半导体器件及其制造方法技术

公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、器件层、第一和第二导电层、第一和第二通孔，以及MIM电容器结构。衬底包括有源区和无源区。器件层位于有源区中。第一导电层位于器件层上方。第二导电层位于第一导电层上方，其中第一导电层设置在器件层和第二导电层之间。第一通孔电连接第一和第二导电层。MIM电容器结构位于第一和第二导电层之间并且在无源区中，以及包括第一和第二电极和它们之间的电容器介电层。电容器介电层包括IIIA族金属氧化物或氮化物。第二通孔电连接第二导电层和第一与第二电极中的一个。

Semiconductor device and manufacturing method thereof

A semiconductor device and a method of manufacturing the same are disclosed. The semiconductor device includes a substrate, a device layer, a first and second conductive layers, first and second vias, and a MIM capacitor structure. The substrate includes an active region and a passive region. The device layer is in the active region. The first conductive layer is positioned above the device layer. The second conductive layer is positioned above the first conductive layer, wherein the first conductive layer is disposed between the device layer and the second conductive layer. The first through hole is electrically connected to the first and second conductive layers. The MIM capacitor structure is located between the first and second conductive layers and in the passive region, and includes a capacitor dielectric layer between the first and second electrodes and between them. A capacitor dielectric layer includes a group IIIA metal oxide or nitride. The second vias are electrically connected to one of the second conductive layers and one of the first and second electrodes.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
本专利技术的实施例涉及集成电路器件，更具体地，涉及半导体器件及其制造方法。
技术介绍
技术进步导致对令人满意的模拟和数字信号处理的片上系统产品的需求增加。例如，模拟电路从周围环境捕捉模拟信号并且将信号转换成位，然后将位转换成用于驱动数字电路和输出功能的信号。逐渐地，有利的是具有接近的模拟电路和数字电路，例如，在形式上电路的数字块和模拟块一起运行以实现系统的功能，也称为混合模式系统。例如，在诸如模拟频率调谐电路，开关电容器电路、滤波器、谐振器、上变频和下变频混频器和A/D转换器的一些混合信号集成电路中MIM电容器是至关重要的。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底，包括有源区和无源区；器件层，位于所述有源区中；第一导电层，位于所述器件层上方；第二导电层，位于所述第一导电层上方，其中所述第一导电层设置在所述器件层和所述第二导电层之间；第一通孔，电连接所述第一导电层和所述第二导电层；MIM电容器结构，位于所述第一导电层和所述第二导电层之间并且位于所述无源区中，并且包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的电容器介电层，其中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底，包括有源区和无源区；器件层，位于所述有源区中；第一导电层，位于所述器件层上方；第二导电层，位于所述第一导电层上方，其中所述第一导电层设置在所述器件层和所述第二导电层之间；第一通孔，电连接所述第一导电层和所述第二导电层；MIM电容器结构，位于所述第一导电层和所述第二导电层之间并且位于所述无源区中，并且包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的电容器介电层，其中，所述电容器介电层的材料包括IIIA族金属氧化物或氮化物；以及第二通孔，电连接所述第二导电层和所述第一电极与所述第二电极中的一个。

【技术特征摘要】
2016.01.15 US 14/996,2351.一种半导体器件，包括：衬底，包括有源区和无源区；器件层，位于所述有源区中；第一导电层，位于所述器件层上方；第二导电层，位于所述第一导电层上方，其中所述第一导电层设置在所述器件层和所述第二导电层之间；第一通孔，电连接所述第一导电层和所述第二导电层；MIM电容器结构，位于所述第一导电层和所述第二导电层之间并且位于所述无源区中，并且包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的电容器介电层，其中，所述电容器介电层的材料包括IIIA族金属氧化物或氮化物；以及第二通孔，电连接所述第二导电层和所述第一电极与所述第二电极中的一个。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电容器介电层包括氮化铝，氮化镓，氮化铟，氧化钽，氧化铪或它们的组合。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电容器介电层的厚度范围为从5埃至50埃。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一通孔设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间并且接触所述第一导电层和所述第二导电层，所述第二通孔设置在所述第一电极与所述第二电极中的一个和所述第二导电层之间，并且接触所述第一电极与所述第二电极中的一个和所述第二导电层。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述MIM电容器结构的高度小于所述第二通孔的高度。6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括覆盖所述第一电极、所述电容器介电层和所述第二电极的覆盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：张朝钦，吴正一，蔡建欣，林明辉，林艺民，李锦思，张文山，陈宜辉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71