器件、封装的半导体器件和半导体器件封装方法技术

本发明专利技术实施例公开了器件、封装的半导体器件和封装半导体器件的方法。在一些实施例中，器件包括第一互连结构、连接至第一互连结构的第一集成电路管芯，以及设置在第一集成电路管芯上方，并与其连接的第二集成电路管芯。第二互连结构设置在第二集成电路管芯上方。第一通孔连接在第一互连结构和第二互连结构之间，第二通孔连接在第一集成电路管芯和第二互连结构之间。模塑材料设置在第一集成电路管芯、第二集成电路管芯、多个第一通孔和多个第二通孔周围。本发明专利技术实施例涉及器件、封装的半导体器件和半导体器件封装方法。

Device, packaged semiconductor device and semiconductor device packaging method

The embodiment of the invention discloses a device, a packaged semiconductor device and a method for encapsulating the semiconductor device. In some embodiments, the device includes a first integrated circuit interconnect structure, connected to the first interconnect structure and tube core is arranged in the first integrated circuit die top second integrated circuit and is connected with the tube core. The second interconnection structure is disposed over the second integrated circuit tube core. The first through hole is connected between the first interconnection structure and the second interconnection structure, and the second through hole is connected between the first integrated circuit tube core and the second interconnection structure. The molding material is disposed around the first integrated circuit tube core, the second integrated circuit tube core, a plurality of first through holes and a plurality of second through holes. Embodiments of the present invention relate to devices, packages of semiconductor devices, and semiconductor device packaging methods.

【技术实现步骤摘要】
器件、封装的半导体器件和半导体器件封装方法
本专利技术实施例涉及器件、封装的半导体器件和半导体器件封装方法。
技术介绍
半导体器件用于各种电子应用中，诸如个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备等。半导体器件通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，并使用光刻图案化各材料层以在其上形成电路组件和元件的方法制造。在单个半导体晶圆上，通常制造了数十或数百个集成电路。通过沿划线切割集成电路来分割单个管芯。然后分别将单个管芯以多芯片模式或者以其他封装类型来单独地封装单个管芯。半导体行业通过不断减小最小部件尺寸以提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，从而能让更多的组件集成到一个特定区域内。在一些应用中，这些较小的电子组件还需要比过去的封装件利用更小面积的更较小的封装件。三维集成电路(3DIC)是将管芯堆叠和封装在一起的封装技术，其降低了封装件的覆盖区(形式因数)。系统级封装(SiP)是将多个管芯封装在一起，以作为系统或子系统执行的封装技术。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供了一种半导体器件，包括：第一互连结构；第一集成电路管芯，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：第一互连结构；第一集成电路管芯，连接至所述第一互连结构；第二集成电路管芯，设置在所述第一集成电路管芯上方并与所述第一集成电路管芯连接；第二互连结构，设置在所述第二集成电路管芯上方；多个第一通孔，连接在所述第一互连结构和所述第二互连结构之间；多个第二通孔，连接在所述第一集成电路管芯和所述第二互连结构之间；以及模塑材料，设置在所述第一集成电路管芯、所述第二集成电路管芯、所述多个第一通孔和所述多个第二通孔周围。

【技术特征摘要】
2016.01.19 US 62/280,642;2016.05.03 US 15/145,5511.一种半导体器件，包括：第一互连结构；第一集成电路管芯，连接至所述第一互连结构；第二集成电路管芯，设置在所述第一集成...

【专利技术属性】
技术研发人员：余振华，余国宠，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71