一种分立器件的圆胞结构制造技术

技术编号:12509484 阅读:132 留言:0更新日期:2015-12-13 14:34
本实用新型专利技术公开了一种分立器件的圆胞结构,所述圆胞形状为正多边形,所包括的边的数量大于等于12。所述的圆胞形状为正三十六边形。所述的圆胞形状为正六十四边形。所述的圆胞形状的正多边形的边的数量为无穷大,即所述的圆胞形状为圆形。所述分立器件为MOSFET或IGBT或Diode。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体制造
,特别涉及一种分立器件的圆胞结构
技术介绍
现有技术中,常规的分立器件的圆胞形状是条形、三角形、正方形、菱形和六边形圆胞结构,如图1所示。这种圆胞形状结构的沟道宽度利用率不高,导致分立器件性能无法进一步提高。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种分立器件的圆胞结构。本技术的技术方案是,一种分立器件的圆胞结构,所述圆胞形状为正多边形,所包括的边的数量大于等于12。所述的圆胞形状为正三十六边形。所述的圆胞形状为正六十四边形。所述的圆胞形状的正多边形的边的数量为无穷大,即所述的圆胞形状为圆形。所述分立器件为MOSFET或IGBT或Diode。本技术可以提高分立器件沟道宽度利用率,提升分立器件沟道密度,优化性能。附图说明通过参考附图阅读下文的详细描述,本技术示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中,以示例性而非限制性的方式示出了本技术的若干实施方式,其中:图1是现有分立器件的圆胞结构示意图,包括正方形,菱形,三角形,六边形,条形圆胞结构。图2是本技术实施例中的正十二边形圆胞结构示意图。图3是本技术实施例中的圆形圆胞结构示意图。具体实施方式如图2和图3所示,一种分立器件的圆胞结构,所述圆胞形状为正十二边形,所述的圆胞形状为圆形。圆胞形状可以是正十二边形、正三十六边形或正六十四边形。对于圆胞的Pitch,PolyCD,ContactCD没有限制。器件类型不限,可以是MOSFET,IGBT,Diode等。ContactCD是接触孔的条宽,PolyCD是多晶的条宽。传统的分立器件圆胞结构,条形,三角形,正方形,菱形,六边形圆胞结构,沟道宽度利用率不高。本技术提出一种极限圆胞结构,提高了沟道宽度利用率。值得说明的是,虽然前述内容已经参考若干具体实施方式描述了本技术创造的精神和原理,但是应该理解,本技术创造并不限于所公开的具体实施方式,对各方面的划分也不意味着这些方面中的特征不能组合,这种划分仅是为了表述的方便。本技术创造旨在涵盖所附权利要求的精神和范围内所包括的各种修改和等同布置。本文档来自技高网...
一种分立器件的圆胞结构

【技术保护点】
一种分立器件的圆胞结构,其特征在于,所述圆胞形状为正多边形,所包括的边的数量大于等于12。

【技术特征摘要】
1.一种分立器件的圆胞结构,其特征在于,所述圆胞形状为正多边
形,所包括的边的数量大于等于12。
2.如权利要求1所述的分立器件的圆胞结构,其特征在于,所述的
圆胞形状为正三十六边形。
3.如权利要求1所述的分立器件的圆胞结构,其特征在于,所述的
圆胞形状为...

【专利技术属性】
技术研发人员:陆怀谷
申请(专利权)人:深圳市谷峰电子有限公司香港谷峰半导体有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1