一种闸电极结构及其制造方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术显示技术领域，公开了一种闸电极结构及其制造方法包括：在基板的一侧表面上形成缓冲层；在缓冲层上形成凹槽，凹槽贯穿缓冲层；在凹槽中形成闸电极，且闸电极的上表面与缓冲层的上表面位于同一平面上；在闸电极的上表面及缓冲层的上表面上形成绝缘层；在绝缘层的上表面形成与闸电极相对而置的半导体层；在半导体层的上表面和/或绝缘层的上表面上形成与半导体层部分交叠的数据线。还公开了一种显示装置，该显示装置包括了闸电极结构。由于绝缘层可以在一个平面上形成。消除了闸电极因自身高度、形状或者闸电极轮廓角等问题对绝缘层在闸电极边缘处覆盖率的影响，大大降低了数据线成膜时在闸电极和数据线交叉处产生断线的情况。

Gate electrode structure, manufacturing method thereof and display device

The invention discloses a display technology field, including a gate electrode structure and manufacturing method thereof: a buffer layer is formed on the side surface of the substrate; a groove is formed on the buffer layer, the groove through the buffer layer; forming a gate electrode and a gate electrode in the groove, and the upper surface of the buffer layer on the surface in the same plane in the upper surface of the gate electrode; and a buffer layer formed on the upper surface of the insulating layer; a semiconductor layer and the gate electrode is formed on the surface of the insulating layer opposite the data line; the semiconductor layer on the surface and / or insulating layer is formed on the upper surface of the semiconductor layer and the part overlapping. A display device including a gate electrode structure is also disclosed. Because the insulating layer can form on a plane. Eliminate the gate electrode due to its height, shape or gate electrode contour angle on the effect of insulation layer coverage in the edge of the gate electrode, greatly reducing the data line when forming the cross in the gate electrode and the data line is generated at the break.

【技术实现步骤摘要】
一种闸电极结构及其制造方法和显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种闸电极结构及其制造方法和显示装置。
技术介绍
随着科技的发展，电子产品越来越普及，尤其是电脑电视走进了千家万户。这些各类电子产品上安装了大量的电子显示设备，电子显示设备在各个领域都有广泛的应用。目前，薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay,简称TFT-LCD)显示屏使用的越来越广泛，其中用于TFT-LCD显示屏的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)玻璃基板上的电路布局通常有闸电极(又称扫描线或GATE)与数据线(又称DATA)，有相互交叉的情况。当形成闸电极的过程中出现异常，尤其是闸电极轮廓角度过大，使后续形成绝缘层的时候，很容易在闸电极轮廓角度过大的地方覆盖率不佳。从而使得后续数据线成膜的时候，在闸电极和数据线交叉处非常容易出现断线，如此以来数据线中传输的讯号将会中断，严重影响了产品的合格率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种闸电极结构及其制造方法和显示面板，旨在解决现有技术中，数据线很容易在闸电极与数据线的交叉处出现断线的问题。本专利技术提供了一种闸电极结构制造方法，包括如下步骤：提供一基板，在所述基板的一侧表面上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成凹槽，所述凹槽贯穿所述缓冲层；在所述凹槽中形成闸电极，且所述闸电极的上表面与所述缓冲层的上表面位于同一平面上；在所述闸电极的上表面及所述缓冲层的上表面上形成绝缘层；在所述绝缘层的上表面形成与所述闸电极相对而置的半导体层；在所述半导体层的上表面和/或所述绝缘层的上表面上形成与所述半导体层部分交叠的数据线。可选地，所述凹槽通过光刻工艺形成。进一步地，所述光刻的步骤包括：在所述缓冲层的上表面涂布光阻；在所述光阻的上方设置光罩和光源；开启所述光源，所述光源发出光线透过所述光罩将部分所述光阻曝光；将被曝光后的所述光阻显影；腐蚀被曝光的所述光阻，并腐蚀位于被曝光的所述光阻与所述基板之间的缓冲层；清洗所述基板，将所述光阻和所述缓冲层清除干净。进一步地，所述闸电极结构制造方法还包括如下步骤：在所述光阻和所述凹槽的上表面沉积形成闸电极导电层；剥离所述光阻。可选地，剥离所述光阻的方法为：使用去光阻液腐蚀所述光阻。可选地，所述缓冲层、所述绝缘层和所述半导体层的形成方法为化学气相沉积工艺。可选地，所述缓冲层和所述绝缘层采用的材料包括：氮化硅。可选地，所述闸电极和所述数据线采用的材料包括：铝或钼。本专利技术还提供了一种闸电极结构，包括：基板；缓冲层，形成于所述基板的侧表面上，所述缓冲层上设置有贯穿于所述缓冲层的凹槽；闸电极，形成于所述凹槽内，且所述缓冲层的上表面与所述闸电极的上表面位于同一平面；绝缘层，形成于所述缓冲层的上表面和所述闸电极的上表面；半导体层，形成于所述绝缘层的上表面且与所述闸电极相对而置；数据线，形成于所述绝缘层的上表面和/或者所述半导体层的上表面上，且与所述半导体层部分交叠。本专利技术还提供了一种显示装置，包括所述闸电极结构及多个像素，所述闸电极结构电性连接于所述多个像素。基于上述技术方案，本专利技术中提出的闸电极结构及其制造方法和显示装置，在基板上形成有缓冲层，在所述缓冲层上形成有凹槽，在所述凹槽中形成有闸电极，且闸电极的上表面与缓冲层的上表面在同一平面上。在闸电极的上表面和缓冲层的上表面上再形成绝缘层，在绝缘层上再形成半导体层和数据线，如此，绝缘层是在一个平面上形成的，而不再受到闸电极轮廓角度的影响，从而大大降低了数据线与闸电极交叉处的断线概率，从而提升了产品的合格率。附图说明图1为本专利技术实施例提出的缓冲层示意图；图2为本专利技术实施例提出涂布光阻的示意图；图3为本专利技术实施例提出光刻的示意图；图4为本专利技术实施例提出形成闸电极的示意图；图5为本专利技术实施例提出去除光阻的示意图；图6为本专利技术实施例提出形成绝缘层的示意图；图7为本专利技术实施例提出的闸电极结构示意图；图8为本专利技术提出的闸电极结构制造方法的实施例的制作流程图；图9为本专利技术提出的光刻方法的实施例的制作流程图；图10为本专利技术提出的形成闸电极方法的实施例的制作流程图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或可能同时存在居中元件。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。另外，还需要说明的是，本专利技术实施例中的左、右、上、下等方位用语，仅是互为相对概念或是以产品的正常使用状态为参考的，而不应该认为是具有限制性的。以下结合具体实施例对本专利技术的实现进行详细的描述。如图1图10所示，本专利技术提供了一种闸电极结构及其制造方法，该闸电极制造方法为：在步骤S1中，准备基板1，在基板1的一基板侧表面11上形成缓冲层2，在步骤S2中，在缓冲层上表面21上形成凹槽3，凹槽3贯穿缓冲层2，在步骤S3中，在凹槽3中形成闸电极5，且闸电极上表面51与缓冲层上表面21在同一平面P，在步骤S4中，在闸电极上表面51与缓冲层上表面21上形成绝缘层6，在步骤S5中，在绝缘层6的绝缘层上表面61上形成与闸电极5相对而置的半导体层8，在步骤S6中，在半导体层8上和/或绝缘层6上形成与闸电极5交叉的数据线71。闸电极上表面51与缓冲层上表面21在同一平面P，绝缘层6可以在一个平面P上形成，因此消除了闸电极5因自身高度、形状或者闸电极5轮廓角等问题对绝缘层6在闸电极5边缘处覆盖率造成的影响，大大降低了数据线71成膜时在闸电极5和数据线71交叉处产生断线的情况。提高了产品的合格率。在本专利技术实施例中，上述缓冲层2形成于上述基板1的一个侧表面上，在其他实施例中，缓冲层2还可以在基板1的两个侧面或者其他位置，此处不作唯一限定。在本专利技术实施例中，制作上述闸电极5以及闸电极5周边的上述缓冲层2采用的方法是先形成缓冲层2，然后在缓冲层2上形成上述凹槽3，其中凹槽3贯穿缓冲层2，并在凹槽3中形成闸电极5，在其他实施例中，可以采用其他的顺序，比如可以先形成闸电极5，然后再在闸电极5周边的同侧基板11上形成缓冲层2，或者缓冲层2和闸电极5直接分别单独分区域在基板1上形成，此处不作唯一限定。在本专利技术实施例中，上述闸电极上表面51和上述缓冲层上表面21在同一个平面P，如此，则上述绝缘层6可以形成在一个平面P上，使上述半导体层8和上述数据线71可以直接形成于一个平面上，减少了闸电极5的形状或者轮廓角度对数据线71的影响。在其他实施例中，闸电极上表面51和缓冲层上表面21不一定完全在一个平面P上，可以有一定的相对高度差，比如闸电极5的上表面51到基板1的距离小于缓冲层上表面21到基板1的距离，形成一个“凹”字形，半导体层8形成于“凹”字形的凹起(附图未标示)中，如果半导体层上表面83到上述基板1的距离与上述缓冲层2上的绝缘层上表面61到基板1的距离相同，则会使得半导体层上表面83和缓冲层2上的绝缘层上表面61在一个平面上，如此，则数据线71会形成在一个平面上本文档来自技高网...

