第二隔离屏障为二次掩膜，局部去除所述字线掩膜以暴露出所述第二接触区，所述第一隔离屏障和所述第二隔离屏障相交以共同界定出多个接触窗，每一所述第二接触区对应一个所述接触窗；以及，形成一导电层在所述衬底上，所述导电层填充所述接触窗用于构成存储节点接触。2.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第二隔离屏障的表面不低于所述第一隔离屏障的表面，所述导电层对准地填充在所述接触窗中，以构成所述存储节点接触。3.如权利要求2所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述导电层的形成方法包括：填充所述导电材料层于所述接触窗并覆盖所述第一隔离屏障和所述第二隔离屏障；以及，去除所述导电材料层中位于所述第一隔离屏障顶部和位于所述第二隔离屏障顶部的部分，使剩余的所述导电材料层仅填充在所述接触窗中以构成所述存储节点接触；其中，在部分去除所述导电材料层时，利用所述第一隔离屏障和所述第二隔离屏障为刻蚀停止层执行回刻蚀工艺；或者，利用所述第一隔离屏障和所述第二隔离屏障为研磨停止层执行化学机械研磨工艺。4.如权利要求2所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第二隔离线的形成方法包括：形成一第二隔离材料层在所述衬底上，所述第二隔离材料层填充所述位线沟槽并覆盖所述字线掩膜；以及，去除所述第二隔离材料层中位于所述字线掩膜顶部的部分，使剩余的所述第二隔离材料层仅填充在所述位线沟槽中，以构成覆盖所述位线的所述第二隔离线；其中，在部分去除所述第二隔离材料层时，利用所述字线掩膜为研磨停止层执行化学机械研磨工艺；或者，利用所述字线掩膜为刻蚀停止层执行回刻蚀工艺。5.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第二隔离屏障的表面低于所述第一隔离屏障的表面，并且两条相邻的所述第一隔离屏障之间的间隔界定出一沿着所述第一方向延伸的凹槽，所述导电层填充在所述凹槽中，并且所述导电层覆盖所述第二隔离屏障，使位于同一所述凹槽中的多个所述接触窗中的所述导电层相互连接。6.如权利要求5所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述导电层的形成方法包括：填充所述导电材料层于所述凹槽并覆盖所述第一隔离屏障和所述第二隔离屏障；以及，去除所述导电材料层中位于所述第一隔离屏障顶部的部分，使剩余的所述导电材料层仅填充在所述凹槽中以构成所述导电层，所述导电层覆盖所述第二隔离屏障，使位于同一所述凹槽中的多个所述接触窗中的所述导电层相互连接；其中，在部分去除所述导电材料层时，利用所述第一隔离屏障为刻蚀停止层执行回刻蚀工艺；或者，利用所述第一隔离屏障为研磨停止层执行化学机械研磨工艺。7.如权利要求5所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第二隔离线的形成方法包括：形成一隔离层在所述衬底上，所述隔离层覆盖所述位线沟槽的底部和侧壁以覆盖所述位线；形成一掩膜盖层在所述衬底的所述隔离层上并填充所述位线沟槽，所述掩膜盖层的表面低于所述第一隔离线的表面，位于所述位线沟槽中的所述掩膜盖层和所述隔离层构成所述第二隔离线。8.如权利要求7所述的存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述导电层之前，还包括去除所述掩膜盖层；以及，在形成所述导电层之后，所述导电层覆盖所述隔离层。9.如权利要求7所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述掩膜盖层为一导电材料层，在形成所述导电层之后，所述导电层覆盖所述第二隔离线的所述隔离层和所述掩膜盖层，其中，所述导电层和所述掩膜盖层共同用于构成所述存储节点接触。10.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第一隔离线对准的覆盖所述字线导体，其形成方法包括：利用所述字线掩膜为掩膜刻蚀所述衬底，以形成一...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34