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一种用于提供(例如，功函层的)预沉积处理以完成功函调整的方法和结构。在各个实施例中，在衬底上方形成栅极介电层以及在栅极介电层上方沉积功函金属层。之后，实施功函金属层的基于氟的处理，其中，基于氟的处理从功函金属层的顶面去除氧化层以形成处理的功...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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