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本发明公开了一种形成存储胞接触结构的方法。先提供具有第一凸起结构及第二凸起结构的衬底，在衬底上沉积一蚀刻停止层，再在蚀刻停止层上全面沉积一牺牲层，凹蚀牺牲层，再在牺牲层上表面上形成间隙壁，再将未被间隙壁覆盖的牺牲层蚀除，形成一凹陷结构，再在...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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