VDMOS的栅氧生长方法技术
Gate oxygen growth method for VDMOS
The invention discloses a VDMOS gate oxide growth method, the gate oxide growth method comprises the following steps: S1, in the N type epitaxial layer phosphorus ion implantation, to form the JFET region; S2, in the N type epitaxial layer formed by boron ion implantation, S3, Pbody in the Pbody region; regional injection boron ions to form Pplus, S4, Pbody in the region; regional injection of arsenic ions to form Nplus region; S5, in an N type epitaxial layer by wet oxidation method of gate oxide growth. The present invention provides VDMOS gate oxide growth method using wet oxidation method to gate oxide growth, can effectively control the VDMOS channel length, and control the VDMOS ion source region and diffusion and concentration distribution, so as to effectively solve the problem of leakage leakage source, greatly improving the product yield.
【技术实现步骤摘要】
VDMOS的栅氧生长方法
本专利技术涉及半导体器件制造领域，特别涉及一种VDMOS(垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管)的栅氧生长方法。
技术介绍
目前，在VDMOS栅氧工艺中，干氧氧化是比较常用的生长方式，干氧氧化是在高温(约1000℃)下当氧气与硅片接触时，氧分子与表面的硅原子反应生成二氧化硅起始层，这种氧化方式制备的栅氧的特点是：结构致密，但是温度高，氧化速度慢。参考图1所示(纵轴示出电流值，横轴示出电压值)，在VDMOS制备工艺中，当厚栅氧(厚度约800埃米的栅氧)工艺采用1000℃的干氧氧化方式时，VDMOS的漏源端发现缓慢漏电，这是典型的沟道随漏端偏压增大而出现逐渐耗尽导致漏源端穿通引起的漏电，现有改善该沟道有如下几种方式：1、增大Pbody区域(P型区域)的离子注入浓度，和/或，Pbody区域与栅氧的Overlap(重叠区域)；2、减小Nplus区域(N+型区域，源区)的离子注入浓度，和/或，Nplus区域与栅氧的Overlap；3、减小JFET(JunctionField-EffectTransistor，结型场效应晶体管)区域(漏区)的离子...
【技术保护点】
一种VDMOS的栅氧生长方法，其特征在于，所述栅氧生长方法包括以下步骤：S1、在N型外延层中注入磷离子，以形成JFET区域；S2、在N型外延层中注入硼离子，以形成Pbody区域；S3、在Pbody区域中注入硼离子，以形成Pplus区域；S4、在Pbody区域中注入砷离子，以形成Nplus区域；S5、在N型外延层上采用湿氧氧化的方式生长栅氧。
【技术特征摘要】
1.一种VDMOS的栅氧生长方法，其特征在于，所述栅氧生长方法包括以下步骤：S1、在N型外延层中注入磷离子，以形成JFET区域；S2、在N型外延层中注入硼离子，以形成Pbody区域；S3、在Pbody区域中注入硼离子，以形成Pplus区域；S4、在Pbody区域中注入砷离子，以形成Nplus区域；S5、在N型外延层上采用湿氧氧化的方式生长栅氧。2.如权利要求1所述的栅氧生长方法，其特征在于，在步骤S5中，在870℃～930...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘龙平，周平华，刘建华，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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