【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体制造
,特别涉及一种分立器件的圆胞结构。
技术介绍
现有技术中,常规的分立器件的圆胞形状是条形、三角形、正方形、菱形和六边形圆胞结构,如图1所示。这种圆胞形状结构的沟道宽度利用率不高,导致分立器件性能无法进一步提高。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种分立器件的圆胞结构。本技术的技术方案是,一种分立器件的圆胞结构,所述圆胞形状为正多边形,所包括的边的数量大于等于12。所述的圆胞形状为正三十六边形。所述的圆胞形状为正六十四边形。所述的圆胞形状的正多边形的边的数量为无穷大,即所述的圆胞形状为圆形。所述分立器件为MOSFET或IGBT或Diode。本技术可以提高分立器件沟道宽度利用率,提升分立器件沟道密度,优化性能。附图说明通过参考附图阅读下文的详细描述,本技术示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中,以示例性而非限制性的方式示出了本技术的若干实施方式,其中:图1是现有分立器件的圆胞结构示意图,包括正方形,菱形,三角形,六边形,条形圆胞结构。图2是本技术实施例中的正十二边形圆胞结构示意图。图3是本技术实施例中的圆形圆胞结构示意图。具体实施方式如图2和图3所示,一种分立器件的圆胞结构,所述圆胞形状为正十二边形,所述的圆胞形状为圆形。圆胞形状可以是正十二边形、正三十六边形或正六十四边形。对于圆胞的Pitch,PolyCD,ContactCD没有限制。器件类型不限,可以是MOSFE ...
【技术保护点】
一种分立器件的圆胞结构,其特征在于,所述圆胞形状为正多边形,所包括的边的数量大于等于12。
【技术特征摘要】
1.一种分立器件的圆胞结构,其特征在于,所述圆胞形状为正多边
形,所包括的边的数量大于等于12。
2.如权利要求1所述的分立器件的圆胞结构,其特征在于,所述的
圆胞形状为正三十六边形。
3.如权利要求1所述的分立器件的圆胞结构,其特征在于,所述的
圆胞形状为...
【专利技术属性】
技术研发人员:陆怀谷,
申请(专利权)人:深圳市谷峰电子有限公司,香港谷峰半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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