互连线结构与其制造方法技术

本揭露是关于一种互连线结构与其制造方法。互连线结构包括第一介电层、存在于第一介电层中的导电特征、存在于第一介电层上的第二介电层、存在于第一介电层与第二介电层之间的含铝蚀刻停止层、至少存在于第二介电层中及电连接至导电特征的导电通孔，及至少存在于导电通孔底部转角处的至少一个含铝碎片。

【技术实现步骤摘要】
互连线结构与其制造方法
本揭露是关于一种互连线结构与其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit；IC)已经历迅速增长。现代集成电路由几乎数百万有效装置组成，如晶体管及电容器。IC材料及设计的技术进步已生产数代IC，其中每一代都具有比上一代更小及更复杂的电路。这些装置最初是彼此隔绝的，但后来经由多个金属层互连在一起以形成功能电路。随着IC变得日益复杂，互连线结构亦变得更为复杂，导致增大数目的金属层。互连线结构可包括横向互连，如金属线(导线)，及垂直互连，如导电通孔及触点。然而，复杂互连线限制现代集成电路的效能及密度。
技术实现思路
根据本揭露的一些实施例，互连线结构包括第一介电层、存在于第一介电层中的导电特征、存在于第一介电层上及其中具有孔洞的第二介电层、存在于孔洞中及电连接至导电特征的导体，及至少部分地存在于孔洞的至少一个侧壁上的多个含铝碎片，其中孔洞侧壁底部的含铝碎片密度大于孔洞侧壁中部的含铝碎片密度。根据本揭露的一些实施例，互连线结构包括第一介电层、存在于第一介电层中的导电特征、存在于第一介电层上的第二介电层、存在于第一介电层与第二介电层之间的含铝蚀刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种互连线结构，其特征在于，包括：一第一介电层；一导电特征，存在于该第一介电层中；一第二介电层，存在于该第一介电层上，且该第二介电层中具有一孔洞；一导体，存在于该孔洞中及电连接至该导电特征；以及多个含铝碎片，至少部分地存在于该孔洞的至少一个侧壁上，其中该孔洞的该侧壁的底部处的所述含铝碎片的密度大于该孔洞的该侧壁的中部中的所述含铝碎片的密度。

【技术特征摘要】
2015.12.21 US 62/270,468;2016.05.03 US 15/145,3691.一种互连线结构，其特征在于，包括：一第一介电层；一导电特征，存在于该第一介电层中；一第二介电层，存在于该第一介电层上，且该第二介电层中具有一孔洞；一导体，存在于该孔洞中及电连接至该导电特征；以及多个含铝碎片，至少部分地存在于该孔洞的至少一个侧壁上，其中该孔洞的该侧壁的底部处的所述含铝碎片的密度大于该孔洞的该侧壁的中部中的所述含铝碎片的密度。2.根据权利要求1所述的互连线结构，其特征在于，还包括：一含铝蚀刻停止层，存在于该第一介电层与该第二介电层之间。3.根据权利要求2所述的互连线结构，其特征在于，该含铝蚀刻停止层的材料为氮化铝、氮氧化铝、碳化铝或其组合。4.根据权利要求1所述的互连线结构，其特征在于，该孔洞具有至少一个底部转角，所述多个含铝碎片中的至少一者存在于该孔洞的该底部转角。5.根据权利要求1所述的互连线结构，其特征在于，还包含一阻障层，至少部分存在于该导体与该第二介电层之间。6.根据权利要求1所述的互连线结构，其特征在于，该...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴中文，张简旭珂，邱建文，陈建全，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71