静电放电ESD保护器件和半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种ESD保护器件和半导体装置，涉及半导体技术领域。ESD保护器件包括：衬底结构，其包括衬底以及在衬底上的至少两个半导体鳍片，所述至少两个半导体鳍片包括分离的第一和第二鳍片，该衬底结构包括横向相邻并具有不同导电类型的第一和第二掺杂区，第一掺杂区包括衬底的第一部分和其上的第一鳍片的第一区域，第二掺杂区包括衬底的第二部分及其上的第一鳍片的第二区域和其上的第二鳍片；第一栅极结构，在第一区域的表面的一部分和第二区域的表面的至少一部分上；第一高掺杂区，位于第一区域中，导电类型与第一掺杂区相同，掺杂浓度高于第一掺杂区；第二高掺杂区，位于第二鳍片中，导电类型与第二掺杂区相同，掺杂浓度高于第二掺杂区。

Electrostatic discharge ESD protection device and semiconductor device

The invention discloses a ESD protection device and a semiconductor device, relating to the field of semiconductor technology. ESD protection device includes: a substrate structure includes a substrate on the substrate and at least two of the semiconductor fin, wherein at least two semiconductor fin includes first and second fin separation, the substrate structure includes laterally adjacent and first and second doped regions with different conductivity type, the first region of the first doped region includes a first portion of the substrate and on the first sheet, the second doped region includes second regions of second parts of a first fin and the fin and second on the first gate structure; on the surface of a part of the surface of the first region and the second region of at least a portion of the first; high doping area, located in the first region and the same as the first conductivity type doped region, the doping concentration is higher than the first doped region; second high doping area, located second fins, and the conductive type The two doped region has the same doping concentration than the second doped region.

【技术实现步骤摘要】
静电放电ESD保护器件和半导体装置
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种静电放电(Electro-Staticdischarge，ESD)保护器件和半导体装置。
技术介绍
静电放电现象对半导体器件来说是一个严重的问题。随着器件特征尺寸的不断降低，电源电压也不断降低。在电源电压较低(例如小于6V)时，可以采用浅沟槽隔离(ShallowTrenchIsolation，STI)二极管和栅控二极管作为ESD保护器件；在电源电压较高(例如大于6V)时，可以采用栅极接地N型金属氧化物半导体(GGNMOS)晶体管作为ESD保护器件。但是对于FinFET器件来说，由于鳍片的尺寸更小，单位面积产生的载流子更少，GGNMOS晶体管不容易被触发工作。因此，有必要提出一种新的ESD保护器件，能够适于FinFET器件的制造工艺。
技术实现思路
本公开的一个实施例的目的在于提出一种新颖的ESD保护器件。根据本公开的一个实施例，提供了一种静电放电ESD保护器件，包括：衬底结构，所述衬底结构包括半导体衬底以及在所述半导体衬底上且与衬底邻接的至少两个半导体鳍片，所述至少两个半导体鳍片包括分离的第一鳍片和第二鳍片，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电放电ESD保护器件，其特征在于，包括：衬底结构，所述衬底结构包括半导体衬底以及在所述半导体衬底上且与衬底邻接的至少两个半导体鳍片，所述至少两个半导体鳍片包括分离的第一鳍片和第二鳍片，其中所述衬底结构包括横向相邻的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有不同的导电类型，所述第一掺杂区包括衬底的第一部分以及其上的第一鳍片的第一区域，所述第二掺杂区包括衬底的第二部分以及其上的第一鳍片的第二区域和其上的第二鳍片，所述第二区域和所述第一区域邻接；第一栅极结构，在所述第一鳍片的第一区域的表面的一部分和所述第一鳍片的第二区域的表面的至少一部分上；第一高掺杂区，位于所述第一区域中，其...

【技术特征摘要】
1.一种静电放电ESD保护器件，其特征在于，包括：衬底结构，所述衬底结构包括半导体衬底以及在所述半导体衬底上且与衬底邻接的至少两个半导体鳍片，所述至少两个半导体鳍片包括分离的第一鳍片和第二鳍片，其中所述衬底结构包括横向相邻的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有不同的导电类型，所述第一掺杂区包括衬底的第一部分以及其上的第一鳍片的第一区域，所述第二掺杂区包括衬底的第二部分以及其上的第一鳍片的第二区域和其上的第二鳍片，所述第二区域和所述第一区域邻接；第一栅极结构，在所述第一鳍片的第一区域的表面的一部分和所述第一鳍片的第二区域的表面的至少一部分上；第一高掺杂区，位于所述第一区域中，其导电类型与所述第一掺杂区的相同，掺杂浓度高于所述第一掺杂区；以及第二高掺杂区，位于所述第二鳍片中，其导电类型与所述第二掺杂区的相同，掺杂浓度高于所述第二掺杂区。2.根据权利要求1所述的静电放电ESD保护器件，其特征在于，所述第一高掺杂区电连接至所述第一栅极结构中的栅极，所述第二高掺杂区电连接至接收外部信号的信号输入端。3.根据权利要求2所述的静电放电ESD保护器件，其特征在于，所述第一掺杂区为N型，所述第二掺杂区为P型；所述第一高掺杂区和所述第一栅极结构中的栅极电连接至电源电压。4.根据权利要求2所述的静电放电ESD保护器件，其特征在于，所述第一掺杂区为P型，所述第二掺杂区为N型；所述第一高掺杂区和所述第一栅极结构中的栅极接地。5.根据权利要求1所述的静电放电ESD保护器件，其特征在于，所述第一栅极结构在所述第一鳍片的第一区域的表面的一部分和所述第一鳍片的第二区域的表面的一部分上。6.根据权利要求1所述的静电放电ESD保护器件，其特征在于，所述第一栅极结构在所述第一鳍片的第一区域的表面的一部分和所述第一鳍片的第二区域的表面上。7.根据权利要求1所述的静电放电ESD保护器件，其特征在于，还包括：浅沟槽隔离STI区，位于所述至少两个半导体鳍片中的各鳍片之间的第二掺杂区上。8.根据权利要求7所述的静电放电ESD保护器件，其特征在于，所述第一栅极结构在所述第一鳍片的第一区域的表面的一部分、所述第一鳍片的第二区域的表面和所述第二区域的侧面上。9.根据权利要求1所述的静电放电ESD保护器件，其特征在于，所述第一栅极结构包括：在所述第一鳍片的第一区域的表面的一部分和所述第一鳍片的第二区域的表面的至少一部分上的界面层；在所述第一鳍片上与所述界面层邻接的用于栅极的间隔物；在所述界面层上和间隔物的内侧壁上的高K电介质层；和在所述高K电介质层上的栅极。10.根据权利要求1所述的静电放电ESD保护器件，其特征在于，还包括：在所述第一鳍片未被所述第一栅极结构覆盖的第一区域的端部上的伪栅结构，用于限定用于形成所述第一高掺杂区的开口。11.根据权利要求10所述的静电放电ESD保护器件，其特征在于，所述伪栅结构包括：在所述第一鳍片...

【专利技术属性】
技术研发人员：李勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31