原子层沉积方法及其结构技术

一种用于提供(例如，功函层的)预沉积处理以完成功函调整的方法和结构。在各个实施例中，在衬底上方形成栅极介电层以及在栅极介电层上方沉积功函金属层。之后，实施功函金属层的基于氟的处理，其中，基于氟的处理从功函金属层的顶面去除氧化层以形成处理的功函金属层。在一些实施例中，在实施基于氟的处理之后，在处理的功函金属层上方沉积另一金属层。本发明专利技术实施例涉及原子层沉积方法及其结构。

【技术实现步骤摘要】
原子层沉积方法及其结构
本专利技术实施例涉及原子层沉积方法及其结构。
技术介绍
电子工业经历了对更小和更快的电子器件的不断增长的需求，更小和更快的电子器件能够同时支持日益复杂和精致的更多的功能。因此，半导体工业中的持续的趋势是，制造低成本、高性能、低功耗的集成电路(IC)。到目前为止，已经通过规模缩小半导体IC尺寸(如，最小部件尺寸)在很大程度上实现了这些目标，从而提高了生产效率并且降低了相关成本。然而，这种按比例缩小也产生了半导体制造工艺的增加的复杂程度。因此，实现半导体IC和器件的持续的进步需要半导体制造工艺和技术中的类似的进步。例如，由于金属栅电极和高K栅极电介质已经置换传统的多晶硅栅电极和二氧化硅电介质，主要挑战之一已经是寻找具有合适的功函数值的金属电极层。为了此目的，已经为在各种器件类型(例如，2D和/或3DN型/P型FET)中的应用，研究具有各种功函数值的各种金属电极层和它们的组合(例如，在导电带边缘附近、在价带边缘附近或在中间间隙附近)。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，提供了一种半导体器件制造的方法，包括：在衬底上方形成栅极介电层；在所述栅极介电层上方沉积功函金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件制造的方法，包括：在衬底上方形成栅极介电层；在所述栅极介电层上方沉积功函金属层；实施所述功函金属层的基于氟的处理，其中，所述基于氟的处理从所述功函金属层的顶面去除氧化层以形成处理的功函金属层；以及在实施所述基于氟的处理之后，在所述处理的功函金属层上方沉积另一金属层。

【技术特征摘要】
2015.10.20 US 62/244,084;2016.05.31 US 15/169,5661.一种半导体器件制造的方法，包括：在衬底上方形成栅极介电层；在所述栅极介电层上方沉积功函金属层；实施所述功函金属层的基于氟的处理，其中，所述基于氟的处理从所述功函金属层的顶面去除氧化层以形成处理的功函金属层；以及在实施所述基于氟的处理之后，在所述处理的功函金属层上方沉积另一金属层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，实施所述基于氟的处理和沉积所述另一金属层是原位实施的，同时保持所述衬底在真空条件下。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基于氟的处理包括前体，所述前体包括NFx、TiFx和WFx中的至少一种，其中，x在1和6之间。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述功函金属层包括TiN、TaN、TiAlC、TiAl、TiSiN、TaSi和TiAlN中的至少一种。5.根据权利要求1所述的方法，其中，在从200摄氏度至600摄氏度的温度下，沉积所述功函金属层。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基于氟的处理包括基于F...

【专利技术属性】
技术研发人员：李欣怡，蔡承晏，李达元，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71