集成电路器件及其制造方法技术

一种集成电路(IC)器件包括：彼此邻近的一对鳍形有源区，在其间有鳍分离区，所述一对鳍形有源区延伸成一行；以及在鳍分离区中的鳍分离绝缘结构，其中所述一对鳍形有源区包括第一鳍形有源区，第一鳍形有源区具有限定部分的鳍分离区的第一拐角，并且其中鳍分离绝缘结构包括：下绝缘图案，覆盖所述一对鳍形有源区的侧壁；以及上绝缘图案，在下绝缘图案上以覆盖第一拐角的至少部分，上绝缘图案具有在比所述一对鳍形有源区的每个的顶表面高的水平处的顶表面。

Integrated circuit device and manufacturing method thereof

An integrated circuit (IC) device includes: a pair of fins adjacent to each other in the active region, there is a fin separation zone, the pair of fin shaped active region extending in a row; and the separation region of the fin fin in separation insulation structure, wherein a pair of fin shaped active region includes a first fin form the active region, the first fin active region having a first corner defined part of the fin separation zone, and the fin separation insulation structure comprises: an insulating pattern, side covering the fin active region on a wall; insulation patterns and, at least in part in the insulation pattern to cover the first corner of the roof. The surface of top surface of high level on the insulation pattern with every form in the active area than the one pair of fins of the.

【技术实现步骤摘要】
集成电路器件及其制造方法
实施方式涉及集成电路器件以及制造该集成电路器件的方法，更具体而言，涉及包括鳍型场效应晶体管的集成电路器件以及制造该集成电路器件的方法。
技术介绍
随着电子技术的发展，半导体器件最近已经按比例缩小了尺寸。因为半导体器件既需要快的操作速度又需要操作准确度，所以正在各种方面进行对于半导体器件的晶体管的结构优化的研究。具体地，随着晶体管尺寸的减小，需要实现确保鳍形有源区的顶部分的目标高度和宽度的集成电路(IC)器件的技术开发，该鳍形有源区提供晶体管的沟道区并且具有稳定的结构以防止相邻导电区域之间的短路。
技术实现思路
实施方式提供一种IC器件，该IC器件具有通过防止相邻导电区域之间的短路而有提高的性能的鳍型场效应晶体管。实施方式还提供一种制造IC器件的方法，该IC器件具有通过防止相邻导电区域之间的短路而有提高的性能的鳍型场效应晶体管。根据实施方式的一方面，提供一种IC器件，该IC器件包括：彼此邻近的一对鳍形有源区，在其间有鳍分离区，所述一对鳍形有源区延伸成一行；以及在鳍分离区中的鳍分离绝缘结构。所述一对鳍形有源区可以包括第一鳍形有源区，该第一鳍形有源区具有限定部分的鳍分离区的第一倒角拐角(chamferedcorner)。鳍分离绝缘结构包括：下绝缘图案，覆盖所述一对鳍形有源区的侧壁；以及上绝缘图案，在下绝缘图案上以覆盖第一倒角拐角的至少部分，上绝缘图案具有在比所述一对鳍形有源区的每个的顶表面高的水平处的顶表面。根据实施方式的另一方面，提供一种IC器件，该IC器件包括：彼此邻近的一对鳍形有源区，在其间有鳍分离区，所述一对鳍形有源区沿着第一方向延伸成一行，并且鳍分离区在第一方向上具有第一宽度；鳍分离绝缘结构，在所述一对鳍形有源区之间的鳍分离区中，鳍分离绝缘结构包括下绝缘图案以及在下绝缘图案上的上绝缘图案，上绝缘图案在与第一方向交叉的第二方向上延伸，具有凸起的倒圆顶表面轮廊并且在第一方向上具有大于第一宽度的第二宽度；正常栅极，在从所述一对鳍形有源区中选择的第一鳍形有源区中在第二方向上延伸；以及半导体外延图案，在第一鳍形有源区的在正常栅极与鳍分离绝缘结构之间的区域上，与鳍分离绝缘结构间隔开。第一鳍形有源区在半导体外延图案的相反两侧的顶表面具有不同的高度。根据实施方式的另一方面，提供一种IC器件，该IC器件包括：在基板上的第一区域中彼此邻近的一对第一鳍形有源区，在其间有具有第一宽度的第一鳍分离区，所述一对第一鳍形有源区延伸成第一行；第一鳍分离绝缘结构，在第一鳍分离区中在与第一行交叉的方向上延伸并且具有第一顶表面，第一顶表面具有凸起的倒圆顶表面轮廊，第一顶表面具有大于第一宽度的第二宽度；第一正常栅极，在从所述一对第一鳍形有源区中选择的一个第一鳍形有源区的区域上延伸；以及第一半导体外延图案，在从所述一对第一鳍形有源区选择的所述一个第一鳍形有源区的在第一正常栅极与第一鳍分离绝缘结构之间的区域上，第一半导体外延图案与第一鳍分离绝缘结构间隔开。从所述一对第一鳍形有源区选择的所述一个第一鳍形有源区在第一半导体外延图案的相反两侧的顶表面具有不同的高度。根据实施方式的另一方面，提供一种IC器件，该IC器件包括：三个鳍形有源区，沿着第一方向顺序地延伸成一行；第一鳍分离绝缘结构，在第一鳍形有源区和第二鳍形有源区之间的第一鳍分离区中在与第一方向交叉的第二方向上延伸，并且具有凸起的倒圆顶表面轮廊，第一鳍形有源区和第二鳍形有源区是所述三个鳍形有源区中的相邻两个；以及第二鳍分离绝缘结构，在第二方向上在第二鳍形有源区和第三鳍形有源区之间的第二鳍分离区中延伸，并且具有凸起的倒圆顶表面轮廊，其中第二鳍形有源区和第三鳍形有源区是所述三个鳍形有源区中的相邻两个。第二鳍形有源区在第一方向上的长度小于第一和第三鳍形有源区的每个在第一方向上的长度，并且第二鳍形有源区中的沟道区的宽度大于第一和第三鳍形有源区的每个的沟道区的宽度。根据实施方式的另一方面，提供一种IC器件，该IC器件包括：多个第一类型鳍形有源区，在基板的第一区域中彼此平行地延伸达至少第一长度；一对鳍分离绝缘结构，在第一区域中在与所述多个第一类型鳍形有源区交叉的方向上分别在两个分离的鳍分离区中延伸；以及多个第二类型鳍形有源区，在基板的第二区域中彼此平行地连续延伸达至少第一长度。所述一对鳍分离绝缘结构的每个具有凸起的倒圆顶表面轮廊，并且所述多个第一类型鳍形有源区的每个在所述一对鳍分离绝缘结构之间的宽度大于所述多个第二类型鳍形有源区的每个的宽度。根据实施方式的另一方面，提供一种IC器件，该IC器件包括：一对鳍形有源区，彼此邻近并且其间具有鳍分离区；正常栅极，与所述一对鳍形有源区的至少一个交叉；源/漏区，邻近正常栅极；以及在鳍分离区中的鳍分离绝缘结构，该鳍分离绝缘结构包括：下绝缘图案，交叠源/漏区的至少一部分；以及上绝缘图案，在下绝缘图案上并且交叠源/漏区的至少一部分，上绝缘图案具有比下绝缘图案大的宽度，并且具有在比所述一对鳍形有源区的每个的顶表面高的水平处的顶表面。根据实施方式的另一方面，提供一种制造IC器件的方法，该方法包括：形成一对初级有源区，所述一对初级有源区彼此相邻并且延伸成一行，在其间具有鳍分离区。然后形成覆盖所述一对初级有源区的每个的侧壁的器件隔离膜。通过去除在鳍分离区中的器件隔离膜的部分以及所述一对初级有源区的部分而在所述一对初级有源区中形成一对倒角拐角，并且形成与所述一对倒角拐角一起在鳍分离区中限定凹陷区域的下绝缘图案。