半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构及其形成方法，提供衬底；在所述衬底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅极层；形成覆盖所述栅极层的无定型层；图形化所述栅极层和无定型层，形成栅极结构。其中，本发明专利技术通过对栅极层进行非晶化，形成无定型层，所述无定型层为非晶体，非晶体中的原子成无序排列，不存在晶界，能够减少后续清洗过程中穿过所述栅极层到达栅介质层的清洗剂，从而能够减少栅介质层中孔洞出现的几率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的不断进步，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高集成度的方向发展。半导体集成度的提高也带动了晶体管尺寸的缩小。半导体衬底、栅极层及位于栅极层下方的栅介质层是晶体管的基本组成部分。栅介质层在晶体管中起着重要作用，能够实现栅极与晶体管沟道之间的电绝缘，使栅极与晶体管沟道形成电容结构，从而能够实现栅极对沟道电流的控制。随着晶体管尺寸的减小，栅介质层也逐渐减薄。然而现有技术形成的栅介质层的质量不高，从而影响了晶体管的性能，降低了半导体器件制造的良品率。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，能够提高半导体器件制造的良品率。为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅极层；形成覆盖所述栅极层的无定型层；图形化所述栅极层和无定型层，形成栅极结构。可选的，所述无定型层为非晶态的硅锗层。可选的，所述无定型层的厚度为40～50埃。可选的，形成覆盖所述栅极层的无定型层的步骤包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅极层；形成覆盖所述栅极层的无定型层；图形化所述栅极层和无定型层，形成栅极结构。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅极层；形成覆盖所述栅极层的无定型层；图形化所述栅极层和无定型层，形成栅极结构。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述无定型层为非晶态的硅锗层。3.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述无定型层的厚度为40～50埃。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述栅极层的无定型层的步骤包括：对所述栅极层进行离子注入，形成所述无定型层。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极层的材料为多晶硅；对所述栅极层进行离子注入的步骤中，对所述栅极层进行锗离子注入，形成非晶态的硅锗层。6.如权利要求1或4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述栅极层的无定型层的步骤之后，所述形成方法还包括：在所述无定型层上形成覆盖层；图形化所述栅极层和无定型层，形成栅极结构的步骤还包括：图形化所述覆盖层。7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的材料为无定型硅。8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的厚度为90～110埃。9.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述无定型层上形成覆盖层的方法为低温扩散工艺，所述低温扩散工艺中反应温度小于530...

【专利技术属性】
技术研发人员：高长城，陈其道，张京晶，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31