半导体装置与其形成方法制造方法及图纸

提供半导体装置及其形成方法。半导体装置包括：第一型沟道场效晶体管，包含具有第一栅极结构的第一第一型沟道场效晶体管，以及具有第二栅极结构的第二第一型沟道场效晶体管。第一第一型沟道场效晶体管的临界电压小于第二第一型沟道场效晶体管的临界电压。第一栅极结构包含第一功函数调整材料层，且第二栅极结构包含第二功函数调整材料层。第一功函数调整材料层与第二功函数调整材料层的厚度与材料中至少一者彼此不同。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置与其形成方法
本公开实施例涉及半导体装置的形成方法。
技术介绍
当半导体产业进展至纳米技术工艺节点以达更高装置密度、更高效能、与更低成本时，来自制作与设计的双重挑战导致三维设计(如鳍状场效晶体管)与金属栅极结构搭配高介电常数材料的发展。金属栅极结构的形成方法通常为栅极置换技术。
技术实现思路
本公开一实施例提供的半导体装置，包括：第一型沟道场效晶体管，包含具有第一栅极结构的第一第一型沟道场效晶体管，以及具有第二栅极结构的第二第一型沟道场效晶体管，其中：第一第一型沟道场效晶体管的临界电压小于第二第一型沟道场效晶体管的临界电压，第一栅极结构包含第一功函数调整材料层，且第二栅极结构包含第二功函数调整材料层，以及第一功函数调整材料层与第二功函数调整材料层的厚度与材料中至少一者彼此不同。本公开一实施例提供的半导体装置，包括：第一n型沟道场效晶体管，包含具有临界电压Vn1的第一栅极结构；第二n型沟道场效晶体管，包含具有临界电压Vn2的第二栅极结构；第三n型沟道场效晶体管，包含具有临界电压Vn3的第三栅极结构；第一p型沟道场效晶体管，包含具有临界电压Vp1的第四栅极结构；第二p型沟道场效晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：第一型沟道场效晶体管，包含具有第一栅极结构的一第一第一型沟道场效晶体管，以及具有第二栅极结构的一第二第一型沟道场效晶体管，其中：该第一第一型沟道场效晶体管的临界电压小于该第二第一型沟道场效晶体管的临界电压，该第一栅极结构包含一第一功函数调整材料层，且该第二栅极结构包含一第二功函数调整材料层，以及该第一功函数调整材料层与该第二功函数调整材料层的厚度与材料中至少一者彼此不同。

【技术特征摘要】
2016.02.10 US 62/293,636;2016.11.18 US 15/355,7171.一种半导体装置，包括：第一型沟道场效晶体管，包含具有第一栅极结构的一第一第一型沟道场效晶体管，以及具有第二栅极结构的一第二第一型沟道场效晶体管，其中：该第一第一型沟道场效晶体管的临界电压小于该第二第一型沟道场效晶体管的临界电压，该第一栅极结构包含一第一功函数调整材料层，且该第二栅极结构包含一第二功函数调整材料层，以及该第一功函数调整材料层与该第二功函数调整材料层的厚度与材料中至少一者彼此不同。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中：该第一型沟道场效晶体管还包括具有第三栅极结构的一第三第一型沟道场效晶体管，其中该第三第一型沟道场效晶体管的临界电压大于第二第一型沟道场效晶体管的临界电压，该第三栅极结构包含一第三功函数调整材料层，以及该第一功函数调整材料层、该第二功函数调整材料层、与该第三功函数调整材料层的厚度与材料中至少一者彼此不同。3.如权利要求2所述的半导体装置，其中：该第一功函数调整材料层包含第一材料组成的第一层；该第二功函数调整材料层与该第三功函数调整材料层各自包含第一材料组成的第一层，以及第二材料组成的第二层位于第一层上，其中第一材料不同于第二材料。4.如权利要求3所述的半导体装置，其中该第二功函数调整材料层的第二层的厚度，小于该第三功函数调整材料层的第二层的厚度。5.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第一功函数调整材料层、该第二功函数调整材料层、与该第三功函数调整材料层各自形成于第一导电层上，且第一导电层位于栅极介电层上。6.一种半导体装置，包括：一第一n型沟道场效晶体管，包含具有临界电压Vn1的一第一栅极结构；一第二n型沟道场效晶体管，包含具有临界电压Vn2的一第二栅极结构；一第三n型沟道场效晶体管，包含具有临界电压Vn3的一第三栅极结构；一第一p型沟道场效晶体管，包含具有临界电压Vp1的一第四栅极结构；一第二p型沟道场效晶体管，包含具有临界电压Vp2的一第五栅极结构；以及一第三p型沟道场效晶体管，包含具有临界电压Vp3的一第六栅极结构，其中：Vn1<Vn2<V...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖舜章，王淑慧，张世勋，廖家骏，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71