半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本文公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法在半导体衬底的表面侧上形成槽，并且在此之后从半导体衬底的背部侧执行研磨，直到研磨面到达槽。在此之后，在通过研磨被分离的半导体衬底的背部上形成背部电极。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法相关申请的交叉引用于2016年1月27日提交的日本专利申请No.2016-013573的公开，包括说明书、附图和摘要，通过引用全部包含在本文中。
本专利技术涉及半导体装置及其制造技术，并且例如涉及有效地应用于包括半导体芯片的背部上的背部电极的半导体装置的技术。
技术介绍
WO/2005/022609(专利文献1)描述了一种技术，该技术将粘合膜放置在半导体晶片的表面上，并且之后在半导体晶片的背部上形成金属膜。日本未审专利申请公开No.2002-016021(专利文献2)和日本未审专利申请公开No.2014-183097(专利文献3)描述了一种涉及所谓“先划割后研磨(DicingBeforeGrinding)”的技术，其中在对半导体晶片的背部的研磨之前执行划割。
技术实现思路
现在，其中形成有功率晶体管的半导体芯片，采用使电流在半导体芯片的厚度方向上流动的结构，并且因此在半导体芯片的背部上形成金属膜的背部电极。进一步地，为了减少功率晶体管的通态电阻，其中形成有功率晶体管的半导体芯片被进一步薄化。例如，通过以下步骤制造这样配置的半导体芯片。执行对半导体晶片的背部的研磨，以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：(a)在具有多个芯片区的衬底的表面侧上形成元件；(b)在划分所述芯片区的边界区中形成槽；(c)从所述衬底的背部侧将所述衬底研磨到所述槽；以及(d)在步骤(c)中被分离的所述衬底的背部上形成背部电极。

【技术特征摘要】
2016.01.27 JP 2016-0135731.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：(a)在具有多个芯片区的衬底的表面侧上形成元件；(b)在划分所述芯片区的边界区中形成槽；(c)从所述衬底的背部侧将所述衬底研磨到所述槽；以及(d)在步骤(c)中被分离的所述衬底的背部上形成背部电极。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述衬底的表面朝上来看时，在步骤(b)中形成的所述槽的截面形状包括倒锥形，并且其中在步骤(c)中，所述芯片区被分离成多个半导体芯片。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述衬底的所述表面朝上来看时，所述槽的所述截面形状是倒梯形或倒三角形。4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，当注意到在步骤(c)中被分离的所述多个半导体芯片中彼此相邻的第一半导体芯片和第二半导体芯片时，所述第一半导体芯片的背部与所述第二半导体芯片的背部之间的距离小于所述第一半导体芯片的元件形成面与所述第二半导体芯片的元件形成面之间的距离。5.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，在步骤(d)中，在相应的所述半导体芯片上形成的所述背部电极彼此分离。6.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，在步骤(d)之后进一步包括扩张步骤，所述扩张步骤扩宽所述半导体芯片之间的间隙，其中，在步骤(d)中在相应的所述半导体芯片上形成的所述背部电极连续的情况下，通过所述扩张步骤，在相应的所述半导体芯片上形成的所述背部电极被彼此分离。7.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，在步骤(c)之后并且在步骤(d)之前进一步包括加工应变移除步骤，所述加工应变移除步骤移除在所述分离的衬底的所述背部和所述槽的侧面上形成的加工应变。8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述加工应变移除步骤使用等离子体处理。9.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，倾斜角度大于或等于25°并且小于或等于85°，所述倾斜角度是所述槽的侧面与所述背部之间的角度。10.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述元件是功率晶体管。11.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述衬底的所述表面朝上来看时，步骤(b)中形成的所述槽的截面形状包括倒锥形和垂直形状，所述垂直形状与所述衬底的所述表面垂直。12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，倾斜角度大于或等于10°并且小于或等于40°，所述倾斜角度是所述槽的侧面与所述背部之间的角度。13.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：北山纯一，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP