【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体制造
，特别涉及一种分立器件圆胞排布结构。
技术介绍
现有的分立器件的圆胞结构，如图1和2所示，因为寄生三极管效应，寄生体电阻较大，限制了雪崩冲击和短路能力。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种分立器件圆胞排布结构。本技术的技术方案是，一种分立器件圆胞排布结构，所述分立器件圆胞排布结构的接触孔Contact的宽度小于源区N+的宽度，圆胞结构的源区N+是间隔排列。所述分立器件的器件类型是VDMOS或IGBT。所述分立器件的Poly结构是平面结构或者沟槽结构。本技术通过减小接触孔Contact与源区N+的接触面积，降低寄生电阻效应，提升雪崩冲击和短路能力。本技术可以降低寄生三极管的体电阻效应，提高圆胞的雪崩冲击和短路能力。【附图说明】通过参考附图阅读下文的详细描述，本技术示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本技术的若干实施方式，其中:图1是现有分立器件的一种圆胞结构俯视图。图2是现有分立器件的另一种圆胞结构俯视图。图3是本技术的圆胞结构俯视图。图4是现有常规圆胞结构的剖面图。图5是本技术的圆胞结构部分剖面图。其中，I——多晶(Poly)，2——接触孔(Contact)，3——源区(N+)，4——P+阱区(P+Body)，5--N 型外延区。【具体实施方式】如图3所示，一种分立器件圆胞排布结构，所述分立器件圆胞排布结构的接触孔Contact的宽度小于源区N+的宽度，圆胞结构的源区N+是间隔排列。其中，对于Poly⑶不限，可以随器件性能要求做尺寸调整。对于Contact⑶...
【技术保护点】
一种分立器件圆胞排布结构，其特征在于，所述分立器件圆胞排布结构的接触孔Contact的宽度小于源区N+的宽度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陆怀谷，
申请(专利权)人：深圳市谷峰电子有限公司，香港谷峰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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