用于保护要由电网运行的单元免受过压的电路装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于保护可由电网运行的单元免受过压的电路装置，所述电路装置具有包括第一和第二输入连接端的输入端和包括第一和第二输出连接端的输出端以及具有保护电路，所述第一和第二输入连接端与电网连接，要保护的单元可连接在所述第一和第二输出连接端上，所述保护电路设置在第一和第二输入连接端之间，以便限制施加在所述保护电路上的电压。根据本发明专利技术，保护电路具有功率半导体、特别是IGBT，其中在功率半导体的集电极与门极之间连接有由Diac即双向二极管和齐纳元件组成的串联电路，其中齐纳电压和双向二极管电压的和产生用于功率半导体的钳位电压，该钳位电压位于电网的电压之上并且限定保护电平。

Circuit device for protecting a unit operated by a power grid from overvoltage

The invention relates to a method for the protection of power grid operation unit from overvoltage circuit device, the circuit device includes a first and a second input end of the input connecting end and output end of the first and the second output end and connected with the protection circuit, the first and second input terminal connected to the power system, to protect the the unit can be connected to the first and second output ends, the protection circuit is arranged between the first and second input ends, so as to limit the voltage applied to the protection circuit. According to the invention, the protection circuit has a power semiconductor, especially IGBT, between the collector power semiconductor gate is connected with the Diac bidirectional diode and Zener components of the series circuit, which is generated and used for power semiconductor zener voltage clamp voltage and bidirectional diode voltage, over voltage of the clamp voltage in power grid and the limited protection level.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种根据权利要求1的前序部分的用于保护由电网运行的单元免受过压的电路装置，所述电路装置具有包括第一和第二输入连接端的输入端和包括第一和第二输出连接端的输出端以及具有保护电路，所述第一和第二输入连接端与电网连接，要保护的单元可连接在所述第一和第二输出连接端上，所述保护电路设置在第一和第二输入连接端之间，以便限制施加在所述保护电路上的电压。
技术介绍
由文献EP0431215A1已知一种用于保护可关断的晶闸管免受不允许的过压的方法和装置。按照那里的教导，对可关断的晶闸管的阳极电压在参考其阴极电压的情况下进行监控并且在超过预先确定的极限值时生成控制信号，由此连接在可关断的晶闸管的门极上的负电压源被关断，并且可关断的晶闸管借助于接通电路被接通。通过这种方式可保护可关断的晶闸管免受不允许的过压。文献DE10338921A1公开了一种保护免受浪涌电压的电路装置。在那里的任务基于如下问题，即保护设备免受例如由在电压电网上的雷击产生的浪涌电压。对此设置的保护电路除了限制装置之外还包括开关装置。开关装置包括开关元件和用于开关元件的驱控电路，以便确保足够精确的参数确定(Dimension本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于保护由电网(1)运行的单元(2)免受过压的电路装置，所述电路装置具有包括第一和第二输入连接端的输入端和包括第一和第二输出连接端的输出端以及具有保护电路，所述第一和第二输入连接端与电网(1)连接，要保护的单元(2)可连接在所述第一和第二输出连接端上，所述保护电路设置在第一和第二输入连接端之间，以便限制施加在所述保护电路上的电压，其特征在于，保护电路具有功率半导体(IGBT；HS)，其中在功率半导体的集电极与门极之间连接有由双向二极管(Diac)或晶闸管二极管和齐纳元件(ZE)组成的串联电路，其中齐纳电压和双向二极管电压的和产生用于功率半导体(IGBT；HS)的钳位电压，该钳位电压位于电网(1...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.10 DE 102015001680.6;2015.04.08 DE 10201501.用于保护由电网(1)运行的单元(2)免受过压的电路装置，所述电路装置具有包括第一和第二输入连接端的输入端和包括第一和第二输出连接端的输出端以及具有保护电路，所述第一和第二输入连接端与电网(1)连接，要保护的单元(2)可连接在所述第一和第二输出连接端上，所述保护电路设置在第一和第二输入连接端之间，以便限制施加在所述保护电路上的电压，其特征在于，保护电路具有功率半导体(IGBT；HS)，其中在功率半导体的集电极与门极之间连接有由双向二极管(Diac)或晶闸管二极管和齐纳元件(ZE)组成的串联电路，其中齐纳电压和双向二极管电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·朔尔克，R·布罗克，T·伯姆，D·多瑙尔，
申请(专利权)人：德恩及索恩两合股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE