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本发明提供一种半导体结构及其形成方法，提供衬底；在所述衬底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅极层；形成覆盖所述栅极层的无定型层；图形化所述栅极层和无定型层，形成栅极结构。其中，本发明通过对栅极层进行非晶化，形成无定型层，所述无定型层为非...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。