半导体器件制造技术
【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本专利技术构思涉及具有电容器的半导体器件及制造该半导体器件的方法。
技术介绍
由于半导体元件具有更高容量且被更高度集成，设计规则可以被减小。设计规则中的此趋势也可以出现在动态随机存取存储器(DRAM)中，动态随机存取存储器是一种半导体存储元件。为了DRAM工作，每个单元中需要超过某一水平的电容。电容上的增大可以增加电容器中存储的电荷的量，从而改善半导体元件的刷新特性。半导体元件的改善的刷新特性能提高半导体元件的良品率。电容器的可靠性可以取决于限定电容器的两电极和两电极之间的电介质的界面特性。这是由于电容器的电特性(诸如泄漏电流)可以由电介质的特性确定或换句话说被电介质的特性影响。
技术实现思路
本专利技术构思的多方面提供具有电容器结构的半导体器件，所述电容器结构包括增大的用于沉积电介质层的空间。本专利技术构思的多方面还提供具有电容器的半导体器件，所述电容器包括由高k材料制成的电介质层。本专利技术构思的多方面提供制造具有电容器的半导体器件的方法，所述电容器包括由高k材料制成的电介质层。然而，本专利技术构思的多方面不限于此处阐述的。通过参考以下给出的对本专利技...
【技术保护点】
一种具有电容器的半导体器件，包括：具有晶体管的衬底；在所述衬底上且彼此分离的第一绝缘图案和第二绝缘图案；第一下电极，其在所述第一绝缘图案的第一表面上，且不形成在所述第一绝缘图案的邻近于所述第一表面的第二表面上；第二下电极，其不在所述第二绝缘图案的面向所述第二表面的第三表面上，且在所述第二绝缘图案的邻近于所述第三表面的第四表面上；电介质层图案，其覆盖所述第一下电极和第二下电极且在所述第二表面和第三表面上以填充所述第一绝缘图案和第二绝缘图案之间的空间；以及在所述电介质层图案上的上电极。
【技术特征摘要】
2015.10.02 KR 10-2015-01390571.一种具有电容器的半导体器件，包括：具有晶体管的衬底；在所述衬底上且彼此分离的第一绝缘图案和第二绝缘图案；第一下电极，其在所述第一绝缘图案的第一表面上，且不形成在所述第一绝缘图案的邻近于所述第一表面的第二表面上；第二下电极，其不在所述第二绝缘图案的面向所述第二表面的第三表面上，且在所述第二绝缘图案的邻近于所述第三表面的第四表面上；电介质层图案，其覆盖所述第一下电极和第二下电极且在所述第二表面和第三表面上以填充所述第一绝缘图案和第二绝缘图案之间的空间；以及在所述电介质层图案上的上电极。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述上电极的顶表面高于所述第一绝缘图案和第二绝缘图案的顶表面。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中在所述第一绝缘图案和第二绝缘图案之间的所述电介质层图案包括凹陷部分，所述凹陷部分的底部低于所述第一绝缘图案和第二绝缘图案的顶表面。4.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：在所述第一绝缘图案和所述衬底之间的第一绝缘层；以及在所述第二绝缘图案和所述衬底之间的第二绝缘层。5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案中的每个被成形为在俯视图中为矩形。6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一下电极不在所述第一绝缘图案的顶表面上，且所述第二下电极不在所述第二绝缘图案的顶表面上。7.一种具有电容器的半导体器件，包括：在衬底上的第一绝缘图案；在所述衬底上且在第一方向上与所述第一绝缘图案分离的第二绝缘图案；第一下电极，其在所述第一绝缘图案的高度方向上沿所述第一绝缘图案的侧壁以及在与所述第一方向交叉的第二方向上沿所述衬底延伸；第二下电极，其在所述第二绝缘图案的高度方向上沿所述第二绝缘图案的侧壁以及在所述第二方向上沿所述衬底延伸；电介质层图案，其在所述第一下电极和第二下电极上且在所述第一绝缘图案和第二绝缘图案之间；以及在所述电介质层图案上的上电极。8.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述第一下电极和所述第二下电极在所述第一方向上彼此分离。9.如权利要求7所述的半导体器件，进一步包括：在所述第一绝缘图案和所述衬底之间的第一绝缘层；以及在所述第二绝缘图案和所述衬底之间的第二绝缘层。10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层在所述第一方向上彼此分离。11.一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括其上的晶体管、所述晶体管上的层间绝缘层、以及沿所述层间绝缘层的表面延伸的接触节点，其中所述接触节点被电联接到所述晶体管的相应源区/漏区；以及在所述层间绝缘层的所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜相列，任基彬，金润洙，林汉镇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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