温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了具有用于其中的平坦化工艺的停止层的半导体结构及其形成方法。该方法包括以下步骤：在衬底中和有源区之间形成沟槽；用隔离层填充沟槽；用元素掺杂隔离层以形成掺杂的隔离区；退火掺杂的隔离区；以及平坦化退火的和掺杂的隔离区并且测量它的平坦化...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。