形成填充下绝缘图案上的凹陷区域并且突出得高于所述一对初级有源区的每个的顶表面的上绝缘层。在所述一对初级有源区上形成覆盖上绝缘层的相反侧壁的牺牲间隔物。去除器件隔离膜的部分以降低其高度并且同时去除鳍分离区中的牺牲间隔物和上绝缘层，从而同时形成一对鳍形有源区以及在下绝缘图案上的上绝缘图案，所述一对鳍形有源区每个具有在器件隔离膜以上从所述一对初级有源区突出的沟道区，上绝缘图案具有比下绝缘图案大的宽度。接着，形成晶体管，该晶体管包括在所述一对鳍形有源区的至少一个上的栅线以及在所述一对鳍形有源区的所述至少一个上的栅线的相反侧上的一对源/漏区。附图说明对于本领域的普通技术人员来说，通过参考附图详细描述示例性实施方式，特征将变得明显，在图中：图1示出根据实施方式的集成电路(IC)器件的主要元件的平面布局图。图2示出IC器件的主要元件的沿图1的线2A-2A'、线2B-2B'和线2C-2C'的截面图；图3示出IC器件的主要元件的沿图1的线3-3'的截面图；图4示出IC器件的主要元件的沿图1的线4-4'的截面图；图5示出根据一实施方式的在图1的IC器件的第三区域中的主要元件的平面布局图；图6示出IC器件的主要元件的沿图5的线6A-6A'和线6B-6B'的截面图；图7示出IC器件的主要元件的沿图5的线7-7'的截面图；图8示出根据图5至7的变形实施方式的IC器件的截面图；图9A和9B示出根据实施方式的IC器件的平面布局图；图10示出根据一实施方式的IC器件的平面布局图；图11示出IC器件的主要元件的沿图10的线11A-11A'、线11B-11B'和线11C-11C'的截面图；图12示出根据一实施方式的在图10的IC器件的第五区域中的主要元件的平面布局图；图13示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路(IC)器件，包括：彼此邻近的一对鳍形有源区，在其间有鳍分离区，所述一对鳍形有源区延伸成一行；以及在所述鳍分离区中的鳍分离绝缘结构，其中所述一对鳍形有源区包括第一鳍形有源区，所述第一鳍形有源区具有限定部分的所述鳍分离区的第一拐角，以及其中所述鳍分离绝缘结构包括：下绝缘图案，覆盖所述一对鳍形有源区的侧壁，以及上绝缘图案，在所述下绝缘图案上以覆盖所述第一拐角的至少部分，所述上绝缘图案具有在比所述一对鳍形有源区的每个的顶表面高的水平处的顶表面。

【技术特征摘要】
2016.03.07 KR 10-2016-00271381.一种集成电路(IC)器件，包括：彼此邻近的一对鳍形有源区，在其间有鳍分离区，所述一对鳍形有源区延伸成一行；以及在所述鳍分离区中的鳍分离绝缘结构，其中所述一对鳍形有源区包括第一鳍形有源区，所述第一鳍形有源区具有限定部分的所述鳍分离区的第一拐角，以及其中所述鳍分离绝缘结构包括：下绝缘图案，覆盖所述一对鳍形有源区的侧壁，以及上绝缘图案，在所述下绝缘图案上以覆盖所述第一拐角的至少部分，所述上绝缘图案具有在比所述一对鳍形有源区的每个的顶表面高的水平处的顶表面。2.如权利要求1所述的IC器件，其中所述上绝缘图案的所述顶表面具有凸起的倒圆表面轮廊。3.如权利要求1所述的IC器件，还包括在所述第一鳍形有源区的区域上的半导体外延图案，在所述半导体外延图案的相反两侧的所述第一鳍形有源区的顶表面具有不同的高度。4.如权利要求1所述的IC器件，其中所述一对鳍形有源区还包括第二鳍形有源区，所述第二鳍形有源区具有限定部分的所述鳍分离区的第二拐角，所述上绝缘图案覆盖所述第二拐角的至少部分。5.一种集成电路(IC)器件，包括：彼此邻近的一对鳍形有源区，在其间有鳍分离区，所述一对鳍形有源区沿着第一方向延伸成一行，并且所述鳍分离区在所述第一方向上具有第一宽度；鳍分离绝缘结构，在所述一对鳍形有源区之间的所述鳍分离区中，所述鳍分离绝缘结构包括下绝缘图案以及在所述下绝缘图案上的上绝缘图案，所述上绝缘图案在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，所述上绝缘图案具有凸起的倒圆顶表面轮廊并且在所述第一方向上具有大于所述第一宽度的第二宽度；正常栅极，在从所述一对鳍形有源区中选择的第一鳍形有源区中在所述第二方向上延伸；以及半导体外延图案，在所述第一鳍形有源区的在所述正常栅极与所述鳍分离绝缘结构之间的区域上，所述半导体外延图案与所述鳍分离绝缘结构间隔开，其中所述第一鳍形有源区在所述半导体外延图案的相反两侧的顶表面具有不同的高度。