一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构制造技术
ESD protection circuit structure of silicon gate MOS integrated circuit
The invention discloses a silicon gate MOS integrated circuit ESD protection circuit structure, including NMOS pipe, internal circuit, port and N type active region injection resistance, the NMOS tube are respectively connected with the internal circuit and the port, the NMOS of the N type active region into resistance. N type active region of the implanted resistor are respectively connected with the internal circuit and the internal circuit of the port, and the port is connected. By setting the N type active region into the resistance in NMOS, not only to reduce the integrated circuit layout area, and ensures that the majority of the first through the NMOS tube of electrostatic discharge, then the resistor is connected to the internal circuit through the N type active region into the electrostatic discharge protection circuit for good effect and low cost.
【技术实现步骤摘要】
一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构
本专利技术涉及集成电路结构
，具体的说是涉及一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构。
技术介绍
传统的硅栅MOS集成电路的ESD保护，有很多结构简单的电路，其中以栅极直接接地或者栅极通过电阻接地的为典型代表，这种电路很难保证端口先经过NMOS管（其起作用的主要为寄生的NPN三极管）释放静电，再经过电阻释放静电，这容易烧毁电阻，或者对电阻要求比较高，到达芯片内部的静电电压及能量也比较高，有单级保护效果不佳，二级保护面积偏大的缺点。上述缺陷，值得解决。
技术实现思路
为了克服现有的技术的不足,本专利技术提供一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构。本专利技术技术方案如下所述：一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，其特征在于，包括NMOS管，内部电路，端口以及N型有源区注入电阻，所述NMOS管分别与所述内部电路以及所述端口连接，所述NMOS管上设置有所述N型有源区注入电阻，所述N型有源区注入电阻分别与所述内部电路以及所述端口连接，所述内部电路与所述端口相连接。进一步的，所述NMOS管的栅极通过接地电阻接地。进一步的，所述...
【技术保护点】
一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，其特征在于，包括NMOS管，内部电路，端口以及N型有源区注入电阻，所述NMOS管分别与所述内部电路以及所述端口连接，所述NMOS管上设置有所述N型有源区注入电阻，所述N型有源区注入电阻分别与所述内部电路以及所述端口连接，所述内部电路与所述端口相连接。
【技术特征摘要】
1.一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，其特征在于，包括NMOS管，内部电路，端口以及N型有源区注入电阻，所述NMOS管分别与所述内部电路以及所述端口连接，所述NMOS管上设置有所述N型有源区注入电阻，所述N型有源区注入电阻分别与所述内部电路以及所述端口连接，所述内部电路与所述端口相连接。2.根据权利要求1所述的硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，其特征在于，所述NMOS管的栅极通过接地电阻接地。3.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘吉平，张怀东，周蕴言，冯冰，
申请(专利权)人：深圳市航顺芯片技术研发有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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