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本发明公开了一种ESD保护器件和半导体装置，涉及半导体技术领域。ESD保护器件包括：衬底结构，其包括衬底以及在衬底上的至少两个半导体鳍片，所述至少两个半导体鳍片包括分离的第一和第二鳍片，该衬底结构包括横向相邻并具有不同导电类型的第一和第二掺...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。