6.如权利要求5所述的IC器件，其中所述第一鳍形有源区的在其边缘处的外部顶表面具有比所述第一鳍形有源区的内部顶表面高的高度，所述外部顶表面在所述半导体外延图案与所述鳍分离绝缘结构之间，并且所述内部顶表面比所述外部顶表面更远离所述第一鳍形有源区的所述边缘。7.如权利要求5所述的IC器件，其中所述上绝缘图案具有在比所述一对鳍形有源区的每个的顶表面高的水平处的顶表面。8.如权利要求5所述的IC器件，还包括在所述上绝缘图案上的虚设栅极，所述虚设栅极平行于所述正常栅极延伸。9.如权利要求5所述的IC器件，其中所述一对鳍形有源区的每一个包括在面对所述鳍分离区的边缘区域的上部分处的倒角拐角，并且所述鳍分离绝缘结构的所述上绝缘图案覆盖所述倒角拐角的至少部分。10.一种集成电路(IC)器件，包括：在基板上的第一区域中彼此邻近的一对第一鳍形有源区，在其间有具有第一宽度的第一鳍分离区，所述一对第一鳍形有源区延伸成第一行；第一鳍分离绝缘结构，在所述第一鳍分离区中在与所述第一行交叉的方向上延伸并且具有第一顶表面，所述第一顶表面具有凸起的倒圆顶表面轮廊，所述第一顶表面具有大于所述第一宽度的第二宽度；第一正常栅极，在从所述一对第一鳍形有源区中选择的一个第一鳍形有源区的区域上延伸；以及第一半导体外延图案，在从所述一对第一鳍形有源区中选择的所述一个第一鳍形有源区的在所述第一正常栅极和所述第一鳍分离绝缘结构之间的区域上，所述第一半导体外延图案与所述第一鳍分离绝缘结构间隔开，其中从所述一对第一鳍形有源区中选择的所述一个第一鳍形有源区在所述第一半导体外延图案的相反两侧的顶表面具有不同的高度。11.根据权利要求10所述的IC器件，还包括：一对第二鳍形有源区，在所述基板上的第二区域中彼此邻近，且在其间有具有第三宽度的第二鳍分离区，并且所述一对第二鳍形有源区延伸成第二行；第二鳍分离绝缘结构，在所述第二鳍分离区中在与所述第二行交叉的方向上延伸并且具有第二顶表面，所述第二顶表面具有凸起的倒圆顶表面轮廊，所述第二顶表面具有大于所述第三宽度的第四宽度；第二正常栅极，在从所述一对第二鳍形有源区中选择的一个第二鳍形有源区的区域上延伸；以及第二半导体外延图案，在从所述一对第二鳍形有源区中选择的所述一个第二鳍形有源区的在所述第二正常栅极与所述第二鳍分离绝缘结构之间的区域上，所述第二半导体外延图案与所述第二鳍分离绝缘结构接触，其中所述第二半导体外延图案具有远离所述第二鳍分离绝缘结构的比所述第二鳍分离绝缘结构的所述第二顶表面低的点倾斜地延伸的面。12.一种集成电路(IC)器件，包括：三个鳍形有源区，沿着第一方向顺序地延伸成一行；第一鳍分离绝缘结构，在第一鳍形有源区和第二鳍形有源区之间的第一鳍分离区中在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，并且具有凸起的倒圆顶表面轮廊，所述第一鳍形有源区和所述第二鳍形有源区是所述三个鳍形有源区中的相邻两个；以及第二鳍分离绝缘结构，在所述第二方向上在所述第二鳍形有源区和第三鳍形有源区之间的第二鳍分离区中延伸，并且具有凸起的倒圆顶表面轮廊，所述第二鳍形有源区和所述第三鳍形有源区是所述三个鳍形有源区中的相邻两个，其中所述第二鳍形有源区在所述第一方向上的长度小于...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑在烨，严命允，车东镐，刘庭均，朴起宽，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR