在原子层沉积过程中使寄生化学气相沉积最小化的装置和原理制造方法及图纸

公开了在层积中，例如原子层沉积（ＡＬＤ）和其它顺序化学沉积（ＣＶＤ）过程中，避免沉积膜的污染的新方法和装置，其中ＡＬＤ膜的ＣＶＤ沉积污染通过使用一种有效地使污染物气体在通入ＡＬＤ腔室之前在气体输送装置的壁元件上沉积的预热反应室来防止。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术属于化学气相沉积领域，更具体地涉及通过原子层沉积来沉积膜的新方法和装置。本专利技术是这些新方法的扩展，特别包括防止寄生化学气相沉积和所产生的污染的方法。
技术介绍
在集成电路的制造中，必须沉积许多纯的和混合材料薄膜，现已开发出许多技术来实现这类沉积。近年来，在该领域中沉积薄膜的主导技术是化学气相沉积(CVD)，其证实具有优异的能力来提供均一平坦的镀层，并相对共形地镀覆通孔并镀覆晶片地貌中的其它高长宽比或不平坦地形。由于器件密度持续增加，几何形状变得越来越复杂，甚至优异的CVD技术共形镀覆也受到了挑战，因而需要新的和更好的技术。CVD的变化方法，原子层沉积已被认为得到了对均一性和共形性的改进，特别是对于低温沉积。但这种技术的实际实施需要解决更高的纯度和更高的产量问题。本专利满足了这些需求。原子层沉积在CVD领域中，作为扩展CVD技术的能力的有前途的备选方案，出现了称为原子层沉积(ALD)的方法，并正在由半导体设备制造者快速开发以进一步改进化学气相沉积的特性。ALD是最初被称为原子层取向生长的一种方法，其权威的文献是Atomic Layer Epitaxy(原子层取向生长)，本文档来自技高网...

【技术保护点】
在原子层沉积过程中将寄生化学气相沉积减至最小的方法，其包括如下步骤： （ａ）在气体源和所要镀覆的基体之间设置预反应室；和 （ｂ）在所述预反应室中将一表面加热至足以使污染物元素通过ＣＶＤ反应沉积在所述加热表面上的温度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 1999-12-17 09/466,1001.在原子层沉积过程中将寄生化学气相沉积减至最小的方法，其包括如下步骤(a)在气体源和所要镀覆的基体之间设置预反应室；和(b)在所述预反应室中将...

【专利技术属性】
技术研发人员：O斯讷，C高勒维斯克，
申请(专利权)人：杰努斯公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]