一种芯片参数的识别方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种芯片参数的识别方法及系统，用以识别nandflash芯片的物理参数。本发明专利技术提供的一种芯片参数的识别方法包括：从预先设置的多个时间timing参数中选择满足闪存nandflash芯片读写条件的timing参数；其中，timing参数满足nandflash芯片读写条件，是指在采用该timing参数时，对该nandflash芯片进行的读、写操作均成功；从满足nandflash芯片读写条件的timing参数中选择一个nandflash芯片工作频率最高的timing参数，作为nandflash芯片的最佳timing参数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片
，尤其涉及一种芯片参数的识别方法及系统。
技术介绍
现有技术中，如果要使用某一款闪存(nandflash)芯片，就必须要获得芯片的数 据表(datasheet)技术文档，根据技术文档的描述，组织一个参数列表，软件或硬件是通过 参数列表中的各种参数进行工作。而目前，很多nandflash的生产厂商出于保护的目的，只向大型客户公开授权的 datasheet技术文档，不向小型客户及研发人员公开nandflash芯片的datasheet技术文 档。另外，由于nandflash芯片不断推出新型产品，为了支持不断推出的新品，厂家必须不 断更新nandflash参数列表(软件或硬件)，不利于产品的生产。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种芯片参数的识别方法及系统，用以识别nandflash芯片 的物理参数。本专利技术实施例提供的一种芯片参数的识别方法包括从预先设置的多个时间timing参数中选择满足闪存nandflash芯片读写条件的 timing 参数；其中，timing参数满足nandflash芯片读写条件，是指在采用该timing参数时， 对该nandflash芯片进行的读、写操作均成功；从满足nandflash芯片读写条件的timing参数中选择一个nandflash芯片工作 频率最高的timing参数，作为nandflash芯片的最佳timing参数。本专利技术实施例提供的一种芯片参数的识别系统包括timing参数识别单元，该 timing参数识别单元包括timing参数选择单元，用于从预先设置的多个timing参数中选择满足闪存 nandflash芯片读写条件的timing参数；其中，timing参数满足nandflash芯片读写条件， 是指在采用该timing参数时，对该nandflash芯片进行的读、写操作均成功；最佳timing参数确定单元，用于从满足nandflash芯片读写条件的timing参 数中选择一个nandflash芯片工作频率最高的timing参数，作为nandflash芯片的最佳 timing 参数。本专利技术实施例，从预先设置的多个时间timing参数中选择满足闪存nandflash 芯片读写条件的timing参数；其中，timing参数满足nandflash芯片读写条件，是指在采 用该timing参数时，对该nandflash芯片进行的读、写操作均成功；从满足nandflash芯 片读写条件的timing参数中选择一个nandflash芯片工作频率最高的timing参数，作为 nandflash芯片的最佳timing参数，从而确定了 nandflash芯片的最佳timing参数。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种识别nandflash芯片的page类型的总体方法流 程示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种nandflash芯片参数识别的主要流程示意图；图3为本专利技术实施例提供的尝试读取事先约定好的nandflash区域的nandflash 物理参数的具体流程示意图；图4为本专利技术实施例提供的page类型判断的具体流程示意图；图5为本专利技术实施例提供的识别nandflash芯片每个block包括的page数目的 具体流程示意图；图6为本专利技术实施例提供的确定nandflash芯片的block数目的流程示意图；图7为本专利技术实施例提供的确定最佳时间(timing)参数的流程示意图；图8为本专利技术实施例提供的一种芯片参数的识别系统的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的一种timing参数识别单元的结构示意图；图10为本专利技术实施例提供的一种block数目识别单元的结构示意图。具体实施例方式本专利技术实施例提供了一种芯片参数的识别方法及系统，用以识别nandflash芯片 的物理参数。本专利技术实施例提供的nandflash芯片识别方案，可以识别出任何未知nandflash 芯片的物理参数信息，使得开发人员在一定程度上摆脱了对datasheet技术文档的依赖； 通过将识别出的物理参数信息保存在nandflash芯片上，厂家不用不断更新nandflash芯 片的参数表。本专利技术实施例通过遍历式的尝试，逐步识别出未知nandflash芯片的多项物理参 数，包括芯片的块(block)的数目，每个块包含的页(page)的数目，每页有效数据区(data area)的大小，每页预留区域(spare area)的大小，芯片的物理结构，最佳的timing。其中，芯片的物理结构包括单级单元(SLC，Single-Level cell)和多级单元 (MLC, Multi-Level cell)两种物理结构。需要说明的是，本专利技术实施例中，向nandflash芯片写入的数据，不能为Oxff，因 为，nandflash芯片格式化后，该nandflash芯片中的数据全部是Oxff。下面结合附图对本专利技术实施例提供的技术方案进行详细说明。参见图1，本专利技术实施例提供的一种nandflash芯片的page类型的识别方法总体 包括步骤S101、从预先设置的多个t iming参数中选择满足nandf 1 ash芯片读写条件的 timing 参数。其中，timing参数满足nandflash芯片读写条件，是指在采用该timing参数时， 对该nandflash芯片进行的读、写操作均成功。S102、从满足nandflash芯片读写条件的timing参数中选择一个nandfIash芯片 工作频率最高的timing参数，作为nandflash芯片的最佳timing参数。timing参数包括两个具体指标mandflash芯片的工作频率，和时钟(elk)的高电平与低电平的比，即占空比。较佳地，步骤SlOl包括按照预先设置的多个timing参数的从低到高的顺序，依次选择timing参数进行 是否满足nandflash芯片读写条件的判断。其中，所述多个timing参数的从低到高的顺序，是预先按照每个timing参数中的 nandflash芯片工作频率设置的。或者，步骤SlOl包括从预先设置的多个timing参数中选择每个timing参数，分别进行是否满足 nandflash芯片读写条件的判断，记录满足nandflash芯片读写条件的timing参数。较佳地，判断当前选择的timing参数满足nandflash芯片读写条件的步骤包括采用当前选择的timing参数初始化闪存nandflash芯片控制器，并重新启动 nandflash Sj=T"。格式化第0号block，读取第0号block中的数据。当从第0号block中读取到的数据为Oxff时，向第0号block写入特定数据，并 再次读取第0号block中的数据。当从第0号block中再次读取到的数据，与写入该第0号block的特定数据相同 时，确定当前选择的timing参数为满足nandflash芯片读写条件的timing参数。下面给出本专利技术实施例提供的一种用于识别出nandflash芯片各种物理参数的 主要流程说明。较佳地，参见图2，本专利技术实施例提供的nandflash芯片物理参数的识别方法主要 包括步骤一设定最保守(最小)的timing，例如可以是2MHz。timing包括两个指标ma本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种芯片参数的识别方法，其特征在于，该方法包括：从预先设置的多个时间ｔｉｍｉｎｇ参数中选择满足闪存ｎａｎｄｆｌａｓｈ芯片读写条件的ｔｉｍｉｎｇ参数；其中，ｔｉｍｉｎｇ参数满足ｎａｎｄｆｌａｓｈ芯片读写条件，是指在采用该ｔｉｍｉｎｇ参数时，对该ｎａｎｄｆｌａｓｈ芯片进行的读、写操作均成功；从满足ｎａｎｄｆｌａｓｈ芯片读写条件的ｔｉｍｉｎｇ参数中选择一个ｎａｎｄｆｌａｓｈ芯片工作频率最高的ｔｉｍｉｎｇ参数，作为ｎａｎｄｆｌａｓｈ芯片的最佳ｔｉｍｉｎｇ参数。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：凌明，
申请(专利权)人：无锡中星微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32