集成器件制造技术

本发明专利技术涉及一种集成器件。在一个实施例中，该集成器件包括具有通孔和接触套管的载体基板。在载体基板上方，电路芯片设置有接触垫。导电材料使接触垫与接触套管电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成器件，其包括载体基板、电路芯片、和 导电材料。
技术介绍
随着目前集成电路的集成度的提高以及生产效率的最优化，集 成电路的封装和处理已成为工业研究和开发的焦点。为此，传统的 接合技术在集成电路与载体之间提供了电连接，在该接合技术中， 例如通过焊接导线依次构造半导体芯片的4妻触垫和载体基板的相 应等同物(equivalent)之间的电连接。然而，这种接合不仅容易出 错，而且还需要大量的时间，并且在封装中要为导线预留实际容积。作为该领域中实质改进，可以注意到所谓的倒装芯片技术，其 中，半导体基板直接连接到载体基板。在这种可选的传统技术中， 接触垫设置在半导体芯片上，该接触垫直接焊接到载体基板的相应 接触垫。因此，部分焊料被涂覆到接触垫，并且半导体芯片头向前 地设置在载体基板上，使得半导体芯片的接触垫与载体基板的接触 垫相对。之后，其全部净皮力。热，乂人而4皮此相对的4妄触垫焊4妄在一起。 除了基本上简化了工艺之外，该方法还允许优化利用可用空间，从 而也允许更高的集成度和更小的IC封装。尽管上述通过接合导线 的接合存在缺点，但是尽管如此，这种接合允许以后接触的检验， 以及在不良接触的情况下，还允许接触的相应的再加工。对于检验 和/或再加工而言，4吏用倒装芯片技术可能更加困难，甚至是不可能 的。尽管已知通过x射线进行电子功能性检查以及光学检验，但是 通常不能进行不良接触的4文正或再加工。此外，通过x射线的质量 控制可能造成敏感的半导体结构的损坏，从而又导致工艺产量的降 低。
技术实现思路
出于这些和其它原因，需要提出本专利技术。本专利技术的目的在于提 供一种用于集成电路的电接触的改进的制造方法。此外，本专利技术的 目的在于提供一种包括电路芯片和载体基板的改进的集成器件。本专利技术的各种实施例可以为改进的集成器件、改进的存储器 件、改进的存储模块、改进的电路系统、以及改进的电接触的制造 方法提供了特别的优势。一个实施例提供了一种集成器件，其包括载体基板，该载体 基板包括通孔和接触套管(contact sleeve ),布置该接触套管，以使 该接触套管的开口与通孔至少部分地重叠；电路芯片，在载体基板 的上方，该电路芯片包括在与载体基板相对的表面上的接触垫，布 置该4妄触垫，以^吏该4妄触垫与4妄触套管的开口至少部分;也重叠；以 及导电材料，该导电材料使接触垫与接触套管电连接。一个实施例提供了一种具有载体基板的存储器件，该载体基板 包括通孔和接触套管，布置该接触套管，以4吏该4妻触套管的开口 与通孔至少部分地重叠；集成存储电路，在载体基板的上方，该集 成存储电路包括在与载体基板相对的表面上的接触垫，布置该接触 垫，以使该接触垫与接触套管的开口至少部分地重叠；以及导电材 料，该导电材料使接触垫与接触套管电连接。一个实施例提供了一种具有电路板的存储模块，该电路板包括通孔和接触套管，布置该接触套管，以使该接触套管的开口与 通孔至少部分地重叠；集成存4诸电路，在电路才反的上方，该集成存 储电路包括在与电路板相对的表面上的接触垫，布置该接触垫，以 4吏该4妄触垫与4妄触套管的开口至少部分地重叠；以及导电材并+，该 导电材料使接触垫与接触套管电连接。一个实施例提供了 一种包括电路板的电路系统，该电路板包 括通孔和接触套管，布置该*接触套管，以4吏该接触套管的开口与 通孔至少部分地重叠；集成电3各芯片，在电路才反的上方，该集成电 路芯片包括在与电路板相对的表面上的接触垫，布置该接触垫，以 4吏该4妄触垫与4妄触套管的开口至少部分;也重叠；以及导电才才津牛，该 导电材料使接触垫与接触套管电连接。一个实施例提供了一种用于构成集成电路与载体基板的电接 触的制造方法，该方法包括下列步骤i殳置集成电路，该集成电路 包括在集成电路的表面上的接触垫；设置具有通孔的载体基板；设 置^^妄触套管， -使得该，接触套管的开口与通孔至少部分i也重叠；在载 体基板上堆叠集成电路，使得接触垫与接触套管的开口至少部分地 重叠；以及使接触垫与接触套管接触。这些实施例允许芯片的接触垫与载体的接触套管接触，以及允 许对接触进行检验，如果需要，还允许对不良接触的再加工或校正。 通过4吏用载体的通孔以及通孔的孔洞与芯片的4妄触垫至少部分地 重叠，使得即使在载体上堆叠芯片之后也可以从一侧接近电接触部。根据一个实施例，还可以增加芯片与载体的电接触部的数量， 同时保持可用面积，从而实现了较高的间距(pitch)。根据一个实施例，将突出的触点设置在芯片的接触垫上，或者 在将芯片或电路堆叠在载体(例如，载体基板或电路板)上之前完 成电^各。在堆叠期间，突出触点至少部分地插入到载体的通孔中。 可通过将突出触点机械锁定到套管中来确保芯片或电路相对于载 体的精确对准。此外，芯片的突出触点与载体更好地接合可以获得 改善的断裂强度。可以放弃使用附加的载体层(例如，底部填充层)。 此外，突出的触点的材料可具有在载体材料的热膨月长范围内的热膨接合。根据另一实施例，通过焊接实现接触垫与接触套管的接触。通 过使用焊接，相关元件的材料可被液化并溶合。然后，固化的溶合 材料形成导电材料，并且其无需添加任何其它的材料，例如，焊料、 导电焊膏、或焊接填充物。焊接可通过使用激光焊接或超声波焊接来咒成。根据另 一 实施例，通过将突出触点焊接至接触套管来实现接触 垫的接触。因此，突出的触点至少部分地^v顶侧插入到套管中，而保持可,人底侧4妄近该4妄触部。才艮据本专利技术的另一实施例，可通过以焊4妄金属至少部分地填充 通孔来实现接触垫与接触套管的接触。芯片从顶侧堆叠在载体上， 而可乂人底侧进入套管，并且例如可通过毛细力和/或润湿力从该侧i真 充焊料。例如，这可以通过使用波动焊接来完成，从而液态焊接材 料4曼入到接触套管中并形成接触部。才艮据另 一 实施例，*接触垫与接触套管的4妄触的4企查可在接触形 成后才丸行，并且在出现不良4妄触的情况下，可重新实现4妄触。芯片 或电路从顶侧堆叠到载体基板或电路板上，并且保持可从底侧经由 接触套管接近该接触部，从而可直接检验、检查、用眼睛观察、以及再加工。例如，可通过重新焊^妄或^妄合、《壬意添加其它导电材泮牛 来才交正4妄触部。本专利技术可以允许以有利的方式在载体基4反的4!r触套管处的电 路芯片的接触垫的接触，以及对该接触的检查，如果需要，将进行触垫至少部分地堆叠，即使在载体基板上堆叠了电路芯片之后，也 能够从一侧接近电接触部的位置。根据本专利技术的实施例，还可以增 加电路芯片与载体基板电触点的数量而保持给定的面积，从而实现 所谓的高间^巨。附图说明参考附图对本专利技术的进一 步说明，并且这些附图构成该说明书 的一部分。附图示出了本专利技术的实施例，并且与描述一起用于解释 本专利技术的原理。本专利技术的其它实施例以及本专利技术的一些预期的优点 将通过参照以下详细描述来更好地领会，且4吏其更易于理解。附图 中的元件不必彼此按比例绘出。相同的参考标号表示对应的相似部 件。图1A至图1C示出了根据本专利技术第一实施例的接触部的制造 的示意图；图2A至图2C示出了根据本专利技术第二实施例的接触部的制造 的示意图；图3A至图3C示出了根据本专利技术第三实施例的4妄触部的制造 的示意图4A至图4C示出了根据本发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成器件，包括：载体基板，所述载体基板包括通孔和接触套管，布置所述接触套管以使所述接触套管的开口与所述通孔至少部分地重叠；电路芯片，在所述载体基板的上方，所述电路芯片包括与所述载体基板相对的表面上的接触垫，布置所述接触垫 以使所述接触垫与所述接触套管的开口至少部分地重叠；以及导电材料，所述导电材料使所述接触垫与所述接触套管电连接。

【技术特征摘要】
DE 2006-9-12 102006042774.2;US 2007-4-30 11/742,251. 一种集成器件，包括载体基板，所述载体基板包括通孔和接触套管，布置所 述接触套管以使所述4妄触套管的开口与所述通孔至少部分地 重叠；电i 各芯片，在所述载体基板的上方，所述电路芯片包括 与所述载体基^反相对的表面上的4妄触垫，布置所述4姿触垫以^吏 所述4妄触垫与所述4妻触套管的开口至少部分i也重叠；以及导电材料，所述导电材料使所述接触垫与所述接触套管 电连接。2. 根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述接触套管 包括涂层，所述涂层包含可焊材料。3. 根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述导电材料 包括焊缝。4. 根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述集成器件 包括突出触点，在所述接触垫上和所述通孔的至少 一部分中布 置所述突出触点。