形成存储胞接触结构的方法技术

本发明专利技术公开了一种形成存储胞接触结构的方法。先提供具有第一凸起结构及第二凸起结构的衬底，在衬底上沉积一蚀刻停止层，再在蚀刻停止层上全面沉积一牺牲层，凹蚀牺牲层，再在牺牲层上表面上形成间隙壁，再将未被间隙壁覆盖的牺牲层蚀除，形成一凹陷结构，再在凹陷结构内填入一填充材料层，去除填充材料层的上部及间隙壁，以显露出牺牲层的上表面，再去除牺牲层以形成接触洞，然后进行贯通蚀刻工艺，移除接触洞底部蚀刻停止层，最后在接触洞内填入导电材料层。

Method for forming contact structure of storage cell

The invention discloses a method for forming a contact structure of a storage cell. To provide a substrate having a first convex structure and two convex structure, deposited on the substrate an etch stop layer, the etch stop layer to the deposition of a sacrificial layer, etching the sacrificial layer, then the clearance wall is formed on the sacrificial layer on the surface, and will not be covered by the sacrificial layer etching gap wall in formation a hollow structure, a layer of filling material filled in the depression structure, removal and clearance fills the upper material layer, to reveal the upper surface of the sacrificial layer, and then removing the sacrificial layer to form a contact hole, and then through the etching process, remove the bottom of contact etch stop layer, the conductive material layer in contact with cave.

【技术实现步骤摘要】
形成存储胞接触结构的方法
本专利技术涉及半导体装置及其制作方法的
，更特定来说，本专利技术涉及一种动态随机存取存储器(DRAM)装置的存储胞接触结构的制作方法。
技术介绍
如本领域所已知的，DRAM是一种随机存取存储器，其将比特数据储存在集成电路内的各个独立的电容器中。DRAM包含由多个电荷存储胞所构成的矩形数组，而各个电荷存储胞通常由一电容器与晶体管组成。通常，DRAM存储胞的各个晶体管包括一栅极、位于半导体衬底中的漏极区，以及在空间上与漏极区分开的源极区。所述栅极通常电连接到一字线。所述源极区通常电连接到一位线。所述漏极区通常借由存储胞接触结构电连接到一电容器。随着行动装置尺寸的微缩，促使DRAM存储胞的设计朝更大的密度和更小特征尺寸及单元面积发展，这使得存储胞接触结构的尺寸急剧缩小，导致接触电阻的增加及工艺余裕的不足。在存储胞接触结构的蚀刻过程中造成的有源区(activearea,AA)伤害已成为本
中亟待解决的问题。因此，本领域仍然需要一种改良的方法，用于制作DRAM装置的存储胞接触结构，不会增加工艺的复杂性，并且能够避免上述先前技术的问题。专利
技术实现思路
本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成存储胞接触结构的方法，其特征在于，包含：提供一衬底，在所述衬底的一主表面上设有一第一凸起结构及一第二凸起结构，所述主表面包含一第一存储胞接触区紧邻所述第一凸起结构及一第二存储胞接触区紧邻所述第二凸起结构；在所述衬底上沉积一顺形的蚀刻停止层，所述蚀刻停止层顺形的覆盖所述第一凸起结构及所述第二凸起结构，且覆盖所述第一存储胞接触区及所述第二存储胞接触区；在所述蚀刻停止层上全面沉积一牺牲层，所述牺牲层填满所述第一凸起结构与所述第二凸起结构的一间隙；凹蚀所述牺牲层，使所述第一凸起结构与所述第二凸起结构的上端部凸出于所述牺牲层的一上表面；在所述第一凸起结构与所述第二凸起结构的上端部的侧壁上及所述牺...

【技术特征摘要】
2016.01.15 US 14/996,2401.一种形成存储胞接触结构的方法，其特征在于，包含：提供一衬底，在所述衬底的一主表面上设有一第一凸起结构及一第二凸起结构，所述主表面包含一第一存储胞接触区紧邻所述第一凸起结构及一第二存储胞接触区紧邻所述第二凸起结构；在所述衬底上沉积一顺形的蚀刻停止层，所述蚀刻停止层顺形的覆盖所述第一凸起结构及所述第二凸起结构，且覆盖所述第一存储胞接触区及所述第二存储胞接触区；在所述蚀刻停止层上全面沉积一牺牲层，所述牺牲层填满所述第一凸起结构与所述第二凸起结构的一间隙；凹蚀所述牺牲层，使所述第一凸起结构与所述第二凸起结构的上端部凸出于所述牺牲层的一上表面；在所述第一凸起结构与所述第二凸起结构的上端部的侧壁上及所述牺牲层的所述上表面上，形成间隙壁；以所述间隙壁作为一蚀刻硬掩膜，自动对准将未被所述间隙壁覆盖的所述牺牲层蚀除，如此形成一凹陷结构；在所述凹陷结构内填入一填充材料层；进行一第一平坦化工艺，去除所述填充材料层的一上部、所述间隙壁，及所述第一凸起结构与所述第二凸起结构的所述上端部，直到所述牺牲层的一上表面显露出来；去除所述牺牲层，在原本所述牺牲层所在处形成接触洞；进行一贯通蚀刻工艺，移除所述接触洞底部所述蚀刻停...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨胜威，吴铁将，王文傑，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US