自感测逆电流保护开关制造技术

提供了一种逆电流保护(RCP)电路，该RCP电路包括耦合在电源轨与缓冲器电源节点之间的RCP开关。由缓冲器电源节点上的缓冲器电源电压供电的控制电路控制RCP开关响应于电源轨上携带的电源电压的放电而断开。

Self sensing reverse current protective switch

An inverse current protection (RCP) circuit including an RCP switch coupled between a power rail and a buffer power node is provided. The RCP circuit comprises an electric circuit. A control circuit supplied by the buffer power supply of the buffer power node controls the RCP switch to be disconnected in response to a discharge of the power supply voltage carried on the power rail.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】自感测逆电流保护开关相关申请的交叉引用本申请要求于2015年1月27日提交的美国专利申请序列号No.14/606,746的申请日的优先权，该申请通过援引全部纳入于此。
本申请涉及用于集成电路的逆电流保护，尤其涉及一种自感测逆电流开关。背景现代电子设备(诸如智能电话)包括多个互连集成电路是常规的。例如，智能电话可包括与其他集成电路(诸如传感器和基带电路)对接的应用处理器。为了节省功率，这些各种集成电路独立地操作也是常规的，以使得一个集成电路可在深度睡眠操作模式下掉电而另一集成电路继续在正常操作模式下操作。尽管集成电路的这种独立操作节省功率，但这引起生成逆电流的问题。为了更好地领会逆电流问题，要注意，集成电路的输入/输出(I/O)缓冲器的电源轨通常将受到静电放电(ESD)二极管的保护，该ESD二极管从缓冲器的I/O焊盘或端子耦合到内部缓冲器电源轨。假如静电放电呈现出对I/O端子突然施加正电压，则ESD二极管变得正向偏置并将静电电荷安全地放电到电源轨。但是假设包括I/O端子的对应集成电路掉电，而互连到I/O端子的另一集成电路仍然在操作。该附加的集成电路可具有默认模式，在该默认模式下其保本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路，包括：逆电流保护(RCP)开关，其耦合在电源轨与缓冲器电源节点之间；电压参考电路，其被配置成：从由所述电源轨提供的电源电压生成参考电压；由在所述缓冲器电源节点上携带的缓冲器电源电压供电的控制电路，其中，所述控制电路被配置成：响应于确定所述参考电压大于所述电源电压而断开所述RCP开关，并且响应于确定所述参考电压小于所述电源电压而闭合所述RCP开关。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.27 US 14/606,7461.一种集成电路，包括：逆电流保护(RCP)开关，其耦合在电源轨与缓冲器电源节点之间；电压参考电路，其被配置成：从由所述电源轨提供的电源电压生成参考电压；由在所述缓冲器电源节点上携带的缓冲器电源电压供电的控制电路，其中，所述控制电路被配置成：响应于确定所述参考电压大于所述电源电压而断开所述RCP开关，并且响应于确定所述参考电压小于所述电源电压而闭合所述RCP开关。2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，进一步包括：比较器，其被配置成：将所述参考电压与所述电源电压进行比较，以作出所述参考电压大于所述电源电压的确定以及作出所述参考电压小于所述电源电压的确定。3.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述RCP开关包括PMOS晶体管。4.如权利要求3所述的集成电路，其特征在于，所述控制电路包括反相器，所述反相器的输出信号被配置成驱动所述PMOS晶体管的栅极。5.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，进一步包括耦合到所述缓冲器电源节点的输入/输出缓冲器。6.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，进一步包括功率端子，其被配置成接收功率以对所述电源轨供电。7.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述电压参考电路包括耦合在所述电源轨与电容器之间的二极管式连接的晶体管。8.如权利要求7所述的集成电路，其特征在于，进一步包括：耦合到所述电源轨的源极跟随器晶体管，其中，所述电容器耦合在接地与源极跟随器晶体管的栅极之间。9.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，进一步包括：第二二极管式连接的晶体管，所述第二二极管式连接的晶体管的漏极耦合到所述电源轨；第一电阻器，所述第一电阻器的第一端子耦合到所述第二二极管式连接的晶体管的源极；以及第二电阻器，所述第二电阻器的第一端子耦合到所述源极跟随器晶体管的源极，其中，所述比较器被配置成：将所述第一电阻器的第二端子处的电压与所述第二电阻器的第二端子处的电压进行比较，以确定所述参考电压是否大于所述电源电压。10.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述比较器被配置成由所述电源电压供电。11.如权利要求9所述的集成电路，其特征在于，所述第一电阻器的电阻大于所述第二电阻器的电阻。12.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·计，D·徐，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US