5. 根据权利要求4所述的集成器件，其特征在于，所述突出触点 包括涂层，所述涂层包含可焊材料。6. 4艮据4又利要求4所述的集成器件，其特;f正在于，所述突出触点 沿连续的线接触所述接触套管。7. 根据权利要求6所述的集成器件，其特征在于，所述导电材料 包括至少沿所述连续的线的 一部分的焊缝。8. 根据权利要求4所述的集成器件，其特征在于，所述突出触点 包括金属铜、金、锡、铅、银、锑、铝、和铋中的至少一种。9. 根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述接触套管 包括金属铜、金、锡、铅、银、锑、铝、或铋中的至少一种。10. 根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述通孔至少 部分地填充有所述导电材料。11. 根据权利要求IO所述的集成器件，其特征在于，所述导电材 料包括焊接金属。12. 根据权利要求IO所述的集成器件，其特征在于，所述导电材 料包括金属铜、金、锡、铅、银、锑、铝、和铋中的至少一种。13. 根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述集成器件 包括设置在所述电路芯片与所述载体基板之间的绝缘材料。14. 一种存储器件，包括载体基板，所述载体基板包括通孔和接触套管，布置所 述4妄触套管以4吏所述4妄触套管的开口与所述通孔至少部分地 重叠；集成存储电路，在所述载体基板的上方，所述集成存储 电路包括与所述载体基板相对的表面上的接触垫，布置所述接 触垫以使所述接触垫与所述接触套管的开口至少部分地重叠； 以及导电材料，所述导电材料使所述接触垫与所述接触套管 电连接。15. 根据权利要求14所述的存储器件，其特征在于，所述接触套 管包括涂层，所述涂层包含可焊材料。16. 根据权利要求14所述的存储器件，其特征在于，所述导电材 料包括焊缝。17. 根据权利要求14所述的存储器件，其特征在于，所述存储器 件包括突出触点，在所述接触垫上和所述通孔的至少一部分中 布置所述突出触点。18. 根据权利要求17所述的存储器件，其特征在于，所述突出触 点包括涂层，所述涂层包含可焊材料。19. 根据权利要求17所述的存储器件，其特征在于，所述突出触 点沿连续的线接触所述接触套管。20. 根据权利要求19所述的存储器件，其特征在于，所述导电材 料包括至少沿所述连续的线的 一部分的焊缝。21. 根据权利要求17所述的存储器件，其特征在于，所述突出触 点包括金属铜、金、锡、铅、银、锑、铝、和铋中的至少一种。22. 根据权利要求14所述的存储器件，其特征在于，所述接触套 管包括金属铜、金、锡、铅、银、锑、铝、和铋中的至少一种。23. 根据权利要求14所述的存储器件，其特征在于，所述通孔至 少部分地填充有所述导电材料。24. 根据权利要求23所述的存储器件，其特征在于，所述导电材 料包括焊接金属。25. 根据权利要求23所述的存储器件，其特征在于，所述导电材 料包括金属铜、金、锡、铅、银、锑、铝、和铋中的至少一种。26. 根据权利要求14所述的存储器件，其特征在于，所述存储器 件包括设置在所述集成存储电路与所述载体基板之间的绝缘 材料。27. 根据权利要求14所述的存储器件，其特征在于，所述存储器 件包括至少一个其它的集成存储电路。28. —种存储模块，包括电路板，所述电路板包括通孔和接触套管，布置所述接 触套管以使所述接触套管的开口与所述通孔至少部分地重叠；集成存储电路，在所述电鴻4反的上方，所述集成存4诸电 路包括与所述电路板相对的表面上的接触垫，布置所述接触垫 以使所述接触垫与所述接触套管的开口至少部分地重叠；以及导电材料，所述导电材料使所述接触垫与所述接触套管 电连接。29. 根据权利要求28所述的存储模块，其特征在于，所述导电材 料包括焊缝。30. 根据权利要求28所述的存储模块，其特征在于，所述存储模 块包括突出触点，在所述4妾触垫上和所述通孔的至少一部分中 布置所述突出触点。31. 根据权利要求30所述的存储模块，其特征在于，所述突出触 点包括金属铜、金、锡、铅、银、锑、铝、和叙中的至少一种。32. 根据权利要求28所述的存储模块，其特征在于，所述接触套 管包括金属铜、金、...

【专利技术属性】
技术研发人员：维尔纳雷斯，沃尔夫冈黑策尔，弗洛里安阿默尔，
申请(专利权)人：奇梦达股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]