半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术公开了具有用于其中的平坦化工艺的停止层的半导体结构及其形成方法。该方法包括以下步骤：在衬底中和有源区之间形成沟槽；用隔离层填充沟槽；用元素掺杂隔离层以形成掺杂的隔离区；退火掺杂的隔离区；以及平坦化退火的和掺杂的隔离区并且测量它的平坦化深度。停止层、介电层和有源区的热膨胀系数(CTE)是不同的。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术的实施例涉及半导体结构及其形成方法。
技术介绍
半导体器件用在诸如计算机、通信、消费类电子产品、汽车和其它的大量电子器件中。半导体器件包括通过在半导体晶圆上方沉积多种类型的薄膜材料以及图案化薄膜材料以形成集成电路而在半导体晶圆上形成的集成电路(IC)。在IC中最常见的有源元件是包括诸如金属氧化物半导体(MOS)晶体管的平面场效应晶体管(FET)和3D鳍式场效应晶体管(FinFET)的晶体管。在集成电路中，沟槽隔离结构常用于分离和隔离半导体器件中的两个有源区。通常通过凹陷衬底、在其中过填充介电材料以及对其实施平坦化工艺形成沟槽隔离结构。然而，精确地控制平坦化深度并且充分地保持沟槽隔离结构和相邻结构之间的结构稳定性依然是个挑战。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底，包括具有第一热膨胀系数(CTE)的有源区；沟槽，位于所述有源区之间；介电层，位于所述沟槽中并且具有第二热膨胀系数；以及停止层，与所述介电层相邻并且具有第三热膨胀系数，其中所述第一热膨胀系数、第二热膨胀系数、和第三热膨胀系数是不同的。本专利技术的另一实施例提供了一种半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：衬底，包括具有第一热膨胀系数(CTE)的有源区；沟槽，位于所述有源区之间；介电层，位于所述沟槽中并且具有第二热膨胀系数；以及停止层，与所述介电层相邻并且具有第三热膨胀系数，其中所述第一热膨胀系数、第二热膨胀系数、和第三热膨胀系数是不同的。

【技术特征摘要】
2015.10.20 US 62/243,854;2016.03.28 US 15/082,3991.一种半导体结构，包括：衬底，包括具有第一热膨胀系数(CTE)的有源区；沟槽，位于所述有源区之间；介电层，位于所述沟槽中并且具有第二热膨胀系数；以及停止层，与所述介电层相邻并且具有第三热膨胀系数，其中所述第一热膨胀系数、第二热膨胀系数、和第三热膨胀系数是不同的。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第三热膨胀系数和所述第一热膨胀系数之间的差异小于所述第二热膨胀系数和所述第一热膨胀系数之间的差异。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述停止层施加在所述有源区上的拉伸应力在从0.01GPa至0.15GPa的范围。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述停止层施加在所述有源区上的压缩应力在从0.01GPa至0.2GPa的范围...

【专利技术属性】
技术研发人员：林加明，林玮耿，张简旭珂，林俊泽，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71