间隔件结构及其制造方法技术

本发明专利技术一些实施例揭露一种间隔件结构及其制造方法。第一及第二导电结构形成于衬底上方。形成第一图案化介电层，以覆盖所述第一导电结构以及暴露出所述第二导电结构。形成第二介电层，以覆盖所述第一图案化介电层以及所述第二导电结构的上表面及侧壁。去除放置于所述第一导电结构的上表面以及所述第二导电结构的所述上表面上方的所述第二介电层。放置于所述第一导电结构的所述侧壁上的所述第一图案化介电层以及所述第二介电层形成第一间隔件结构，以及放置于所述第二导电结构的所述侧壁上的所述第二介电层形成第二间隔件结构。所述第一间隔件结构的宽度大于所述第二间隔件结构的宽度。

Spacer structure and manufacturing method thereof

Some embodiments of the present invention disclose a spacer structure and a manufacturing method thereof. The first and two conductive structures are formed over the substrate. A first patterned dielectric layer is formed to cover the first conductive structure and to expose the second conductive structure. A second dielectric layer is formed to cover the first patterned dielectric layer and the upper surface and sidewalls of the second conductive structure. The second dielectric layer disposed above the upper surface of the first conductive structure and the upper surface of the second conductive structure is removed. The side wall is arranged on the first conductive structure on the first patterning dielectric layer and the second dielectric layer forming a first spacer structure, and placed on the second conductive structure on the side wall of the second dielectric layer is formed on the second spacer structure. The width of the first spacer structure is greater than the width of the second spacer structure.

【技术实现步骤摘要】
间隔件结构及其制造方法
本揭露涉及一种间隔件结构以及一种其的成形加工方法。
技术介绍
间隔件形成于金属-氧化物-半导体场效晶体管(metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor，MOSFET)装置的栅电极旁边的介电结构。除了保护栅电极，间隔件也用以允许源极/漏极区和/或轻掺杂漏极(lightlydopeddrain，LDD)的形成。在MOSFET装置中，漏电流必须减少以节省功率消耗。MOSFET装置中的漏电源为栅极诱导的漏极漏电(gate-induceddrainleakage，GIDL)，其由在与栅电极重叠的漏极区表面的缺陷辅助能带间穿隧所造成。GIDL对许多因子敏感，例如栅介电体厚度、漏极区的掺杂物浓度、所施加栅极电压，以及间隔件宽度。除了GIDL之外，热载体也对间隔件宽度敏感。随着集成电路的复杂性与应用增加，对于抑制漏电流以及不同MOSFET装置间的热载体有更多的挑战。
技术实现思路
在一种示范性方面中，提供了一种用于制造间隔件结构的方法。所述方法包括下列操作。接收衬底。形成第一导电结构以及第二导电结构于所述衬底上方。形成第一图案化介电层，以覆盖所述第一导电结构以及暴露出所述第二导电结构。形成第二介电层，以覆盖所述第一图案化介电层以及所述第二导电结构的上表面及侧壁。去除放置于所述第一导电结构的上表面以及所述第二导电结构的所述上表面上方的所述第二介电层。放置于所述第一导电结构的所述侧壁上的所述第一图案化介电层以及所述第二介电层形成第一间隔件结构，以及放置于所述第二导电结构的所述侧壁上的所述第二介电层系形成第二间隔件结构。所述第一间隔件结构在宽度上大于所述第二间隔件结构。在另一示范性方面中，提供了一种用于制造间隔件结构的方法。所述方法包括下列操作。提供衬底。放置第一栅极结构以及第二栅极结构于所述衬底上方。形成第一介电层，以覆盖所述第一栅极结构以及所述第二栅极结构。形成屏蔽层，以阻挡在所述第一栅极结构上方的所述第一介电层以及暴露出于所述第二栅极结构上方的所述第一介电层。蚀刻所述屏蔽层所暴露的所述第一介电层，以暴露出所述第二栅极结构。去除所述屏蔽层。形成第二介电层，以覆盖在所述第一栅极结构上方的所述第一介电层以及所述第二栅极结构。在没有屏蔽层下，蚀刻在所述第一栅极结构的上表面以及所述第二栅极结构的上表面上方的所述第二介电层。在又另一方面中，提供了一种间隔件结构。所述间隔件结构包括衬底、第一导电结构、第一间隔件结构、第二导电结构、以及第二间隔件结构。所述第一导电结构放置于所述衬底上方。所述第一间隔件结构放置于所述第一导电结构的侧壁上。所述第二导电结构放置于所述衬底上方。所述第二间隔件结构放置于所述第二导电结构的侧壁上。所述第一间隔件结构包含比所述第二间隔件结构还多的介电层堆叠在侧向方向上，以及所述第一间隔件结构在宽度上大于所述第二间隔件结构。附图说明本揭露的方面将在与随附图式一同阅读下列详细说明下被最优选地理解。请注意为根据业界标准作法，各种结构未依比例绘制。事实上，为了使讨论内容清楚，各种结构的尺寸可刻意放大或缩小。图1是根据本揭露的一些实施例绘示用于制造间隔件结构的方法的流程图。图2A、2B、2C、2D、2E以及2F是根据本揭露的一些实施例在制造间隔件结构的各种操作的一者的剖面图。图3是根据本揭露的一些替代实施例制造间隔件结构的剖面图。图4A、4B、4C、4D、4E以及4F是根据本揭露的一些实施例在制造间隔件结构的各种操作的一者的剖面图。图5A、5B、5C、5D以及5E是根据本揭露的一些实施例在制造间隔件结构的各种操作的一者的剖面图。具体实施方式下列揭露提供许多用于实施所提供目标的不同特征的不同实施例、或实例。为了简化本揭露，在下文描述组件及配置的具体实例。当然这些仅为实例而非意图为限制性。例如，在下面说明中，形成第一特征于第二特征上方或上可包括其中所述第一及第二特征经形成为直接接触的实施例，以及也可包括其中额外特征可形成在所述第一与第二特征之间而使得所述第一及第二特征不可直接接触的实施例。此外，本揭露可重复参考编号和/或字母于各种实例中。此重复是为了简单与清楚的目的且其本身并不决定所讨论的各种实施例和/或构形之间的关系。再者，空间相关词汇，例如“在...之下(beneath)”、“下面(below)”、“下(lower)”、“上面(above)”、“上(upper)”、“在...上(on)”和类似词汇，可能是为了使说明书便于描述如图式绘示的一个组件或特征与另一个(或多个)组件或特征的相对关系而使用于本文中。除了图式中所画的方位外，这些空间相对词汇也意图用来涵盖装置在使用中或操作时的不同方位。所述设备可以其它方式定向(旋转90度或于其它方位)，据此在本文中所使用的这些空间相关说明符可以类似方式加以解释。如本文中所使用者，词汇例如“第一”、“第二”以及“第三”系描述各种组件、组件、区、层和/或区段，但这些组件、组件、区、层和/或区段应不限于这些词汇。这些词汇可仅用于将一个组件、组件、区、层或区段与另一个组件、组件、区、层或区段区别。除非内文中明确指出，否则当于本文中使用词汇例如“第一”、“第二”以及“第三”时，不意味顺序或次序。在本揭露中，具有不同间隔件宽度的间隔件结构是通过堆叠不同数目的介电层而成形加工。所述间隔件结构的一者是从在一侧向方向上较多的介电层形成，而所述间隔件结构的另一者是从较少介电层形成。在一些实施例中，所述间隔件结构的一者是通过在一侧向方向上堆叠两个介电层形成，而所述间隔件结构的另一者是从一个介电层形成。本揭露的间隔件结构是从对齐、较不复杂且可与标准集成电路成形加工兼容。所述具有不同宽度的间隔件结构系用来作为装置的侧间隔件以满足在不同应用中的多元需求或规格。图1是根据本揭露的一些实施例绘示一种用于制造间隔件结构的方法的流程图。方法100开始于操作110，在其中接收衬底。然后，方法100接着为操作120，在其中形成第一导电结构以及第二导电结构于所述衬底上方。接下来，方法100接着为操作130，在其中形成第一图案化介电层覆盖所述第一导电结构以及暴露出所述第二导电结构。方法100继续为操作140，在其中形成第二电介质覆盖所述第一图案化介电层以及所述第二导电结构的上表面及侧壁。之后，方法100接着为操作150，在其中去除放置于所述第一导电结构的上表面以及所述第二导电结构的所述上表面上方的所述第二介电层。放置于所述第一导电结构的所述侧壁上的所述第一图案化介电层以及所述第二介电层系形成第一间隔件结构。此外，放置于所述第二导电结构的所述侧壁上的所述第二介电层系形成第二间隔件结构。再者，所述第一间隔件结构在宽度上大于所述第二间隔件结构。方法100仅为实例，且不意图限制本揭露超出申请专利范围所明确记载的内容。额外操作可在方法100的前、期间或之后提供，且为了所述方法的额外实施例可将所述的一些操作置换、排除、或搬动。图2A、2B、2C、2D、2E以及2F是根据本揭露的一些实施例在制造间隔件结构的各种操作的一者的剖面图。如图2A中所绘示以及图1中的操作110，方法100开始于操作110，在其中接收衬底10。衬底10包括晶片，所述晶片为待在其上方形成装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造间隔件结构的方法，其包含：接收衬底；形成第一导电结构以及第二导电结构于所述衬底上方；形成第一图案化介电层覆盖所述第一导电结构以及暴露出所述第二导电结构；形成第二介电层覆盖所述第一图案化介电层以及所述第二导电结构的上表面及侧壁；及去除放置于所述第一导电结构的上表面以及所述第二导电结构的所述上表面上方的所述第二介电层，其中放置于所述第一导电结构的所述侧壁上的所述第一图案化介电层以及所述第二介电层形成第一间隔件结构，放置于所述第二导电结构的所述侧壁上的所述第二介电层形成第二间隔件结构，以及所述第一间隔件结构在宽度上大于所述第二间隔件结构。