【技术保护点】
闸电极结构制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基板，在所述基板的一侧表面上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成凹槽，所述凹槽贯穿所述缓冲层；在所述凹槽中形成闸电极，且所述闸电极的上表面与所述缓冲层的上表面位于同一平面上；在所述闸电极的上表面及所述缓冲层的上表面上形成绝缘层；在所述绝缘层的上表面形成与所述闸电极相对而置的半导体层；在所述半导体层的上表面和/或所述绝缘层的上表面上形成与所述半导体层部分交叠的数据线。

【技术特征摘要】
1.闸电极结构制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基板，在所述基板的一侧表面上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成凹槽，所述凹槽贯穿所述缓冲层；在所述凹槽中形成闸电极，且所述闸电极的上表面与所述缓冲层的上表面位于同一平面上；在所述闸电极的上表面及所述缓冲层的上表面上形成绝缘层；在所述绝缘层的上表面形成与所述闸电极相对而置的半导体层；在所述半导体层的上表面和/或所述绝缘层的上表面上形成与所述半导体层部分交叠的数据线。2.如权利要求1所述的闸电极结构制造方法，其特征在于，所述凹槽通过光刻工艺形成。3.如权利要求2所述的闸电极结构制造方法，其特征在于，所述光刻的步骤包括：在所述缓冲层的上表面涂布光阻；在所述光阻的上方设置光罩和光源；开启所述光源，所述光源发出光线透过所述光罩将部分所述光阻曝光；将被曝光后的所述光阻显影；腐蚀被曝光的所述光阻，并腐蚀位于被曝光的所述光阻与所述基板之间的缓冲层；清洗所述基板，将所述光阻和所述缓冲层清除干净。4.如权利要求1所述的闸电极结构制造方法，其特征在于，还包括如下步骤：在所述光阻和所述凹槽的上表面沉积形成闸电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：简重光，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，重庆惠科金渝光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44