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存储器及其形成方法、半导体器件技术
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下载存储器及其形成方法、半导体器件的技术资料
文档序号:16366530
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本发明提供了一种存储器及其形成方法、半导体器件。利用自对准地覆盖字线的第一隔离线作为第一隔离屏障,以及利用自对准地覆盖位线的第二隔离线,使其与位线结合用于构成第二隔离屏障,从而通过第一隔离屏障和第二隔离屏障相交而界定出对应第二接触区的接触窗...
该专利属于睿力集成电路有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过睿力集成电路有限公司授权不得商用。
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