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本发明公开了一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，包括NMOS管，内部电路，端口以及N型有源区注入电阻，所述NMOS管分别与所述内部电路以及所述端口连接，所述NMOS管上设置有所述N型有源区注入电阻，所述N型有源区注入电阻分别与所述内部...
该专利属于深圳市航顺芯片技术研发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市航顺芯片技术研发有限公司授权不得商用。

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