The invention discloses a linear power linear power amplifier structure miniaturization high heat dissipation of a miniature high heat the amplifying element structure and manufacturing method thereof, which is characterized by the power amplifier chip to pre embedded within the organic substrate, the metal layer power amplifier chip pasted on the back of the base plate for the power amplifier chip positive electrode; the signal transmission and vias through the substrate inside the metal printed circuit, and finally connected to the substrate surface layer corresponding pads; substrate surface layer pad welding metal solder balls and corresponding passive devices. The invention can shorten the heat dissipation path of the power amplification chip as much as possible, and can also make full use of the inner space of the substrate so as to achieve the purpose of high heat dissipation and reducing the size of the device.
【技术实现步骤摘要】
一种小型化高散热性的线性功率放大器结构及其制作方法
本专利技术涉及线性功率放大元件的结构,具体的一种小型化高散热性的线性功率放大器结构及其制作方法。
技术介绍
功率放大器是无线通信连接中的一个核心元件,对于射频发射前端的主力元器件射频功率放大器及其模块来说,就意味着在新的频段利用率高的调制解调方式下,功率放大器必须具有较高的线性度来保障射频信号能够放大传输并且能够尽量少信号失真。然而由于功率放大芯片本身的发热量大,器件的散热性将直接影响到线性度和放大效率,所以散热能力往往是功率放大器设计时需要重点考虑的因素。一般功率放大芯片与基板的连接方式基本有两种,一种是通过飞线技术连接芯片上的焊盘和基板上的焊盘节点,另一种是倒装芯片技术通过芯片上的金属凸点和基板上的节点直接通过焊锡或是铜柱对接。以常见无线通信功率放大器输出级连接方式为例,市场上已有的大部分功率放大器是通过飞线技术把功率放大器芯片与基板实现连接,如图1所示。有的接地方式也可能是采用晶圆贯通接地TWV,如图2所示。这两种连接方法普遍用于线性放大器的设计。但是无论是飞线或者晶圆贯通接地方式散热效果都不理想,因为商业HBT晶体管的发射极大多在晶体管多层材料的最上层,电流需要通过飞线或晶体管发射极之下的多层材料包括基级层,集电极层,衬底层,然后通过晶圆背面的金属镀层接地,热量传递到基板焊盘,再通过基板的过孔和多层金属布线,将热量传导至基板表面。这样长的一个通路会引起电感以及电阻过大,从而导热效率很差。另一种市场常见芯片连接采用倒装芯片技术通过芯片上的金属凸点和基板上的节点直接通过焊锡或是铜柱对接。这种方式常见于 ...
【技术保护点】
一种小型化高散热性的线性功率放大器结构,其特征是:设置基板(300)的结构包括:上层金属层(320)、中间的基板core材(310)和下层金属层;所述上层金属层和下层金属层上包含有印制电路并相应设置有过孔(340);在所述基板core材(310)上通过键合胶(200)设置有功率放大芯片(100);所述功率放大芯片(100)的背面为衬底,并朝向所述上层金属层(320),所述功率放大芯片(100)的正面包括含电路和输入输出电极(110),并朝向所述下层金属层;在所述上层金属层和下层金属层的表面设置有若干个焊盘(330),并覆盖有阻焊材料层(500);所述功率放大芯片(100)正面的输入输出电极(110)通过相应过孔(340)与下层金属层表面相应的焊盘(330)相连通,所述下层金属层表面的焊盘(330)上焊接有金属焊球作为放大元件的输入输出引脚(600)和接地GND引脚(610);在所述上层金属层(320)表面的相应焊盘(330)焊接有无源器件(400)。
【技术特征摘要】
1.一种小型化高散热性的线性功率放大器结构,其特征是:设置基板(300)的结构包括:上层金属层(320)、中间的基板core材(310)和下层金属层;所述上层金属层和下层金属层上包含有印制电路并相应设置有过孔(340);在所述基板core材(310)上通过键合胶(200)设置有功率放大芯片(100);所述功率放大芯片(100)的背面为衬底,并朝向所述上层金属层(320),所述功率放大芯片(100)的正面包括含电路和输入输出电极(110),并朝向所述下层金属层;在所述上层金属层和下层金属层的表面设置有若干个焊盘(330),并覆盖有阻焊材料层(500);所述功率放大芯片(100)正面的输入输出电极(110)通过相应过孔(340)与下层金属层表面相应的焊盘(330)相连通,所述下层金属层表面的焊盘(330)上焊接有金属焊球作为放大元件的输入输出引脚(600)和接地GND引脚(610);在所述上层金属层(320)表面的相应焊盘(330)焊接有无源器件(400)。2.根据权利要求1所述的线性功率放大器结构...
【专利技术属性】
技术研发人员:王宏杰,马雷,彭小滔,
申请(专利权)人:合肥雷诚微电子有限责任公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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