集成芯片及其形成方法技术

技术编号:15958116 阅读:52 留言:0更新日期:2017-08-08 09:56
本发明专利技术涉及具有双电源轨结构的集成芯片。在一些实施例中,集成芯片具有第一金属互连层,该第一金属互连层具有在第一方向上延伸的下金属布线。第二金属互连层具有通过第一通孔层耦合至下金属布线并且在下金属布线上方在垂直于第一方向的第二方向上延伸的多个连接销。第三金属互连层具有在下金属布线和连接销上方在第一方向上延伸的上金属布线。上金属布线通过布置在第一通孔层上方的第二通孔层的方式耦合至连接销。将连接销连接至下金属布线和上金属布线减小了连接至连接销的电流密度,从而减小电迁移和/或IR问题。本发明专利技术的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
集成芯片及其形成方法
本专利技术的实施例涉及集成芯片及其形成方法。
技术介绍
在过去的四十年中,半导体制造工业已经由更高的性能(例如,增加的处理速度、存储器容量等)、缩小形状因子、延长电池寿命以及降低成本的持续需求驱动。为了响应这种需求,该工业已经持续减小了半导体器件组件的尺寸,从而使得现代化的集成芯片可以包括布置在单个半导体管芯上的数百万或数十亿的半导体器件。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种集成芯片,包括:第一金属互连层,包括在第一方向上延伸的下金属布线;第二金属互连层,包括通过第一通孔层耦合至所述下金属布线并且在所述下金属布线上方在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的多个连接销;以及第三金属互连层,包括在所述下金属布线和所述多个连接销上方在所述第一方向上延伸的上金属布线,其中,所述上金属布线通过布置在所述第一通孔层上方的第二通孔层的方式耦合至所述多个连接销。本专利技术的另一实施例提供了一种集成芯片,包括:多个栅极结构,在布置在半导体衬底内的有源区上方延伸;第一金属互连层,包括在所述多个栅极结构上方延伸的下电源轨;第二金属互连层,位于所述第一金属互连层上面并且包括跨越所述下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成芯片,包括:第一金属互连层,包括在第一方向上延伸的下金属布线;第二金属互连层,包括通过第一通孔层耦合至所述下金属布线并且在所述下金属布线上方在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的多个连接销;以及第三金属互连层,包括在所述下金属布线和所述多个连接销上方在所述第一方向上延伸的上金属布线,其中,所述上金属布线通过布置在所述第一通孔层上方的第二通孔层的方式耦合至所述多个连接销。

【技术特征摘要】
2015.10.20 US 62/243,872;2016.07.19 US 15/213,4861.一种集成芯片,包括:第一金属互连层,包括在第一方向上延伸的下金属布线;第二金属互连层,包括通过第一通孔层耦合至所述下金属布线并且在所述下金属布线上方在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的多个连接销;以及第三金属互连层,包括在所述下金属布线和所述多个连接销上方在所述第一方向上延伸的上金属布线,其中,所述上金属布线通过布置在所述第一通孔层上方的第二通孔层的方式耦合至所述多个连接销。2.根据权利要求1所述的集成芯片,其中,所述多个连接销包括:第一组连接销,跨越所述下金属布线的第一边缘并且布置为具有第一间距;以及第二组连接销,跨越所述下金属布线的第二边缘,所述第二边缘与所述第一边缘相对,其中,所述第二组连接销相对于所述第一组连接销布置为具有小于所述第一间距的第二间距。3.根据权利要求2所述的集成芯片,还包括:有源区,包括多个源极/漏极区域;第二下金属布线,布置在所述第一金属互连层上并且平行于所述下金属布线延伸,其中,所述第二下金属布线与所述下金属布线设置在所述有源区的相对侧上;以及其中,所述第一组连接销跨越所述第二下金属布线的第一边缘,并且所述第二组连接销跨越所述第二下金属布线的第二边缘,所述第二边缘与所述第一边缘相对。4.根据权利要求3所述的集成芯片,其中,跨越所述下金属布线的所述第一组连接销相对于跨越所述第二下金属布线的所述第二组连接销布置为具有小于所述第二间距的第三间距。5.根据权利要求4所述的集成芯片,还包括:多个栅极结构,在位于所述第一金属互连层下方的位置处的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:彭士玮赖志明陈俊光陈志良杨超源曾健庭萧锦涛刘如淦严永松
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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