鳍式场效晶体管器件制造技术

本发明专利技术实施例公开了鳍式场效晶体管器件及其形成方法。一种鳍式场效晶体管器件包括在第一区中具有第一鳍及第二鳍且在第二区中具有第三鳍及第四鳍的衬底，以及分别跨越第一鳍至第四鳍的第一栅极至第四栅极。第一栅极的第一端部侧壁面对第二栅极的第二端部侧壁，且在第一端部侧壁与第二端部侧壁之间形成有第一开口。第三栅极的第三端部侧壁面对第四栅极的第四端部侧壁，且在第三端部侧壁与第四端部侧壁之间形成有第二开口。第一区及第二区具有不同的图案密度，且第一开口的侧壁与衬底之间的夹角不同于第二开口的侧壁与衬底之间的夹角。

Fin field effect transistor device

The embodiment of the invention discloses a fin type field effect transistor device and a method for forming the same. A fin field effect transistor device includes a substrate having first and two fin fin with third fins and four fins in the second area in the first zone, and fourth respectively across the first fin to fin the first gate to gate fourth. The first end side wall of the first gate faces the second end side wall of the second gate, and a first opening is formed between the first end side wall and the second end side wall. The third end side wall of the third gate faces the fourth end side wall of the fourth gate, and a second opening is formed between the third end side wall and the fourth end side wall. The first and two regions have different pattern densities, and the included angle between the sidewalls of the first opening and the substrate is different from the included angle between the side wall of the second opening and the substrate.

【技术实现步骤摘要】
鳍式场效晶体管器件
本专利技术实施例涉及鳍式场效晶体管器件及其形成方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit，IC)产业经历了快速的成长。在IC材料和设计技术方面的技术精进使IC有世代的演进，相较于前一世代，下一世代的IC体积更小且电路更为复杂。在集成电路进化的过程中，功能密度(亦即，每芯片面积的互连器件的数量)不断地增加，而几何尺寸(即，可使用制造过程所产生的最小组件或线)不断地缩小。这样的按比例缩小工艺通常通过提高生产效率以及降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。举例来说，引进例如鳍式场效晶体管(fin-typefield-effecttransistor，FinFET)的三维晶体管来替换平面晶体管。尽管现有的鳍式场效晶体管器件及其形成方法对于它们的预期目的通常已经足够，然而它们不是在所有方面都令人完全满意。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，一种鳍式场效晶体管器件包括在第一区中具有第一鳍及第二鳍且在第二区中具有第三鳍及第四鳍的衬底，以及分别跨越所述第一鳍至所述第四鳍本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种鳍式场效晶体管器件，其特征在于包括：衬底，在第一区中具有至少一第一鳍及至少一第二鳍且在第二区中具有至少一第三鳍及至少一第四鳍；跨越所述至少一第一鳍的第一栅极及跨越所述至少一第二鳍的第二栅极，其中所述第一栅极的第一端部侧壁面对所述第二栅极的第二端部侧壁，且在所述第一栅极的所述第一端部侧壁与所述第二栅极的所述第二端部侧壁之间形成有第一开口；以及跨越所述至少一第三鳍的第三栅极及跨越所述至少一第四鳍的第四栅极，其中所述第三栅极的第三端部侧壁面对所述第四栅极的第四端部侧壁，且在所述第三栅极的所述第三端部侧壁与所述第四栅极的所述第四端部侧壁之间形成有第二开口，其中所述第一区的图案密度不同于所述第二区的...

【技术特征摘要】
2016.03.07 US 15/062,2191.一种鳍式场效晶体管器件，其特征在于包括：衬底，在第一区中具有至少一第一鳍及至少一第二鳍且在第二区中具有至少一第三鳍及至少一第四鳍；跨越所述至少一第一鳍的第一栅极及跨越所述至少一第二鳍的第二栅极，其中所述第一栅极的第一端部侧壁面对所述第二栅极的第二端部侧壁，且在所述第一栅极的所述第一端部侧壁与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张哲诚，林志翰，曾鸿辉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71