【技术特征摘要】
2015.12.31 US 62/273,471;2016.07.01 US 15/200,5031.一种用于制造间隔件结构的方法，其包含：接收衬底；形成第一导电结构以及第二导电结构于所述衬底上方；形成第一图案化介电层覆盖所述第一导电结构以及暴露出所述第二导电结构；形成第二介电层覆盖所述第一图案化介电层以及所述第二导电结构的上表面及侧壁；及去除放置于所述第一导电结构的上表面以及所述第二导电结构的所述上表面上方的所述第二介电层，其中放置于所述第一导电结构的所述侧壁上的所述第一图案化介电层以及所述第二介电层形成第一间隔件结构，放置于所述第二导电结构的所述侧壁上的所述第二介电层形成第二间隔件结构，以及所述第一间隔件结构在宽度上大于所述第二间隔件结构。2.根据权利要求1所述的用于制造间隔件结构的方法，其中形成所述第一图案化介电层覆盖所述第一导电结构以及暴露出所述第二导电结构包含：形成介电层覆盖所述第一导电结构的所述上表面及所述侧壁以及所述第二导电结构的所述上表面及所述侧壁；以屏蔽层阻挡放置于所述上表面上方的所述介电层以及放置于所述第一导电结构的所述侧壁上的所述介电层；去除所述屏蔽层所暴露的所述介电层以形成所述第一图案化介电层；及去除所述屏蔽层。3.根据权利要求1所述的用于制造间隔件结构的方法，其中所述第一导电结构的所述上表面以及所述第二导电结构的所述上表面是以帽盖层覆盖，以及形成所述第一图案化介电层覆盖所述第一导电结构以及暴露出所述第二导电结构包含：局部形成介电层覆盖所述第一导电结构的所述侧壁以及所述第二导电结构的所述侧壁；以屏蔽层阻挡放置于所述第一导电结构的所述上表面上方的所述帽盖层以及放置于所述第一导电结构的所述侧壁上的所述介电层；去除所述屏蔽层所暴露的所述介电层以形成所述第一图案化介电层；以及去除所述屏蔽层。4.根据权利要求1所述的用于制造间隔件结构的方法，其中形成所述第一图案化介电层覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：范富杰，郑光茗，刘思贤，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71