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本发明显示技术领域，公开了一种闸电极结构及其制造方法包括：在基板的一侧表面上形成缓冲层；在缓冲层上形成凹槽，凹槽贯穿缓冲层；在凹槽中形成闸电极，且闸电极的上表面与缓冲层的上表面位于同一平面上；在闸电极的上表面及缓冲层的上表面上形成绝缘层；在...该专利属于惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司授权不得商用。