一种小型化高散热性的多芯片功率放大器结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种小型化高散热性的多芯片线性功率放大器结构及其制作方法，其特征是一个独立功能模块包含功率放大芯片、CMOS芯片、射频开关芯片、以及相匹配的无源器件等多个元件组成。其中功率放大芯片预先埋入至有机基板内部，功率放大芯片背面粘贴于基板内部的金属层上；功率放大芯片正面的电极通过基板内部的金属印制电路和过孔进行信号传输，并最终连接至基板外表层相应的焊盘；其它组成元件焊接于基板外表面，然后整体塑封。本发明专利技术能使功率放大芯片的散热路径尽可能缩短，同时又能充分利用基板内部空间，减少模块的平面面积，从而达到高散热性和缩小器件尺寸的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种小型化高散热性的多芯片功率放大器结构及其制作方法
本专利技术涉及线性功率放大器的结构，具体的说是一种小型化高散热性的多芯片功率放大器结构及其制作方法。
技术介绍
射频发射前端模块是射频终端器件实现信号传输的关键元器件。当前随着全球无线通信用户的快速增长及用户对无线通信的更高端的体验需求，市场对无线通信的带宽的需求快速增长。为了解决这种市场需求，全球开放出来的专用无线通信频段越来越多并且越来越拥挤。频段利用率高的调制解调方式，例如：3G的宽带码分多址(WidebandCodeDivisionMultipleAccess,WCDMA),带码分多址(CodeDivisionMultipleAccess,CDMA),时分同步码分多址(TimeDivisionSynchronousCodeDivisionMultipleAccess,TD-SCDMA),以及逐渐取代3G技术成为市场主流的4G技术的Longtermevolution,LTE包括成对频谱模式(Frequencydomainduplexing,FDD)及非成对频谱模式(Timedomainduplexing,TDD)。这些频段利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种小型化高散热性的多芯片线性功率放大器结构，其特征是：设置基板(300)的结构包括：上层金属层、中间的基板core材(310)和下层金属层；所述上层金属层和下层金属层上包含有印制电路并相应设置有过孔(340)；在所述基板core材(310)上通过键合胶(200)设置有功率放大芯片(100)；所述功率放大芯片(100)的背面为衬底，并朝向所述上层金属层，所述功率放大芯片(100)的正面包括含电路和输入输出电极(110)，并朝向所述下层金属层；在所述上层金属层和下层金属层的表面设置有若干个焊盘(330)，并覆盖有阻焊材料层(500)；所述功率放大芯片(100)正面的输入输出电极(110)通过相应...

【技术特征摘要】
1.一种小型化高散热性的多芯片线性功率放大器结构，其特征是：设置基板(300)的结构包括：上层金属层、中间的基板core材(310)和下层金属层；所述上层金属层和下层金属层上包含有印制电路并相应设置有过孔(340)；在所述基板core材(310)上通过键合胶(200)设置有功率放大芯片(100)；所述功率放大芯片(100)的背面为衬底，并朝向所述上层金属层，所述功率放大芯片(100)的正面包括含电路和输入输出电极(110)，并朝向所述下层金属层；在所述上层金属层和下层金属层的表面设置有若干个焊盘(330)，并覆盖有阻焊材料层(500)；所述功率放大芯片(100)正面的输入输出电极(110)通过相应过孔(340)与下层金属层表面相应的焊盘(330)相连通，所述下层金属层表面的焊盘(330)上焊接有金属焊球作为放大元件的输入输出引脚(800)；在所述上层金属层上通过键合胶(200)设置有CMOS芯片(120)，并通过飞线(600)与上层金属层表面的相应焊盘(330)相连通；所述上层金属层表面的相应焊盘(330)焊接有无源器件(400)；在所述上层金属层上设置有塑封层(700)用于覆盖所述CMOS芯片(120)和无源器件(400)。2.根据权利要求1所述的小型化高散热性的多芯片线性功率放大器结构，其特征是：设置所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宏杰，马雷，彭小滔，
申请(专利权)人：合肥雷诚微电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34